DDR2内存应用技巧指南——DDR2设置方法

mm1118

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　　内存的性能取决于两方面：频率及延迟。即使频率再高，如果延迟时间不理想，其实际效率依然不会出色。那么如何才能找到频率与延迟的黄金分割点呢？这就要要看所搭配的处理器外频及系统前端总线的频率。

　　AM2处理器内置了内存控制器，这样做的好处是可以大幅度的降低传输延迟来提升内存工作效率。而AM2内存的外频统一为200MHz，HT总线频率为1GHz。那么其适合搭配的内存为DDR2-800，低端的单核心速龙与闪龙处理器则默认搭配DDR2-667。

　　要想在AM2平台使用好DDR2内存其实并不是件容易事，因为内置内存控制器的兼容性与性能不能兼得。想要让高频内存稳定的工作在AM2平台需要将其参数细心调校，否则您就要忍受蓝屏的烦恼了。

　　那么关系到系统稳定的参数究竟有哪些呢？该如何设置呢？本文将一一问您解答。

　　PS：不同平台下具体参数的命名方式不同，这里我们以DFI LanParty NF590 SLI-M2R/G主板为例并尽量将其可命名方式注明，方便广大读者参考。



　　1、1T/2T Timing（Command Per Clock（CPC））

　　Settings=AUTO、1T（Enable）、2T（Disable）

　　这是内存中最重要的参数，但很多时候它并不在内存时序中存在，更多是把它放在频率后面。有些主板称之为Command Per Clock（CPC）

　　影响：主要影响稳定性和带宽，性能影响其次。

　　建议设置：1T

　　说明：如果选择2T舍弃性能求更高频率的话，要看频率能高出多少，如果不超过50MHZ的话那徒增发热之余还降低原有性能。不过选择2T是在混插不同品牌及型号的内存时增加兼容性的一个好办法。不少主板为保证更好的兼容性将其默认设为2T，您可以根据自己手中内存的体制来试着让它尽量工作在1T下。

　　2、CAS Latency Control（tCL）

　　Settings = Auto、3~6（步进为1）

　　这是最重要的内存参数之一，通常说明内存参数时把它放到第一位，例如4-3-2-5@500MHz ，表示CL为4。通常3可以达到更好的性能，但5或以上能提供更佳的稳定性。

　　CAS表示列地址寻址（Column address Strobe or Column address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row address Strobe）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从 CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。

　　影响：主要影响稳定性和性能，轻微影响带宽

　　建议设置：3、4和5

　　说明：并非数值越大越好，不少内存的CL设置在6时无法工作。但像镁光颗粒的内存在设置6时最为稳定且频率提升最大。CAS=3现在随着内存工艺和制程的改善也有不少DDR2-800以上内存可以选择。

　　3、RAS#to CAS# Delay（tRCD）

　　Settings = Auto、2~6（步进为1）

　　这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如4-3-2-5@500MHz，表示tRCD为3。

　　该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3或4甚至5、6。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上且达到更佳的性能，在内存不稳定时可以尝试提高tRCD 。

　　影响：主要影响带宽和稳定性和性能

　　建议设置：2~5。2能达到最高性能，为追求内存稳定或超频使用可设为5或6。

　　说明：大部分内存在设定为4以上时会改善不少稳定性。

　　4、Row Precharge Timing（tRP）

　　Settings = Auto、2~6（步进为1）

　　这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如4-3-2-5@500MHz，表示tR为2。

　　tRP用来设定在另一行能被激活之前RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4甚至5、6。

　　影响：主要影响带宽和稳定性

　　建议设置：2~5。2为最佳性能，为追求内存稳定或超频使用可设为5或6。

说明：一般情况下，TRP相对可以调整比TRCD相等更小的参数。

　　5、MinRAS# Active Timing（tRAS）

　　Settings = Auto、1~18

　　这个是说明内存参数时排到第四位的数值，例如4-3-2-5@500MHz，表示tRAS为5。

　　这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置通常是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果 tCL和tRCD分别为4和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为9。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。

　　事实上tRAS是极具争议的一个数值。很多人认为00（目前需要借助软件调节）、01、05或者10是最快最稳定的。但这也未必对每个用户都适用，它根据内存体制有所不同。

　　影响：轻微影响带宽性能，在部分内存上主要影响稳定性

　　建议设置：1~10。

　　说明：此项参数对于一些内存（如采用尔必达颗粒）来说非常影响其极限频率下的稳定性，但是有些内存（如采用镁光颗粒）可以调整至0都稳定如初。

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6、Refresh Period Time（tREF） 　　Settings = Auto、3.9us、7.8us、15.6us。（us为微秒）步进为非固定值。 　　这个参数是用来设定刷新的间隔时间，除了Auto选项，还有非常多的选项可以选择。Auto表示根据内存的SPD信息来设定，通常是一个很慢的值，为了保证最好的兼容性。数值越高表示性能越好，最高可以达到15.6us，但太高的值可能导致内存数据丢失，因此我们可以一点一点的增加来得到最理想的数值，前提也是系统足够稳定。 　　另外根据早期的DDR内存资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。每个bit都能随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6us×2048行=32ms 。 　　影响：轻微影响稳定性和内存带宽，对不同程序不同的设定性能上有一点影响 　　建议设置：根据经验，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，过低会降低内存带宽。 　　说明：此值虽然影响稳定性不大，但是不同的程序用不同的值运行会有不同效果，例如跑Super PI 1M等占时小的程序通常用3.9us，而在跑32M等占时长的程序选用15.6us。 　　7、DRAM Bank Interleave 　　Settings = Enable、Disable 　　这个设置用来控制是否启用Interleave模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。实践表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。然而，Interleave模式只有在出现连续的不同bank的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启Interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持Interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。 　　影响：主要影响带宽和稳定性，对性能影响其次。 　　建议设置： Enable。设置为Disable会严重影响带宽。 　　8、IdleCycle Limit 　　Settings = Auto、0~256（步进不定） 　　这个参数表示强制关闭一个内存页面前的MemClock数值，也就是读一个内存页面之前重新充电的最大时间。 　　影响：轻微影响带宽，主要影响稳定性。 　　建议设置：普通内存建议使用Auto。挖掘内存性能建议尝试0-16。绝大多数内存可以稳定运行在0。 　　9、Dynamic Counter 　　Settings = Auto、Enable、Disable。 　　如果开启这个功能，系统迫使每进入一个内存页面之前调节内部周期限制。也就是说这个参数和前一个IdleCycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉IdleCycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。 　　影响：根据内存芯片不同而适当影响内存带宽和稳定性 　　建议设置：通常Auto就是Disable。开启后能提升少许性能，关闭后系统更稳定。 　　10、32 Byte Granulation 　　Settings = Auto、Disable（8burst）、Enable（4burst）。 　　当必须选择突发计数器时并且是32字节的访问时，这个参数可以优化数据总线的带宽。关闭后达到最佳性能。 　　影响：轻微影响带宽，主要影响稳定性。 　　建议设定：大多数情况下，Auto和Disable都是8burst。不过还是建议设为Disable，不稳定就设为Enable（4burst）。 　　除此之外，还有终结电阻阻值、驱动控制器电压、脉冲信号强度等其它相关设定。但由于其实际作用并不突出，对超频的帮助目前远没有增加电压和调节参数效果明显。因此建议大家还是选用默认的Auto为妙。 [NextPageIntel平台设置方法] 　　Intel的内存控制器整合在北桥芯片中，它的内存兼容性明显优于AM2平台，因此其提供的可调节参数选项也较少，没有首命令执行选项（1T/2T Timing（Command Per Clock））等。这大大方便了用户但对于喜欢动手将平台内硬件的性能挖掘到极致的骨灰级玩家来讲不得不说是个遗憾。因为过少的参数选择就会阻碍他们对于内存超频或延迟优化时的性能提升潜力。不过最新推出的nForce680i芯片组解决了这个问题，虽然可调节参数不如AM2平台丰富，但至少比Intel自家的P965、i975X等平台照顾的全面些。 P965板王P5B-Deluxe中内存参数 680i板王Striker Extreme中内存参数 　　虽然其BIOS中的选项较少但Intel平台下优化内存还可以借助一个非常强大的内存参数调节软件MemSet来完成对内存延迟的设置。 　　MemSet中的参数命名与AM2平台下不尽相同，我们只要调节前6项就可以很好的优化内存了。其余的参数对性能影响微乎其微，但稍做改动就有可能直接重起，因此建议参照AM2的设置方法调节前6项中的数值。 　　其中tCL就是AM2平台下的[2、CAS Latency Control（tCL）]；tRTC为[3、RAS#to CAS# Delay（tRCD）]；tRP为[4、RowPrecharge Timing（tRP）]；tRAS为[5、MinRAS# Active Timing（tRAS）]；RMS为[RefreshPeriod（tREF）]；而Page close ldle Timer则为[8、IdleCycle Limit]。 　　总之，内存参数设置时很多值都是越大越稳定而越小越出性能，笔者建议读者们多加尝试。如不满足内存的现有工作状态，可以适当在主板BIOS内提升内存电压。由于DDR2采用先进的FBGA方式封装，因此即使电压达到2.3V依然可以稳定工作。但还是希望大家能为优化或超频后的内存做好散热工作，有条件的可以给内存外加装散热片。这样一来可以散热，二来可以保护FBGA脆弱的芯片且最大化屏蔽机箱内的电磁干扰，使内存能更稳定的运行。 　　需要使用MemSet 3.0的朋友可以下载此附件MemSet.rar（PS：该软件目前已支持最新的P965系列）。

s731

不错.需要顶........................

ljlxl

不错，哪儿转的？

吞日传说

签个到……:huh:

cmj2000

是从哪儿转的啊？说一说！

Heng

恩，还好，记录一下

lwzx

顶........................

jiff3

不错。:loveliness: :loveliness: :loveliness:

rocky.yan

好东西，辛苦你了

shike_cuke

看看。。。也来学习学习

star_wrx

路过。。。。。。。