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标题: 韩国研发8nm 1Tb闪存单元 [打印本页]

作者: sharptime 时间: 2007-3-15 08:55
标题: 韩国研发8nm 1Tb闪存单元
据《韩国时报》报道，韩国科学家已经成功研发出世界上第一个8nm非易失性闪存单元，可以此得到1Tb容量的闪存芯片。

韩国高等科学技术学院电子工程系的Yang-Kyu Choi教授指出，这一成果主要利用了硅氧化氮氧化硅(SONOS)和纳米线技术。研究人员在硅纳米线上放置了多个ONO层(氧-硅-氧)，以此作为闪存内的电子通道，最终得到了三维、8nm、1Tb的闪存单元。在得到这种存储单元后，就能用来构建阵列，最终成为计算机芯片。

凭借这种技术，人们可以在手指纹大小的闪存芯片内存储100万张高清照片，或者50万首MP3歌曲，或者1250部DVD电影。

三星电子目前已经造出了40nm的闪存单元，而这种新的8nm闪存单元将其体积缩小到了1/5，存储密度则提高了25倍，不过距离实用还有很长的路要走，估计得10年左右。

作者: tigea 时间: 2007-3-15 11:59
硬盘将成历史，闪盘引领新潮流。

作者: gzeasy2006 时间: 2007-3-15 12:48
:funk: :funk: :funk: :funk: :funk: :funk: :funk:

作者: 89度热水 时间: 2007-3-15 16:34
+活跃~~~~~~~~~~~~~~~

作者: deislerkk 时间: 2007-3-15 16:46
留言，木想法w00t)

作者: 89度热水 时间: 2007-3-15 16:48
还我头像来！！！！！！！！！！！

作者: 89度热水 时间: 2007-3-15 17:04
我要头像！！！！！！！

作者: 89度热水 时间: 2007-3-15 17:06
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