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标题: 电压低性能强!三星60nm内存步入量产阶段 [打印本页]

作者: 武内空 时间: 2007-3-5 17:08
标题: 电压低性能强!三星60nm内存步入量产阶段
三星日前宣布，其60nm内存芯片生产线已经正式进入量产阶段，采用60nm制程生产的 1GBbit DDR2 内存芯片已经批量供货。根据三星的计划，包括 512MB, 1GB 以及2GB内存芯片今后都将会采用60nm制程，这些内存都支持 DDR2-667 和 DDR2-800 ，其综合性能都强于目前市场上的相关前代产品。

　　三星计划在今年销售23亿美元的60nm内存芯片，采用60nm制程的内存与现在市面上的内存相比工作电压更低，性能则更高。

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