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标题: Intel明年启用35nm工艺生产NAND闪存 [打印本页]

作者: ljlxl 时间: 2007-2-14 09:33
标题: Intel明年启用35nm工艺生产NAND闪存
路透社报道，Intel将从明年即2008年开始启用35nm工艺生产NAND闪存芯片。

按照Intel计划，首批35nm NAND闪存，将在Intel和Micron合资的新加坡工厂当中生产。Intel 35nm NAND闪存芯片，除了供应闪存组装厂商之外，还将用在Intel自己08年问世的Santa Rosa新一代移动平台上，以增强Robson硬盘启动速度。

Intel目前采用72nm工艺生产NAND闪存芯片，但是基于竞争激烈的关系，Intel希望在年内启动50nm工艺，以进一步降低NAND闪存芯片生产成本。

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