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标题: Intel准备相变储存技术 [打印本页]

作者: patrick47 时间: 2007-3-8 16:26
标题: Intel准备相变储存技术
　Intel今日宣布，计划在2007年上半年出样90nm 128Mbit的相变储存颗粒，而量产则将会在2007年年底开始。这种新的相变128Mbit储存颗粒最大的特点就是可以提供高达1亿次的循环寿命，折合下来大约使用时间可以长达10年。

　　这种相变储存颗粒除了具有超强的寿命外，写入和读取速度也十分惊人，预计可以取代很多系统中的RAM。当然，这种储存颗粒最大的目标是取代现有的NOR闪存。

　　相变存储技术是一种采用了特殊材料作为存储介质的存储新工艺，该工艺一改通常靠改变电相位实现存储目的，而是通过改变存储材料的内部结构达到存储目的，其潜在性能优于普通的闪存工艺，所优点包括：提供了更快的读写速度，具有反复使用功能，以及向单个存储地址写入的能力。尤其是相变存储技术内在的灵活性优于目前正在应用中的其它任何非易失性存储器技术，决定了该技术具有很强的前瞻性。尽管当前该技术处于前期开发阶段，但其所具备的多种优势决定该工艺前景光明。

　　看来我们又要经历新的储存设备革命了。

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