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标题: 其实R600拖那么久滴根本原因素什么? [打印本页]

作者: aeondxf    时间: 2007-2-17 21:11
标题: 其实R600拖那么久滴根本原因素什么?
不过我对那传说中一边通电一边发生化学反应的某物更感兴趣w00t) ……
作者: 来不及思考    时间: 2007-2-17 21:17
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作者: fineday    时间: 2007-2-17 21:39
当年X800落后都舍得拿出来,可见性能不是原因。
那是什么呢?:shifty:
作者: 菊花一抖    时间: 2007-2-17 22:01
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作者: hou    时间: 2007-2-17 22:37
原帖由 菊花一抖 于 2007-2-17 22:01 发表
an串通好了,各领先半年,大家财源滚滚,一起happy:lol:

A什么时候领先了?:mad: (除了9700外)
作者: 自自在在    时间: 2007-2-17 22:39
我估计还是cpu问题,amd绝对不想用扣肉发布r600,再等u啊:lol:
作者: 大死人花    时间: 2007-2-17 23:15
原帖由 hou 于 2007-2-17 22:37 发表

A什么时候领先了?:mad: (除了9700外)

X1900XTX
作者: lacri    时间: 2007-2-18 00:07
原帖由 来不及思考 于 2007-2-17 21:17 发表
不知道R600为啥要拖,但知道R600用了ILD :lol:


大家新年好啊!另外请思考扫个盲,ILD是?:o
作者: 来不及思考    时间: 2007-2-18 00:11
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作者: 末日之刃    时间: 2007-2-18 00:12
原帖由 lacri 于 2007-2-18 00:07 发表


大家新年好啊!另外请思考扫个盲,ILD是?:o

深埋绝缘层:shifty:
作者: killpmp    时间: 2007-2-18 00:32
原帖由 来不及思考 于 2007-2-18 00:11 发表
一种工艺,曾经救过NV30的命 :lol:

到头来还是短命鬼(_(

看来R600情况也不妙:wacko:
作者: Edison    时间: 2007-2-18 00:33
效率低,需要拱频率。
作者: G70    时间: 2007-2-18 00:48
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作者: phk    时间: 2007-2-18 00:53
原帖由 Edison 于 2007-2-18 00:33 发表
效率低,需要拱频率。


这一句很伤某些极端泛A的自尊w00t)
作者: killpmp    时间: 2007-2-18 00:54
R600不能只满足于勉强应付得了8800GTX

那样8900GTX就赢得毫无悬念,压倒性优势

[ 本帖最后由 killpmp 于 2007-2-18 00:56 编辑 ]
作者: graphiccard    时间: 2007-2-18 01:14
原帖由 Edison 于 2007-2-18 00:33 发表
效率低,需要拱频率。


哈哈
确实如CHO说啊
R600不在某个方面上干掉G80~实在是AMD面子过不去,而照R600这种架构想干掉G80又不是容易的事情
想干掉也可以~而唯一方法就是频率,当然```频率高了带来的效应有些什么呢``````(_(
作者: madcat2100    时间: 2007-2-18 01:34
原帖由 graphiccard 于 2007-2-18 01:14 发表


哈哈
确实如CHO说啊
R600不在某个方面上干掉G80~实在是AMD面子过不去,而照R600这种架构想干掉G80又不是容易的事情
想干掉也可以~而唯一方法就是频率,当然```频率高了带来的效应有些什么呢``````(_(

热量w00t)
可惜没能赶上中国春节,让饭A过个火红的年w00t)
作者: pharaohs1024    时间: 2007-2-18 01:51
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作者: 自自在在    时间: 2007-2-18 02:11
确认是240w吗,也太夸张了:unsure:
作者: lillxu    时间: 2007-2-18 02:14
一把火………………
作者: lacri    时间: 2007-2-18 10:57
原帖由 末日之刃 于 2007-2-18 00:12 发表

深埋绝缘层:shifty:


原来思考最近挂在嘴边的就是这东东啊!:funk:
作者: Eji    时间: 2007-2-18 22:34
原帖由 Edison 于 2007-2-18 00:33 发表
效率低,需要拱频率。


結構設計造成時脈拉不上去,所以最後決定下猛藥,
代價就是遠比原始設計高的時脈。(可以從並不長的PCB看出來此非原始設計)
應該只有R600用ILD,其他衍生產品應該不至於會有發熱問題,不過時脈仍然值得擔憂。
這個狀況與當年NV30完全相同,付出的代價也一樣。

R680該準備了....

[ 本帖最后由 Eji 于 2007-2-18 22:38 编辑 ]
作者: Edison    时间: 2007-2-18 23:43
ATI从9600以来都很喜欢Low-K的ILD,NVIDIA从NV30后,就一直都是bulk silicon的工艺,ILD并非什么特定的工艺,只是指芯片内各layer之间的介质。
作者: 末日之刃    时间: 2007-2-18 23:47
原帖由 Edison 于 2007-2-18 23:43 发表
ATI从9600以来都很喜欢Low-K的ILD,NVIDIA从NV30后,就一直都是bulk silicon的工艺,ILD并非什么特定的工艺,只是指芯片layer之间的介质。

但是ILD限制了不少工艺的应用,这个太要命了
PS:去手提电脑区去Ban水人




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