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标题: Intel 2007工艺大跃进：45nm+High-K电介质+金属栅晶体管 [打印本页]

作者: fayerlxy 时间: 2007-1-27 15:45
标题: Intel 2007工艺大跃进：45nm+High-K电介质+金属栅晶体管
http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=5869

The lithography process for Penryn, dubbed P1266, is not just a shrink from 65nm to 45nm.  Perhaps the most significant advance on P1266 is the use of high-k dielectrics and metal gate transistors.  In a nutshell, the polysilicon gate used on transistors today is replaced with a metal layer and the silicon dioxide dielectric that sits between the substrate and the transistor is replaced by a high-k dielectric.

Intel's push for high-k dielectrics and metal gate transistors may be more significant than the node shrink.  Intel's guidance documentation claims with the new high-k dielectric, metal gate transistors offer a 20% increase in current, which can translate to a 20% increase in performance.  When the new transistor technologies run at the same current and frequencies as Core 2 Duo processors today, translates to a 5-fold reduction in source-drain leakage and a 10-fold reduction in dielectric leakage.

"The implementation of high-k and metal gate materials marks the biggest change in transistor technology since the introduction of polysilicongate MOS transistors in the late 1960s" claims Gordon Moore, Intel co-founder attributed with coining "Moore's Law."

Intel would not reveal the materials used in its metal gate technology, though Smith announced that the dielectric is hafnium based.  Hafnium dioxide has been the leading candidate to replace silicon oxide inside academia for years.  A different material is used for PMOS and NMOS gates.

Intel's lithography roadmap no longer ends at P1268, the 32nm node.  Earlier today Intel revealed its 22nm node, dubbed 1270, slated for first production in 2011.

Smith closed our conversation with "In 2008, we'll have Nehalem."

作者: fayerlxy 时间: 2007-1-27 15:45
我只想说，AMD。。。该怎么办呢？

作者: Prescott 时间: 2007-1-27 15:59

原帖由 fayerlxy 于 2007-1-27 15:45 发表
我只想说，AMD。。。该怎么办呢？

“如果你不能打败你的敌人，就加入他！”w00t)

作者: 89度热水 时间: 2007-1-27 16:02
不是说45nm没有侵入式光刻会很惨？

已经达到工艺极限了

作者: fayerlxy 时间: 2007-1-27 16:05

原帖由 89度热水 于 2007-1-27 16:02 发表
不是说45nm没有侵入式光刻会很惨？

已经达到工艺极限了

甭担心

[ 本帖最后由 fayerlxy 于 2007-1-27 16:14 编辑 ]

作者: spinup 时间: 2007-1-27 16:06
怎么办?凉拌:p

作者: itany 时间: 2007-1-27 16:07

原帖由 89度热水 于 2007-1-27 16:02 发表
不是说45nm没有侵入式光刻会很惨？

已经达到工艺极限了

那个是AMD的工艺极限

作者: Prescott 时间: 2007-1-27 16:11

原帖由 89度热水 于 2007-1-27 16:02 发表
不是说45nm没有侵入式光刻会很惨？

已经达到工艺极限了

除了Intel用干式，其他的比如IBM、TI、台积电、AMD都是打算用浸润式。

呵呵。

作者: ITANIUM2 时间: 2007-1-27 16:33
哇，我喜欢
Itanium2 会不会上2G ?:loveliness:

作者: zacard 时间: 2007-1-27 16:38
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: skywalker_hao 时间: 2007-1-27 16:39

原帖由 ITANIUM2 于 2007-1-27 16:33 发表
哇，我喜欢
Itanium2 会不会上2G ?:loveliness:

用.065就可以啊:unsure:

作者: 89度热水 时间: 2007-1-27 16:45

原帖由 Prescott 于 2007-1-27 16:11 发表

除了Intel用干式，其他的比如IBM、TI、台积电、AMD都是打算用浸润式。

呵呵。

说明INTEL先进还是说明INTEL落后？

作者: itany 时间: 2007-1-27 16:56

原帖由 ITANIUM2 于 2007-1-27 16:33 发表
哇，我喜欢
Itanium2 会不会上2G ?:loveliness:

现在伟大的安腾大人才90nm，潜力是很大的～

作者: zaarath 时间: 2007-1-27 17:04

原帖由 89度热水 于 2007-1-27 16:45 发表

说明INTEL先进还是说明INTEL落后？

说明Intel的实用主义至上。但这次Hi-K介质和metal gate的引用确实是非常大的革新。

作者: potomac 时间: 2007-1-27 17:14
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作者: fineday 时间: 2007-1-27 17:29
:huh: 45nm还用干式
难道Intel要提前换光源了

作者: 铁道虫 时间: 2007-1-27 17:37
什么时候我能用上哟~~还在用0.13微米的说:funk:

作者: 89度热水 时间: 2007-1-27 17:44
INTEL 05年就说放弃157nm光刻了，现在都是用193nm的

作者: 华尔街商人 时间: 2007-1-27 18:02
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: fayerlxy 时间: 2007-1-28 02:47

原帖由 89度热水 于 2007-1-27 17:44 发表
INTEL 05年就说放弃157nm光刻了，现在都是用193nm的

反正只要良品率能提高就ok,用什么光刻都不影响成品性能.

另外，IBM也马上跟进宣布
http://www.eetimes.com/news/semi ... articleID=197001065

[ 本帖最后由 fayerlxy 于 2007-1-28 05:09 编辑 ]

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