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南科DDR3获英特尔认证
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作者:
maozhenyang
时间:
2007-5-17 20:09
标题:
南科DDR3获英特尔认证
工商时报 2007.05.17
【范中兴╱台北报导】英特尔在官方网站上公布的最新资料,目前DDR3 800/1066MHz DRAM已获得认证的内存芯片厂商包括尔必达(Elpida)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、奇梦达(Qimonda)、南科(2408)及三星(Samsung)。DDR3预期明年下半年开始大量使用在计算机上,2009年成为DRAM主流。
制程转换明年量产
目前获英特尔认证的产品,尔必达、奇梦达以及南科的DDR3均为512Mb;海力士与美光的DDR3均为1Gb;三星电子则同时包括512Mb与1Gb。
三星也宣布,该公司计划在本季稍后开始量产DDR3芯片,DDR3的频宽比目前最高速DDR2的2倍,数据传输速度最高可达1.6GHz。
南科在去年就展出DDR3,不过目前还没有量产计划,由于DDR3的电压只有1.5伏特,须使用70奈米制程生产,良率才能达到理想水平。
南科年底转换制程到70奈米,因此DDR3量产时间会在明年,但真正大量生产要到2009年。
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