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标题: 音频用的电容到底讲究的那些参数？ [打印本页]
作者: zifzhu    时间: 2007-8-19 09:30
标题: 音频用的电容到底讲究的那些参数？
看来看去都是些rubycon之类的铝电解电容。照理这种电容在现在应该一无是处了，怎么还用的这么多？& K- R: }8 P5 i5 N5 e3 e
最近自己的项目正好要用到一些大容量的mlcc。ESR可以低到5m ohm！！！高频特性也是很棒。还可以买到一些kemet t530的钽电容，这应该也是代表当今钽电容的最高水平了，esr也可以到5m！！！不过都好贵，好几十块钱一个。不知道用这些东西来摩一下我的DAC会怎样？
作者: zifzhu    时间: 2007-8-19 09:37
X5R的MLCC
: E) T! c7 y' }8 w  R[attach]776524[/attach]
0 R: y/ [& y+ K+ n* ]
8 |) l& F; O2 A, p. g6 e. Z' B1 Gkemet T5303 S: a( Y0 d; ]0 _$ J
[attach]776525[/attach]
作者: sd-iori    时间: 2007-8-19 09:40
我只知道是频率方面好，，其他都不清楚，，:charles:
作者: 酷风    时间: 2007-8-19 23:43
参数似乎太多太复杂……
5 u4 H. B, h, I: nESR是一个，漏电率也是一个，不同频率下的ESR和漏电率与时间对应的曲线也很重要……
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-20 10:20
楼主你的5 毫欧ESR的电容不知道..容量有多大喔.9 t, f% k% a0 g' F

& G# A; d- D" ~* \能用在声卡上?  几十元也贵了些.不如用一,两元钱的OSCON   ESR也只有几毫欧.8 Z+ J. Q7 q) T1 \$ E2 ]

( R/ G8 ]6 [; C  J* c+ [8 u' ~+ p3 t对了.DAC 电源是线性电源.频率为120HZ.   你要注意在120HZ下.ESR 会特别大的.: D4 o5 z* p; @; L5 s. L/ \
& ~) d+ `9 H, }* _7 }, {
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-20 10:22 编辑 ]
作者: 一生相随    时间: 2007-8-20 10:28
低阻:thumbsup: 低损耗高稳定:thumbsup:
4 T" w8 _. |7 ?好几十块钱一个:ph34r:
# P5 p% a  c, a- k难怪看来看去都是些rubycon之类的铝电解电容。:shifty: :shifty: :devil: :devil:
作者: zifzhu    时间: 2007-8-20 17:55
原帖由 酷风 于 2007-8-19 23:43 发表 3 ^+ D3 b; t* p: X( x
参数似乎太多太复杂……+ D1 P# j8 T! u- q3 [# k8 R
ESR是一个，漏电率也是一个，不同频率下的ESR和漏电率与时间对应的曲线也很重要……
3 n9 t7 P0 O# c- l0 x) B9 B
铝电解的漏电率应该是很差的，跟钽电容和陶瓷电容没法比。钽电容在音频区的响应一向都不错，钽聚合物电容的频率响应就更好了。7 C7 C  d8 D7 j
mlcc的高频非常的好，几十兆几百兆都没问题。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-20 17:58
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-20 10:20 发表
4 o) ~0 s" W# a3 h, C) N  \4 K楼主你的5 毫欧ESR的电容不知道..容量有多大喔.
6 @. c+ B) b5 z: P
9 |" l) _7 M0 s, _0 y能用在声卡上?  几十元也贵了些.不如用一,两元钱的OSCON   ESR也只有几毫欧.
* L( k% ?8 J' y+ c& r: M2 S/ }8 F# ?2 P* c! H
对了.DAC 电源是线性电源.频率为120HZ.   你要注意在120HZ下.ESR 会特别大的.

4 C. W4 M& m( u" I9 K1 ?/ d! Rmlcc可以到100uf，钽聚合物的可以到1500uf。其实OS-CON也是很不错的，就是体积大了点。印象中好像os-con到不了5m，一般都是10m-30m。
作者: 酷风    时间: 2007-8-21 12:27
原帖由 zifzhu 于 2007-8-20 17:55 发表
& j6 O; O9 O6 W1 s
+ f1 q! ^% m5 b0 x铝电解的漏电率应该是很差的，跟钽电容和陶瓷电容没法比。钽电容在音频区的响应一向都不错，钽聚合物电容的频率响应就更好了。9 H" u; T1 T) z. g% t2 X# d* F0 O, h
mlcc的高频非常的好，几十兆几百兆都没问题。
. `$ X2 z9 e! w# V
那么不同频率下的放电时间曲线呢？
作者: myf94    时间: 2007-8-21 13:09
原帖由 酷风 于 2007-8-21 12:27 发表
. t# g$ d/ X) ^+ w2 i/ D) v6 t! e- T7 L& v& S
那么不同频率下的放电时间曲线呢？
5 @2 a1 J9 n- h; o$ g
4 m5 o6 ]2 Z9 R) G2 G( w
. H% B; q: x/ n
并不是某一个参数的高就能把声音做好的。。
1 `: c/ d4 c% U3 F/ z! C要个个参数综合起来衡量！
作者: gearedbyby    时间: 2007-8-21 13:18
原帖由 zifzhu 于 2007-8-19 09:30 发表 . X, u1 x" |+ t0 D% w+ z
看来看去都是些rubycon之类的铝电解电容。照理这种电容在现在应该一无是处了，怎么还用的这么多？5 @3 {7 `; w+ o+ q1 s! e7 l; V
最近自己的项目正好要用到一些大容量的mlcc。ESR可以低到5m ohm！！！高频特性也是很棒。还可以买到一些kemet ...
% p2 Q/ E; i9 E3 D; g* W; A( E& v+ M
: j9 {: }1 v3 U- J. [
音频管你啥esr不esr的,都是拿来偶合用,又不是电源滤波,电子管失真还大,大家听得还爽,就是看一些不可测的非线性失真
. ^; M  Z+ s6 r; I# m  ~你越精确了,越没意思
作者: zifzhu    时间: 2007-8-21 13:34
原帖由 酷风 于 2007-8-21 12:27 发表
$ m3 m9 w8 h" i7 U; H+ _
) g5 r7 p8 ~  R' t5 X+ w那么不同频率下的放电时间曲线呢？

  ^, w$ X" Y# i1 S5 ?7 V3 c放电时间应该就是取决于容量，ESR，ESL。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-21 13:41
原帖由 gearedbyby 于 2007-8-21 13:18 发表 7 z( }1 r  x8 W3 m3 b& ]

& Z! g4 I. W& B' g4 l3 X2 s5 H9 A5 `- w) G$ p1 d
音频管你啥esr不esr的,都是拿来偶合用,又不是电源滤波,电子管失真还大,大家听得还爽,就是看一些不可测的非线性失真
  G* h6 W& w" m: @) M: t你越精确了,越没意思

# c" r; N/ h' v0 e) H; c( D3 [% ]* Uhi-fi=high fidelity。lo-fi的话，我想应该是没有前途的吧:lol: " u  Z& f% ^  w( D+ m
电子管的好声个人认为是由于甲类+高电压+输出变压器造成的，对喇叭的驱动能力比较强。失真应该是胆机需要克服的问题，而不是优点。
作者: gearedbyby    时间: 2007-8-21 13:53
原帖由 zifzhu 于 2007-8-21 13:41 发表 1 e3 j  }# [. _: U* }8 q* K. d' A
* A( ?' C2 {0 l
hi-fi=high fidelity。lo-fi的话，我想应该是没有前途的吧:lol: 1 _. P. @' @- W5 y; o
电子管的好声个人认为是由于甲类+高电压+输出变压器造成的，对喇叭的驱动能力比较强。失真应该是胆机需要克服的问题，而不是优点。

2 ?# J3 F% R+ \7 Y1 [& ^4 {' N2 y) l; T) ]# H
laf& \: K$ `" N7 N- j
, ?8 x( ~' s, o) W3 _: M% V# V
貌似大家都这么说,你理解比较独到
! \, O% W: P6 `8 L/ T/ E8 u3 U1 Z: k/ b
电子管功放产生的谐波多为偶次谐波，而晶体管功产生的多为奇次谐波，这其实都是功率放大产生的失真，但是人耳对谐次偶波的泛音是比较欢迎的。在描述电子管功放的声音时一般会用“温暖、圆润”来形容，而描述晶体管功放的声音时一般会用“冷峻、硬朗”来形容。电子管功放的动态效果往往不如晶体管功放，因此更适合于音乐欣赏，而后者的优势在于大动态时的回放。除此之外，很多功放都采用了“前胆后石”的方案来综合它们的优点。电子管功放产生的谐波多为偶次谐波，而晶体管功产生的多为奇次谐波，这其实都是功率放大产生的失真，但是人耳对谐次偶波的泛音是比较欢迎的。在描述电子管功放的声音时一般会用“温暖、圆润”来形容，而描述晶体管功放的声音时一般会用“冷峻、硬朗”来形容。电子管功放的动态效果往往不如晶体管功放，因此更适合于音乐欣赏，而后者的优势在于大动态时的回放。除此之外，很多功放都采用了“前胆后石”的方案来综合它们的优点。
: F9 u  n9 T9 c0 c# c4 c- c; I& d, ~. {* N2 P0 P" P% E
我不知道你懂不懂,变压器那玩意高频特性不是一般的差,要是那玩意能提高音质,为啥晶体管都直推,巴不得电容都不用,直流偶合最好,为啥你不见大家都在接个变压器来改善改善,电子管是输出阻抗太大了,推力太小,没办法,只能变压器阻抗转换下,你还当宝了
作者: zifzhu    时间: 2007-8-21 17:40
原帖由 gearedbyby 于 2007-8-21 13:53 发表 ) [2 ^% I$ W. Z/ M- R) o3 {4 ~

' X. ?( z- H7 h) l: j7 ]# l3 v4 @$ z0 z( t( a& I( T: F
laf
! p* {) E8 T4 Z9 ^- }7 v" M
/ ]1 N! m: \+ o( K' p6 r7 y貌似大家都这么说,你理解比较独到
5 M+ H; z6 S/ ^3 g: U
: V3 _! e0 o5 u0 \6 Q8 V7 c; O电子管功放产生的谐波多为偶次谐波，而晶体管功产生的多为奇次谐波，这其实都是功率放大产生的失真，但是人耳对谐次偶波的泛音是比较欢迎的。在描述电子管功放的 ...
- [$ q" s! |! E; d
这只是我的理解而已，而事实上，胆机为什么声音好到现在为止也没有定论。这种谐波加味精的说法早就有了，只是我一直不敢苟同。
8 R/ E/ g% k- R' s9 j$ a2 W
4 V" f8 J$ v9 P  u7 U4 G: p现实上，在多极放大器的结构中，前胆后石已经是被证实对音质是没有多大帮助的。也就是说，前端放大倍数高的电子管导入了很多电子管的失真，但这些味精并没有对音质产生很好的影响。
3 b; v1 z0 A: \8 I另外，扬声器不是一个单纯的电阻性负载，而是一个电感型负载。不但可以把电能转化成动能，也能把动能转化成电能。动圈式扬声器和动圈式话筒的结构几乎都是一样的。在放大器工作的时候，用手去推喇叭的音盆，可以测量到放大器输出级电流的变化。而甲类输出的大电流和输出变压器的次级线圈在某种意思上减弱了这种影响。
' p0 z" G3 i' G" L/ |, t" g事实上，晶体管的甲类放大器的声音也比较暖，这和胆机是比较类似的。而且，偏置电流越大就越好声。所以，我是不太认为失真大的声音好，还是高保真会好一些。:p
作者: HerculesVR    时间: 2007-8-21 20:33
C = Q/V  ->  unit of capacitance + i- |" k" Y. u( o& r6 Y3 Z

4 `: H* R3 L% H7 |- @( uThus I=dQ/dt
4 k' D' |% V  g  w! b7 h8 f8 v7 Y) n. i0 @
so I ＝ dQ/dt = d(CV)/dt = C*dV/dt
, H& J) r4 A; O; T1 O* k
$ a8 \. o6 L  a& K: B. ltherefor V ＝1/C『Idt
5 R2 S! h2 _* y' l# w- J3 G  H& l7 n" R0 r

0 S, T) r, _: p% `' z0 ^& qbasic analog circuit technology:loveliness:
作者: HerculesVR    时间: 2007-8-21 20:38
标题: 回复 #15 zifzhu 的帖子
赞成 ，老何 也这么说··哈哈··· 做功放 电子管作不过晶体管的:loveliness:
作者: sonicxz    时间: 2007-8-21 21:04
ESR 5O的话，固体电容也可以$ K/ p  U) }- A3 [+ E) @
其实不用研究这个，直接在个品牌的音频电容里面选择就可以了8 C# {% K% q7 M" C: N& S
还有个问题，貌似音频电容极限温度下寿命都不是很长，都1000－2000小时:funk: 85度
作者: 酷风    时间: 2007-8-21 22:04
原帖由 zifzhu 于 2007-8-21 13:34 发表 / e2 g, Y' }7 z$ h* D& h5 ]) o9 r

% \1 z* y- M7 D: E3 E& o1 A2 }' J放电时间应该就是取决于容量，ESR，ESL。

% ^3 C0 |/ }5 T不同的频率也完全一样？如果是这样，就不存在音频电容了
作者: zifzhu    时间: 2007-8-21 22:46
原帖由 酷风 于 2007-8-21 22:04 发表 / A0 l* O* Z8 n/ W5 k
% d' }$ j+ ~7 k0 J/ n3 s3 L
不同的频率也完全一样？如果是这样，就不存在音频电容了
( Z9 n/ D" z4 ^
在不同的频率下，容量和ESR，ESL等参数都是不一样的。下面这张图就是kemet t530的容量/频率曲线和ESR/频率曲线。对比的是t491，t491是普通的钽电容，但就算是普通的钽电容，频率曲线也比普通的铝电解要好很多。普通铝电解的容量一般到1k以上就开始下降了，而在这张图里我们可以看到t530在100k以下容量都基本没有下降，而esr在10M以下都是维持在10m ohm以下的。所以这个频率特性应该是非常的适合音频耦合用的。
$ y+ T/ X* a; F9 i: D[attach]777455[/attach]
作者: zifzhu    时间: 2007-8-21 22:50
原帖由 HerculesVR 于 2007-8-21 20:38 发表
* f: d: O) J7 G. \0 ?) _6 d$ _' h赞成 ，老何 也这么说··哈哈··· 做功放 电子管作不过晶体管的:loveliness:
7 ~* Z8 j/ O* ?& [9 q- ?
老何是谁:huh:
作者: zifzhu    时间: 2007-8-21 23:03
原帖由 sonicxz 于 2007-8-21 21:04 发表 2 r9 i+ R& M* e) L4 ^7 m; ~
ESR 5O的话，固体电容也可以- o: g% \/ e  `' o% v
其实不用研究这个，直接在个品牌的音频电容里面选择就可以了: V$ P% L  `1 I% _+ w. S
还有个问题，貌似音频电容极限温度下寿命都不是很长，都1000－2000小时:funk: 85度

* s( Y- _. W, X! Q不是5Ohm，是5mili Ohm。:p
: P/ w8 W+ o1 c0 V4 m: ^% E2 o铝电解的确是耐不了高温，因为介质是电解液。固体电容如铝聚合物，钽，钽聚合物等基本上都可以到125度。
作者: HerculesVR    时间: 2007-8-22 01:31
如果追求参数 就利用电容的公式计算！当然，预选电容的参数要了解（这个参数可以用音频分析仪检测或者厂家有PDF）6 C, B+ _8 Z8 p9 K: R! `
4 C# }/ n. z* ^7 C2 T
老何 就是 何kingwa呀
作者: ihf    时间: 2007-8-22 02:52
我一直都认为直通最好，非要耦合的话自然也是高性能的元件好，失真是越小越好，原汁原味的还原才是正途，被过分修饰过的音色惯坏的耳朵，说不定哪天花大钱去看现场演出时还会觉得听不入耳呢～～～:p
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-22 14:51
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点，可以说我从来没觉得电子管好听过。
  e* b! `4 [# {& ~6 \7 ^4 Mw00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术，说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。+ Z4 x7 U# X2 s7 S, f: R7 ?: O

0 K& t! Q- n& v' z$ Q  x+ q, [至于耦合电容不要太过于关心ESR。因为音频电容FOR AUDIO一般是指TAN&介质损耗低的电容。可以参考NICHICON   MUSE系列。
# W/ }8 _& w% b" g  L% _FW FG KZ系列的参数对比。KZ的损耗最小。在交连中，ESR作用不大的
作者: gp2000us    时间: 2007-8-22 15:06
这是不同的音乐追求，有的人认为摔玻璃的还原能体现器材，可是人们买器材不是为了去听摔玻璃的
3 i) d/ F# x6 X  E电子管重的是种韵味， 或者对于中年hifi迷来说 更是种回忆  就和我们现在再看电影板变形金刚一样2 h+ @7 L/ {8 o
140DB 动态的大录音制作室 是制作还是回放，如果是回放 我们在把音量开到最小的信号能够听清楚的前提下 就是最小的信号24分贝 最大的信号是164贝 如果不压缩动态  那么超过人类对声音可闻的最大极限-130dB 还要多34db这是享受音乐吗
作者: gp2000us    时间: 2007-8-22 15:08
CD的数据格式和声乐参数对于大多数讲究音乐性的音乐足够了， 这是25多年来被大家接受并认可的，存在皆合理把， 否则早就要改了
作者: zifzhu    时间: 2007-8-23 12:36
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-22 14:51 发表
5 f. ?  ]; Z8 w5 }) x  b! i4 u我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点，可以说我从来没觉得电子管好听过。% l' W$ v' ]) G. j& K; [; Y( ~0 ^
w00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术，说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。$ f% x3 u  m) I) I8 O( l8 D; W1 h

6 t) R  g6 M, Q, `6 N: v! e至 ...

4 X4 z% b/ t' t& l) z查了一下介质损耗的资料。好像就是ESR除以容抗。
3 o1 N2 p- [: o7 |0 g( U; ^+ @9 y- q! s4 ^, E' V
Dissipation factor is measured at 120 Hz, up to
" w- z7 J9 F. d1.0 volt rms maximum, and up to 2.0 volts DC8 {% ^6 y$ z9 P" x+ Y
maximum at +25°C. The application of DC bias; u, N* i$ h! `7 {
causes a small reduction in DF, about 0.2% when: k$ D" s2 E- y$ m  [) n* [% }% ?
full rated voltage is applied. DF increases with; ?. r6 Q! T3 H* S% y
increasing frequency.
" f* [% ^6 ~: u* @2 ~$ x
" h. [) R- @$ X; U  p( }8 m8 iDissipation factor is a very useful low frequency. G  R. y5 \2 [7 Y% ?5 O% `4 i
(120 Hz) measurement of the resistive component' }  ^5 o. z* O" m3 }( O
of a capacitor. It is the ratio of the equivalent series3 M; i3 i* B# Q
resistance (ESR) to the capacitive reactance, (XC)% f7 _6 Y5 C' @0 z
and is usually expressed as a percentage. It is+ {; h6 `/ O5 m
directly proportional to both capacitance and frequency.
1 J. I  g1 x+ n  K' p  ^  VDissipation factor loses its importance at# H8 b7 y) N+ ~8 Z: v
higher frequencies, (above about 1 kHz), where
& A" F3 ^, G9 e) Himpedance (Z) and equivalent series resistance, j' x- M5 ^0 k! f
(ESR) are the normal parameters of concern.  }' p- J$ B1 p6 c  t
3 W. M, `# F. Z- N% Q
DF = R/XC = 2pifCR8 {" ~  r. E3 b" J7 m$ o
DF = Dissipation Factor
1 J$ F& D) l: uR = Equivalent Series Resistance (Ohms)0 Z( q& a9 c2 N1 L
XC = Capacitive Reactance(Ohms)  k: ?# Q( F! N, v3 I8 Z
f = Frequency (Hertz)6 y* o/ r8 ^1 {- u7 J4 F
C = Series Capacitance(Farads)
4 O/ U$ ~, ^$ S! J
$ m, D: o" ?2 aDF is also referred to as tan  or “loss tangent.”
0 S3 f% G2 n, X% B5 S3 W: S) sThe “Quality Factor,” “Q,” is the reciprocal of DF.. F6 l' m& [, _' u5 W
DF decreases with temperature above +25°C and6 R! R' z5 Q* Z, J7 w& _( s! W
may also increase at lower temperatures.+ O5 v" Q, s- M, H* B- R$ c. _8 S0 a$ W
Unfortunately, one general limit for DF cannot be
) h8 b2 Y! g8 ^$ x# N1 W, cspecified for all capacitance/voltage combinations,
: q1 n( B! u2 N- x, Knor can response to temperature be simply stated.9 v# @9 R  A" S% h, Z  [( B
DC bias is not commonly used at room temperature,0 J" F4 W  B1 @3 a) L
but is more commonly used at elevated temperatures.
作者: zifzhu    时间: 2007-8-23 13:20
Dissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢？个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧铝电解挑这么一个参数来作为主要参数呢？实在是因为这个参数最容易做的好看了，铝电解一旦超过1kHz后，容量和ESR就残不忍睹了。
: O: S  ~8 r) g% L8 c! G感觉那些日系发烧铝电解的厂家的确比较会“忽悠”。但愿没人拿这些电容去做耦合用。
作者: HerculesVR    时间: 2007-8-23 16:07
标题: 回复 #29 zifzhu 的帖子
正常人好像没有用 铝壳做耦合的···# E7 q3 l9 a# y6 p" ^$ c& U
' m& m9 B# F( I- R
一般都是低频电解或者铜箔，高频薄膜或者云母乜··" \5 h) D/ i& g1 M

3 b% l) s1 ?; U/ |# b, \4 b) \
- E  S/ l/ g) m0 p2 q- m) I反正人家能忽悠到钱，这也是本事···:loveliness:
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-23 16:33
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 13:20 发表
' p' p5 W- F9 E/ R$ yDissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢？个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧 ...

; `2 U+ T, V4 J$ H: x. |5 n: l2 Y) _* Q
1 T0 Q( d2 n. Y! [. A& G1 q' p
介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。/ J3 D: s. I- k4 c: I8 W+ U8 M

: q& t9 `% M/ d. m+ ~
& c) H. Z8 j" x) ]* `1 a* h固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。' N- w' ~; a$ D- Z% o1 y
9 v7 O! l4 T& a8 R% o" e
相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。9 F6 h- k3 |" w* @( N; c5 H/ |9 j  P

3 f+ ?) K0 R' T聚合物是指无机盐。不是铝聚合物。oscon  新型号都是采用导电型高分子阴极材料。
' w) s# M3 w+ v! o6 S
& @& z7 ~/ D6 C  d) U/ i3 U6 H/ y6 K' A6 `/ S0 t7 D
这些电容性能好，容量大，但是还是比不上MKP3 M8 g5 U9 z: Q& m2 m3 u

" k* R( H) e7 j0 O0 N* kMUSE 顶级的KZ 系列。最低介质损耗的才是100V 耐压的是0。07  . p) O0 }. Y1 S& Z
随便一只MKP也可以做到0。03%  就是0。0003
/ n5 C1 d  ^0 o1 Y* d5 Q. d
# s/ N7 {  I% b$ P" q% v( o% F这个是耦合电容最明显影响效果的。ESR IRAC只有在滤波的时候才影响，而且DAC 这类工作电流十分地小。纹波电压=电流*ESR
; `& q/ I+ a5 x  \/ H+ Z; i* }9 x8 ?: J/ M! O5 e
所以对ESR电容要求并不高。。电流太小了。。。
* j) }2 q3 D9 u# d/ E" E) R: w3 l: q2 ~* @* c
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:38 编辑 ]
作者: zifzhu    时间: 2007-8-23 17:38
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表 ; K- @6 k, g( x& P2 `1 `

* b- W& ]( b  ?0 a0 `7 z# C: X3 r9 H1 s1 d( v# P0 b
1 i. ]# D- g8 i3 U$ M( B$ N
介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。
4 q& {" O! }* C6 }6 o/ x8 v
# C! n( v1 W2 P; h1 n" K1 B( h4 x! @  Z6 B1 U
固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。1 ]+ x0 }( ?7 I$ {, Z
; i4 ]" C3 ]% B/ Q: x1 C5 d
相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短 ...
( q- c) D9 a4 Q# j. n' V" @
介质损耗是一个参数，就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/standard/edit/UploadFile3/2007326194258871.pdf
# ^$ G4 D- u* Y* N/ P, w0 Y$ T8 ~' y8 e上面的计算公式和我先前写的也是一样的。7 S2 Z. Z5 f3 R% H

4 |; l- r+ c0 B其实，ESR=Equivalent Series Resistance =等效串联电阻，损耗本来就是等效串联电阻引起的。没有ESR的话就是理想电容器了，没有损耗。
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-23 17:55
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 17:38 发表 2 Z5 w/ ?0 r- @" C4 c% P3 R1 D. C# L
9 _& h( o) Z6 s) r4 a
介质损耗是一个参数，就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/stand ... 007326194258871.pdf+ W7 j2 r- |8 x
上面的计算公式和我先前写的也是一样的。1 }& j. I2 j- N0 v

- u8 ~) K2 {# r8 Q3 a/ o其实，ESR=Equivalent Serie ...

+ n6 W$ P/ k* `' G0 V8 b
& ~- d8 R; y) e; r$ C; u9 [; v/ ^! A/ I( Q" S2 {- ?4 g" d
没有用处的.
/ G& ^5 m" _5 v/ `
2 o9 u' L9 z: F, D  x你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.; i# O( P2 V* j" ~

! ?% R) C3 j1 L* N+ i7 |
; [  y& x* H# e; k0 O% Z: ]1 B不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.) U4 F7 P6 \5 P; D0 p! ^
6 I9 j6 ~9 l& ^7 G3 b" s, M$ D
但是他们的介质损耗都差不多是一样的.厂家直接给出了介质损耗的大小.你给出的中文PDF上面也没有说用ESR来计算介质损耗.! c; x9 M8 F$ y5 f% E; N; C

0 ^4 b; }  u" N  q
' {/ N7 _, p3 q& A0 S: ^其实最简单的你就拿HZ的电容和MUSE KZ来比较就知道了.KZ的ESR只能说是LJ电容.但是介质损耗是0.07
. O8 n  {6 Q7 Z2 y+ |1 i比最低ESR的HZ还要小.
4 z$ v6 ]7 w- I/ u7 u" B0 X: }& }/ h9 V6 S0 g
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 18:01 编辑 ]
作者: zifzhu    时间: 2007-8-23 18:13
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 17:55 发表 7 S0 j1 T/ g3 }, {; h
/ A- b: D$ A- d2 L) a, s. P
8 a3 t( J/ l! V+ Z! D

: S4 V8 I& j, e' _) G) O没有用处的.8 s7 L) ?( r) c3 h( Y- C" ^0 I; h
- |6 P- ^1 G. I9 X3 c6 k  e
你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.) @" V* S1 L( F- L6 i, |) Q5 Q

8 m* f4 M3 N" R% O( N5 a" M/ U" g
! @( k" B" F% Z' a- \5 ~. b不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.
/ A$ }5 H$ Y1 g/ P' r  ^: D/ E8 M( G6 {. E  p
但是他们的 ...
; t) x- z9 X$ d2 n$ O
介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。
作者: [MB] l1    时间: 2007-8-24 06:29
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表
, y1 J' I" s7 t& L& `0 b
& S& V7 M3 a; ~1 X/ j; x9 q固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
5 M$ ~7 |' f/ fcom"q2`* d# j3 h$ c( v8 m" r# h) R
U$K2R
5 B  K% j# q" t1 H相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。

5 t5 W6 i* |& b& l6 a  H
: b' c) K% t, e9 q' o( ]+ v: q问题是固态跟液态并非在低温下同等寿命，而是在极限温度上寿命相当，只要工作温度离允许极限工作温度有1段距离，固态寿命都会有明显优势，只不过温度越高，优势越小而已。
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 09:27
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 18:13 发表 : Z6 q& [2 A1 ^& }$ c( j3 a! u; _

/ j* f" P& g- J5 U介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。

. \& ]7 t5 g0 ]& _4 x( g4 x  x/ R3 [7 w
+ p& @# X! ~: p  L$ N. ]

. Q0 N. N3 v$ Y( c, r+ k" L8 q事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.
9 t, l  o! H' g& x2 P
. J. a8 H  ^/ Z1 r% n+ Q5 \7 \$ uKZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.
$ ]$ S' o3 ^/ ?4 |! G7 v7 @/ W9 f# e1 {! D$ c
比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主要是和电容的介质成分有关系的.你看看MKP电容介质损耗一般只有0.0003+ T  ?* `+ [. ^! ]( x0 M
/ U  D  `/ x: C# L. J* ]
比电解的0.12 左右要小一千倍.但是MKP电容的ESR却并不特别低.+ E8 ]0 g& l  Y4 ?- h
7 W. ^8 y* h% D0 B
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:29 编辑 ]
作者: sexypig    时间: 2007-8-24 10:07
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 10:42
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:27 发表
. j4 O- \- K. s, e" X4 u+ O# S9 J1 I; h

8 u( i' w3 g4 u! p- z6 f* c* f1 j9 b  \- G6 I# k. c
5 X& @# e# o7 t
事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.0 |- t- [$ Y  W# d8 p* `

' N( |, j, N5 kKZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低." W5 u6 m$ ]9 Z- i4 U0 o

( ?% u$ G/ B  P/ D5 y5 t5 d+ \比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主 ...

5 ]: v. O% C7 O1 P5 }8 V9 u3 T% C& ^
估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol:
+ X1 K* r' g' K/ J! L9 c! U/ I介质损耗是在120Hz下的。另外，介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。
% N6 m. \- Q' _/ s, w% f9 \我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数，是有公式可以计算得出的。而公式的要素就是ESR和Xc。就像U=IR一样。
1 Q, N  K6 i3 p' ]  q有可能小日本的介质损耗是指某个化学参数。如果是这样的话，那就更是忽悠的利害了。
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 11:14
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 10:42 发表
; n# H5 A) A0 I: Q# t7 Y; L% P# \, J. n& `# b3 e
+ P6 ^& s8 D5 g- l
估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol: * ~. g7 H  y  r* f) B  o
介质损耗是在120Hz下的。另外，介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。2 X- A; K: S' V
我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数，是 ...
# V# {. r, f5 d% X5 N6 K

! v! e6 q# e5 j/ V
. F) c3 Y2 Y6 Y- I- r我虽然不喜欢小日本.( U, r5 X3 _% y6 m1 Q1 ^) |; H

8 e4 T1 Z3 |8 P2 M+ K8 i, N/ H但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
; N8 S" J2 X, L- |2 A4 i7 h9 M2 o0 y( I3 Q* G7 ~$ h# Q0 `+ h
而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那我也就不想说任何东西了.
; K5 n. E* }8 {' g
8 c' J! E; `6 }6 @9 W* K9 m/ y我再三说你去看一下.NICHICON MUSE  的三个型号FW FG KZ 基本上就是按介质损耗来划分等级的.同样容量耐压下.KZ损耗最小.$ b1 M- X" t  _9 j( h: i

0 O/ G5 |! W9 Y$ M; z  xwww.nichicon.com" f7 d+ N2 ~8 k1 I, M* N

. |# A$ {  {6 B% A如果你说小日本的东西不能相信.那    http://www.evox-rifa.com/   可以在这里查BHC RIFA的资料.所有型号都有介质损耗标大小.( ~8 t  I4 `/ l0 v( W

- [: R$ O' W# E8 @4 M' k+ y8 t9 ^9 Q6 K* ?
如果你老说ESR越小.介质损耗越小.那MKP电容0.1UF的损耗也只有0.0003 如何解释呢.那ESR可能在1欧以上.
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 12:00
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 11:14 发表 # c3 q8 m2 n5 M0 M% e! A/ |, o
- b- T  ~# c/ T( c4 t0 j2 O
! l; T$ T  h/ }* m9 a- n

# {0 T* T% ^) F  N) J" v我虽然不喜欢小日本.( O6 B" [) h: y- k  C! g

& y: y3 ]2 ?8 T% ~2 P9 p2 O但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
+ r  A9 A2 |4 ]; j! b/ u; _' F9 g( n7 d6 [1 `* w4 Y: C% r* E0 O7 V( t
而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那 ...

2 t: l7 J) [0 S  K/ {# S  o9 Q- A5 w+ d
DF = R/XC = 2pifCR* Q6 [! Y# }: I$ g) @' g
' K& Y5 W/ }0 O
DF = Dissipation Factor
3 n7 N' S2 ~3 Q6 ?R = Equivalent Series Resistance (Ohms)! u. S8 X. j& w  i
XC = Capacitive Reactance(Ohms)4 {; L& J8 |  V' G# i
f = Frequency (Hertz)
% S: p3 p; ]# @5 P& u1 S* F2 uC = Series Capacitance(Farads)' s; U; X' u* v

: I* ]2 L3 S/ `5 ^9 d  Z前面已经再三的说过了，DF除了和ESR成正比外，还和容量成正比。那个MKP只有0.1u，如果1000u的话ESR还在1 ohm的话，那它的介质损耗就很高了。" o. D! f  D& f7 t

$ X- A8 `7 I: R# R/ k0 K$ d假设那个MKP电容在120Hz下的电容量为0.1uf，ESR为1 ohm的话
' i; t' y2 l( WDF = R/XC = 2pifCR=2*3.14*120*0.0000001*1=0.000075368 @; ^0 q6 e8 D2 ~% @: `1 {+ d4 x: v
这个介质损耗还是很低的。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 12:05
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 11:14 发表 * v6 e% u3 j* w# D5 s: @4 z; `
  G7 h& P8 V1 d- u' [" A6 G1 P
0 P. ]/ M* C7 `! e) r- t! I
) L' V) }) p  ]& {( l" r
我虽然不喜欢小日本.- d* Q6 f$ }, ~1 r  Y

8 d1 w. m, j$ y- X) F, j7 u但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
: C/ f3 y/ W  A) u  |. S, T0 Q6 n1 y$ g
而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那 ...

+ E8 c1 D; a  V1 `- Uevox-rifa被kemet收购了，前面那段英文的介质损耗的定义是我从kemet的datasheet上抄的:p
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 12:06
那你计算一下这个ULTRA  LOW ESR  电容 HZ的介质损耗3 W: Z2 g- g- k+ S( K

1 z8 y6 p; u2 Q. m) G. s/ {6.3V 1000 UF ?
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 12:09
本来，用DF@120Hz来衡量音频的性能就是一种忽悠的行为。比较好的做法是标个容量/频率曲线图，和ESR/频率曲线图。那各个频率点上的DF就可以自己算了。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 12:13
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:06 发表 / o! Q0 B# X8 q2 I; r
那你计算一下这个ULTRA  LOW ESR  电容 HZ的介质损耗& C8 A/ z+ E2 H0 r
6 v( e; x# I0 E- d$ U, d2 k
6.3V 1000 UF ?
# [+ t: N2 x( Z/ x6 w
没标120Hz的ESR
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 12:14
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 12:09 发表 . l' z3 @, C6 B% g  u+ i
本来，用DF@120Hz来衡量音频的性能就是一种忽悠的行为。比较好的做法是标个容量/频率曲线图，和ESR/频率曲线图。那各个频率点上的DF就可以自己算了。

- m# o) }8 d/ t
! q7 G4 [( m* J; g* s6 F: C估计是你书上东西看多了., G' H% v% ~! V, m
& _+ j# v" k) h; {
不同介质电容的损耗是完全不一样的.和等效串联电阻谈不上决对性的关系.
/ C) X7 `3 y# u8 o7 ~7 S2 R
3 s# U/ b3 a9 `+ H你自已估计一下MKP 0.1UF的ESR是多少?  OSCON 100UF的ESR是多少?7 k: a4 g; E1 L  s4 \1 T
& C6 M3 l2 }$ x' m
哪个的介质损耗低你说说?  如果像你所说,ESR越低的电容损耗越低.要知道ESR是与电容容量成反比的.那我们就不需要专用的音频耦合电容了.
2 I: ^, N& r0 X( j8 j& m/ L
/ G: X+ }8 t5 {8 S1 `全部用HZ  这类ULTRA LOW ESR的电容吧.或者用OSCON做耦合电容...嘿嘿3 p1 Z' A; p: I- A3 S9 t! d
5 c1 m8 A+ C- ^0 F
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:21 编辑 ]
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 12:21
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:06 发表 : D1 ]7 R# W( Z7 I5 G
那你计算一下这个ULTRA  LOW ESR  电容 HZ的介质损耗
( J6 X$ j' Z. G8 s2 q# A
- w7 m! |( }1 B+ S& ?6 Q% V, i6.3V 1000 UF ?
% ]3 j$ v% q7 r6 \# e
如果那个1000u的在120Hz下的ESR也是14mohm的话，那么DF=6.28*120*0.001*0.014=0.0105504
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 12:23
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:14 发表   o3 P0 C% j8 n6 j0 L) c0 Q

6 ?7 O# N; U. K1 e, n8 p' ?$ ~4 l9 _% K9 \) y+ \
估计是你书上东西看多了.8 k' O; h% \1 a1 i# C

$ u, H! r8 q. @- V不同介质电容的损耗是完全不一样的.和等效串联电阻谈不上决对性的关系.
# h5 Q: m* X1 H" P( |5 m/ Y3 m1 B0 @' F) O1 j& b1 C: W8 {
你自已估计一下MKP 0.1UF的ESR是多少?  OSCON 100UF的ESR是多少?; n* g2 S3 w) E) S. S. P/ m
( X! r& }  w4 r+ f
哪个的介质损耗低你说说?  如果像 ...

( N8 @5 l: b5 j, N( r& F那你说说介质损耗是个什么神秘东东呢:p
, h7 S/ W" m/ T$ v我指的是科学性的定义。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 12:30
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:14 发表 " `6 A2 J, N. z) B! o. u
% v: U! T& M& H9 ]
1 ^& ]+ D6 X& G2 H# R" ?
估计是你书上东西看多了.5 q$ n& H" o0 n

9 }  D% K8 R& l8 {: O1 u不同介质电容的损耗是完全不一样的.和等效串联电阻谈不上决对性的关系.- P) o/ |5 E" j% ?

: D7 E: E3 ^3 B4 L- P你自已估计一下MKP 0.1UF的ESR是多少?  OSCON 100UF的ESR是多少?
# L+ ~7 d9 S, A; n( c& {& u2 z: t3 S, b, A! a8 c7 z
哪个的介质损耗低你说说?  如果像 ...
: t' a; _$ |8 `5 k9 P
其实应该这么说ESR一般是容量越大而ESR越低，所以，拿小电容的ESR和大电容的ESR去比是不公平的。从这个角度说，DF是有它的公平性的。但因为DF是在120Hz测量的，所以，对音频20Hz-20KHz来讲是肯定不合理的 ，所以，要有个ESR的曲线来表示频率特性的平直。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 12:36
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:14 发表 , I' W$ a7 `, {( _# q2 n4 z9 e: Q
1 G+ T8 g, {+ n3 Q8 C# v
) P2 \* ~( y: O5 ~; w6 z  N  G" B
估计是你书上东西看多了.
' o! Q, A* T! Z) i" ?3 L& G. I3 l% o
不同介质电容的损耗是完全不一样的.和等效串联电阻谈不上决对性的关系.
* l) w( g% p  |5 O! L( {8 k
9 n, w. u1 W: x1 H, ]$ m你自已估计一下MKP 0.1UF的ESR是多少?  OSCON 100UF的ESR是多少?
9 x+ _+ U/ q7 H4 @1 m/ S. y
- c4 c) R- [. N* z+ h# N7 C哪个的介质损耗低你说说?  如果像 ...
) ]! `1 u( f# G! O1 r
介质损耗来自于英文的disspation factor。估计你是受到“介质”那两个字的误导了。
3 u" m+ B, ]! X( S, C实际上，dissipation factor直译过来应该是耗散因数。和什么“介质”没什么关系。
: P- f* I! p) v9 \/ q/ ]6 |7 \6 [2 s, O- d+ S; y
当初不知道是谁把dissipation factor给翻译成介质损耗的？误人子弟啊:wacko:
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 13:06
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 12:30 发表
. D) J; r6 r6 H5 l2 ?- s8 I* G  m2 Z, V& ]( a' d
其实应该这么说ESR一般是容量越大而ESR越低，所以，拿小电容的ESR和大电容的ESR去比是不公平的。从这个角度说，DF是有它的公平性的。但因为DF是在120Hz测量的，所以，对音频20Hz-20KHz来讲是肯定不合理的 ，所 ...
+ i/ S% p  q' a
, A0 f2 R4 @6 F" M9 K, i& D8 \
有什么不公平.你的意思就是ESR越小损耗越小/
  ]# f( ^' j$ D/ y* I0 Q7 D+ z( j0 E4 j  [6 e! @9 z" _
那意思就是电解电容损耗比MKP小,OSCON的损耗最小了? 这个介质损耗也可以叫损耗角因素,随便如何都是指一个东西.
* U, {8 g0 Z% m# G# [8 Y5 @" Z5 Q% @2 F6 l) w; c% Z6 O# v

$ W' o' ~: b2 ?! H$ U- g有空自已去  www.wima.com5 t  c5 J" N* |
随便找一些MKP电容和OSCON比较一下,看看哪个ESR低哪个损耗角低..' ~; `, A- s* r( X

; ]/ A) @8 V# Z, a* L7 I+ A8 C7 g" G
如果你找得出任何一只OSCON 损耗在0.003以下的,就来说声.要不然就不用再继续下去了.
1 a1 `  e# w4 T: C6 k( u# T! o  M或者KEM   的钽电容.任何找一只损耗角比WIMA MKP10 还低的出来看看
" x  l- m% w5 P. Q/ Z  {* G5 _' Z, L% j% r' p
http://www.wima.com/EN/mkp10.htm
  N. I. Z9 H+ K1 O
/ [5 R! A- ]0 }0 a3 r+ E) \[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:15 编辑 ]
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 13:18
德国老应该不会忽悠人吧.
2 U0 D' H( x1 U; a; t* o- J5 k. B5 H0 `- ~
不知道你有没注意.MKP10
/ u9 O1 B# V5 v$ p7 A* v在1K HZ 频率下面.所有容量的介质损耗都是3*10-4次方.换句话说和容量无关.) t3 E1 O" i; O' y. ~- V2 [
& ^' v6 v3 o* M1 Z
容量与ESR是成正比的.
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 13:24
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:18 发表
2 u5 a) R/ h$ W3 [+ B( J德国老应该不会忽悠人吧.
6 `1 _$ i6 }, ~, M, V- y) `/ a9 }! P8 X3 c, G/ }$ j
不知道你有没注意.MKP10
3 o' b3 |5 \1 ?* c0 q2 w/ l: i在1K HZ 频率下面.所有容量的介质损耗都是3*10-4次方.换句话说和容量无关.# q- V3 Z- ^/ S6 z

9 E1 E/ r/ Q+ ^4 J7 H& `$ i" [/ ?: h容量与ESR是成正比的.

1 m- b4 ^/ K) }容量是和ESR成反比的。
/ O, K! J' Q9 @) M! K这就可以解释容量大和容量小为什么DF是一样的。
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 13:27
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 13:24 发表 5 l- u, H' a7 I/ @- |9 U. \

1 M; I5 m6 X0 b) ^0 L容量是和ESR成反比的。" v! J9 I: q: G- q8 i
这就可以解释容量大和容量小为什么DF是一样的。
& n' s, ]8 J% c
; ?1 c8 a7 z! o  G3 R! c

3 ^& j% z0 c7 x* ^5 A( g嗯对头.是反比.
9 O& |9 M& B1 W  U& ]- ?" t% N* {4 \6 K
那你能解释NICHICON WIMA给出的TAN& 为什么没有一个给出容量或者ESR的计算?
6 N2 N+ K+ z: V$ }) J
  k* Z+ k( N4 M3 i& i; W% J7 ~% s" w. U; K2 V! V& a
WIMA电容上面明确标注不同容量下,在同一个频率下.损耗角是一样的.你那种损耗角计算的方式很早以前就用网上的小工具可以计算这种东西了.
6 \( Y; S0 |; d0 ~  w. \
9 M' c" W' w  Y6 ~可是我从来没当真.现在电容的技术不断发展.还是看官方给出数据比较实在., x% F5 t4 c% F4 v4 j# i+ e2 T
  E" f- H& u4 v( j3 Y
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:28 编辑 ]
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 13:27
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:06 发表 0 z+ z5 U4 m( a" A: V- z. q
( i) g; F) y, D  q+ ]
7 [3 y* p- M1 u) ]5 g& ]1 ?
有什么不公平.你的意思就是ESR越小损耗越小/6 U) Q4 n1 Y, S5 G
* B3 F+ ^7 R! Q" C
那意思就是电解电容损耗比MKP小,OSCON的损耗最小了? 这个介质损耗也可以叫损耗角因素,随便如何都是指一个东西.# \1 z4 V9 O9 ?5 P8 g6 t; T. }& M
, P9 r8 R0 x& U8 H

. P0 o% I/ W3 ^, c: p: ]) s有空自已去  www.wima.com
3 c+ P/ H- c9 `, o6 b# f) }. Y随便找一些M ...
# _1 T2 n9 u. x. b2 R) t* y$ r9 B
小电容的损耗小，大电容的损耗大。这没有什么办法。1 m: d! o# k6 K  A) O( k! D0 p
但我们设计电路的时候往往是确定要用多大容量之后，再去找适合的电容。这时候，看ESR和容量的频率曲线就比较客观了。2 N- w& q8 e3 q5 |+ g3 g$ ~  d8 o
3 c9 M2 B$ }$ J" S! j: b
DF使得小电容和大电容之间也可以公平的对比，这是有它的意义的。但DF@120Hz的话对音频来讲就纯粹是忽悠了。
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 13:29
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 13:27 发表
% r2 _; f( R5 d7 U! d' M2 K# V/ }+ Y! d( W  R' l
小电容的损耗小，大电容的损耗大。这没有什么办法。
4 I2 A& Q' p3 ?+ t8 D但我们设计电路的时候往往是确定要用多大容量之后，再去找适合的电容。这时候，看ESR和容量的频率曲线就比较客观了。
$ ]+ X; p# P/ \8 L2 V0 P: U$ u4 |: d
DF使得小电容和大电容之间也可以 ...

9 B$ [9 E4 j7 ]* r& @+ D1 F9 ?& n4 f
: h6 s3 H: q3 N8 q6 P& p' J& a
音频电容耦合工作频率当然不是固定120HZ.3 ^$ l5 G  e: z3 T# i

1 U& T2 _; Y7 R" o2 D$ _但是我们可以从120 HZ的指标推断出不同型号电容损耗的好坏.
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 13:31
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:27 发表 2 h: e3 P# A$ y% N6 c

) N1 D  X- a# `* ~4 l" B  }
- [& z* Y( o+ G# ?2 i( L% T6 |7 o7 R
/ `8 E( [) s% s9 B" ?% c嗯对头.是反比.( S, P  x6 |) h- F
# S+ s" n" y- F; v+ R- ], S! j
那你能解释NICHICON WIMA给出的TAN& 为什么没有一个给出容量或者ESR的计算?
) v2 A% b! h1 Y3 ^* i, f5 V  \% c, l6 N
2 w4 A, v9 I% A5 C: M
WIMA电容上面明确标注不同容量下,在同一个频率下.损耗角是一样的.你那种损耗角计算的方式很早以前就用 ...
) e" \  I- S" T) u+ Y- v1 `
偶相信kemet。kemet的datasheet上不但给了计算公式，还给了频率曲线。个人感觉比较光明正大，不忽悠人。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 13:35
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:29 发表
  }9 a' e+ V; C+ l/ {& I% P: \1 n5 g8 M7 }
0 ~" g- ?3 o$ N6 e

# z0 l; H) f/ ^$ V音频电容耦合工作频率当然不是固定120HZ.
5 y  R* C6 v' b+ s: p6 A% t
4 G# T* P  H4 a2 X3 x& X; C但是我们可以从120 HZ的指标推断出不同型号电容损耗的好坏.

# s  V4 {, M9 [: x, q. B推断不出来的。铝电解在1k以上各项指标就急剧变差。所以只能拿120Hz来骗骗人。
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 13:50
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 13:35 发表 0 Z# r. e* Z7 ^2 }

) r5 x2 K" H: H推断不出来的。铝电解在1k以上各项指标就急剧变差。所以只能拿120Hz来骗骗人。
' v4 l, o& T( x) D4 M% |
* T5 X, D5 O, b# r
, ]% }6 L, m8 e( O1 w% N/ J6 s5 T
这点我又很不同意了.8 I. d% T2 I3 ~4 l

+ k% d4 ~1 j2 a铝电解电容在1K 上参数会比120HZ要高很多.( |; B. x9 |9 i& }
5 W8 Z1 j, v* T; O. A
看看这个NICHICON  PM的电容的IRAC线条.在120HZ 下参数比例1  在11K 下比例为1.4   在110K 下面IRAC参数为1.6比例
% X0 `/ T2 Q7 C/ |* [; G" D3 g7 j/ ~  \# G  q3 K
IRAC和ESR是直接关系的.ESR越小,IRAC越大.0 B4 H* X, r. _6 `! @

( ?' H+ r. x4 }% }. v% j在高频下ESR 会比120HZ更低.:wacko:
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 13:59
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:50 发表 / |/ x) l- |  N

9 Z6 J% a% P6 `
8 ?8 Y( A# M. T0 W. C
; W0 u8 I# w) _+ B0 C2 {这点我又很不同意了.* r3 M  T% e9 ?3 t; d
8 `+ C, {2 k% X9 Y  }
铝电解电容在1K 上参数会比120HZ要高很多.1 g( q! Y7 [& a7 a$ H: q& r. @; V

# H& Y8 [$ d7 ~看看这个NICHICON  PM的电容的IRAC线条.在120HZ 下参数比例1  在11K 下比例为1.4   在110K 下面IRAC参数为1.6比例( {' q! J! x9 K4 z* z& w* |
8 R5 J$ m' _( v2 O/ T  l1 y
IRAC和ESR是直 ...

6 m* {, X5 n* O8 K  u# K那个frequency coefficient到底是什么频率系数啊？感觉有鬼，为什么不直接标个频率出来。$ P% U1 ]$ a5 }

, W  D  Y7 T3 \5 E所以，我说的没错。小日本就喜欢忽悠人。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 14:06
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:50 发表   E$ v6 g$ |8 m5 c& }; x; f( A
$ h, B1 h  A; x3 N- E

! T1 }( n/ P1 P* j; T, _( h7 q' O- P4 k9 f! G: h
这点我又很不同意了.
9 s5 W8 U! k* @# i& K: n" q" J; m+ {  o" K
铝电解电容在1K 上参数会比120HZ要高很多.
8 b: k% Q7 |) I* x, u6 J) Q: B6 H! l( d$ w# U. e
看看这个NICHICON  PM的电容的IRAC线条.在120HZ 下参数比例1  在11K 下比例为1.4   在110K 下面IRAC参数为1.6比例
+ a; M! b& c! _, H3 K* w. H! j! q, ]1 E7 Q8 [
IRAC和ESR是直 ...

% X3 ?9 r/ g/ j2 u3 w: T  whttp://blog.21ic.org/uploadfile-/20063231455134.pdf
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 14:40
你的PDF收下了.
' [& u) }! y( R+ B  j1 B* O# r, o: e. {( }) e" [
就像PDF中所说.TAN和容抗很大关系.所以不能证明ESR低的电容,介质损耗就低.) P- O( ]/ c% F$ q4 i: _  O) p! a

2 J, @, g/ v! U
  p5 ?9 S* y  S9 r2 y6 X* e- H这也说明FOR AUDIO音频电容的ESR很烂,但是介质损耗至少标的敢比LOW ESR的电容还低的指标.9 h" a8 b7 _( B3 Y, L* a

8 E$ u, q% Q. Y  M5 Q. @
/ I1 N1 u5 F3 d4 A; h* z5 K所以算都不实用.因为根本没有一个电容所有的参数资料,不如直接看厂容厂家给出的指标实用.
# n$ [- B. ?2 a, d% K
; Z- z* M0 h! |/ l+ ?' F: q* U7 U这个PDF中文的看起是不错.收下了.
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 15:09
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 14:40 发表 , X5 q% Y% Z+ v  W
你的PDF收下了.0 w* `- L& u0 `# T
6 T; s5 r" K3 Z: `
就像PDF中所说.TAN和容抗很大关系.所以不能证明ESR低的电容,介质损耗就低.# d) [2 X7 _  K( W
  R7 ^3 w3 n2 f! `; ^

% M" l0 e  R; C' Q/ D* x9 h0 ~这也说明FOR AUDIO音频电容的ESR很烂,但是介质损耗至少标的敢比LOW ESR的电容还低的指标.1 {0 x  J5 t0 O- J; Q. V: q
+ M) A+ K" p4 D" G, k
; h+ {. x+ e: [) J3 s1 {
所以算都不实用 ...
0 w6 P4 [7 s) N- p# a
是的。' A7 p5 |6 u: W4 y

( w2 h$ m4 |8 y不过需要注意的是。DF应该称为耗散因数。是一个耗散的“因数”，而不是指耗散本身。而影响电路性能的还是ESR。ESR越小，“耗散”越小。如果有一个100uf，esr=5m，df=0.08的电容，还有一个是1uf,esr=50m,df=0.008的电容。如果电路都可以使用，而且对价格不关心的话，应该选用那个esr=5m的。
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 15:15
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 15:09 发表 4 w! K, W; H- e) w0 Q  v2 c" ]
) D# O& R' \( T; U& I
是的。6 |8 @7 j7 E) W% f5 P6 Z6 I4 [9 H

' V, i) S& _0 \不过需要注意的是。DF应该称为耗散因数。是一个耗散的“因数”，而不是指耗散本身。而影响电路性能的还是ESR。ESR越小，“耗散”越小。如果有一个100uf，esr=5m，df=0.08的电容，还有一个是1uf,esr ...

; Z* G" T  ~% s& D5 A3 b  ]5 [- }% P, ]
照你所说那就是尽量用大容量电容了.4 [4 ~' S+ `* z2 N
1 F$ r, ~) E: d7 R: U
容量越大ESR就越小了.
7 _2 M4 t) w. c9 P. W9 ?& y: ^& A) t! T  s# n' x

4 o( W( o- E  q: B  R  u
2 O1 d! r( n% \* ~2 ^+ X% U不过我对于耦合电容的ESR不太关心.我也不会用钽电容.电解电容做耦合.我只用金属聚丙稀电容.
4 L6 Y: _, O. c8 s& R$ g6 |8 |! }/ e2 T' K4 P
除了容量越大ESR越小.还有耐压越高,ESR越小,损耗角越小. MKP一般耐压在160V以上.而且是无感电容.* }( r% W+ q  b; d' h) X
要知道电感对交流信号的影响是极大的.& |& {: }5 T9 G/ o9 S
用电解电容都是不合适的.. R3 x8 X, N% _! r; Y" O

* f: D; i; J$ e4 ~: E! K( r 而且耦合电容还有一个很重要的参数漏电.
1 `1 r1 I  T  T8 q
- W8 G/ b) U  T( `8 ]; @电容的容量越大,漏电也越大,成正比.; U) i& o3 |, _5 n* Q, u

1 g* X1 V  W) Q5 ]* o) _[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 15:16 编辑 ]
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 15:54
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 15:15 发表
- G1 A6 \9 T- y. f* a/ O3 c! r8 \; z: G) q/ g& f2 _

+ d& ^7 ?0 ]( f& \6 c  ^照你所说那就是尽量用大容量电容了.! I% V0 B9 _2 R( u8 |

8 ?8 }' V+ {" l7 _容量越大ESR就越小了.* [- E* h, O# w7 r

) u6 i& v- J  I8 M* ?3 ?+ [8 |4 s: ]$ f/ n. h

3 e+ X( n9 N. t' F/ @: _不过我对于耦合电容的ESR不太关心.我也不会用钽电容.电解电容做耦合.我只用金属聚丙稀电容.
9 n- k2 h' y1 w# z( x. v) N
% k% q1 d4 @7 I! f  |. I除了容量越大ESR越小.还有耐压越高,ESR越 ...
! P7 a8 ^/ Q7 a$ x( Z9 w/ U
漏电的确也要考虑。耦合我也认为那些大容量的钽电容不合适。mkp的df小也就意味着在相同的容量下，esr小，应该是很好的耦合用电容。; @5 i2 j9 t: }
陶瓷电容的漏电和ESL应该是非常小的，以前陶瓷电容都做不大，最近的大容量mlcc看上去很不错，可以到100uf，esr可以到5m。不过好像低频的esr没有高频那么好，不过容量大，估计和mkp也有的一拼。而且体积也小，不知道用那个做耦合用怎么样？好像都没人尝试过这个新事物。( K& C1 H0 }. \
kemet t530我想还是比较适合滤波，esr在100kHz以下都在10m以下。对整个音频范围内的杂波都可以有效的滤掉。
作者: ljm_ljm    时间: 2007-8-24 16:12
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 15:54 发表 * W8 z8 p/ `* g* l% \( l" ^$ d3 m5 N
8 n. T8 n# w2 r' q6 }$ t
漏电的确也要考虑。耦合我也认为那些大容量的钽电容不合适。mkp的df小也就意味着在相同的容量下，esr小，应该是很好的耦合用电容。
% A, t  ^* c2 c2 }+ c. Q# N/ w陶瓷电容的漏电和ESL应该是非常小的，以前陶瓷电容都做不大，最近的大容量 ...

  k6 N# u6 Z, x# L) k* S( _5 U2 R* c/ c
$ N4 y' ]% T6 B' J  g* }
陶瓷电容一直以来高频性能很好,性能同容量下也胜过电解电容.. ~. Z$ D, k1 s' b7 X

$ Z' p+ H, V: s5 o& g  a但是陶瓷电容的温飘很大.很容易受到温度的影响.以前有一种黑色的超低温飘的陶瓷电容很好.不过很难找到.( o" T$ r: }2 I" L
; Q+ x0 B( `2 q. i8 r
6 m; @: g" A7 A! P
要知道耦合电容对截止频率有影响,用热了后容量一会儿就变了不是理想的.不过陶瓷电容高频性能好.拿来并联在滤波退耦电容上面0 T) O9 Y& l( A" L' C

+ |* y9 X6 C8 ]1 v作滤出高频干扰是不错的.7 w/ C6 ~1 F- |: ]- y0 U

7 Y5 K+ I9 i4 W6 s+ E[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 16:13 编辑 ]
作者: zifzhu    时间: 2007-8-24 17:12
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 16:12 发表 : y* S4 F: V  j' Y+ F

7 g5 M2 e  W% J& Y
2 S4 j, ^% w, h6 |' Q1 u# m8 N$ d' p9 I5 I  J
陶瓷电容一直以来高频性能很好,性能同容量下也胜过电解电容.
8 l' F, U, j; p% X2 q, @0 s8 F- p" S* U0 _
但是陶瓷电容的温飘很大.很容易受到温度的影响.以前有一种黑色的超低温飘的陶瓷电容很好.不过很难找到.
- o0 [6 x9 f8 S$ Z' u* {2 V7 i9 `( q* H) g$ P# Y6 M1 U+ V3 H* G4 L

" c' y2 v/ L$ o8 F% Z* I要知道耦合电容对截止频率有影 ...
3 W9 W! |: Q' x, x9 x
那是老式的Y5V陶瓷电容了。现在的X5R和X7R介质的陶瓷电容温度特性已近是非常的好了，不存在温度高了容量下降的问题。6 s- \- y' k' o0 |& H' @
不过X5R和X7R的贵出Y5V的好多:funk: ，几十块钱一个吧。
作者: ymxrich    时间: 2007-8-24 22:56
没有失真的音响系统其实并不好听。
作者: 酷风    时间: 2007-8-25 18:54
原帖由 ymxrich 于 2007-8-24 22:56 发表 * m" @) Q* a) L7 r
没有失真的音响系统其实并不好听。

# L: t% V$ y6 ~真正没有失真的音响系统其实是好听的，不好听的是某些自称没有失真的音响系统
作者: chairmanai    时间: 2007-8-25 23:06
原帖由 酷风 于 2007-8-25 06:54 PM 发表
+ ?. D' [$ R& e8 a9 z7 |% C; D, b. C% a" e5 `
真正没有失真的音响系统其实是好听的，不好听的是某些自称没有失真的音响系统

1 d+ d; n) a* v5 Q' Z) t# f/ B$ ?:thumbsup: :thumbsup: :thumbsup:
作者: CZQ83    时间: 2007-8-25 23:14
原帖由 酷风 于 2007-8-25 18:54 发表
0 i5 y8 f2 ^0 D) d3 G
/ S3 e7 j6 T9 r8 ?, z6 ]真正没有失真的音响系统其实是好听的，不好听的是某些自称没有失真的音响系统

+ Q9 i' w' R8 L# {$ R. nw00t) 可以达到如此水平的。根本就是没有的。。。。地球最贵的音箱都不肯能做到。。。w00t)
作者: 酷风    时间: 2007-8-26 18:18
原帖由 CZQ83 于 2007-8-25 23:14 发表
2 f  F7 x% m! a# R2 Y: v0 J
8 N0 i9 A) ]. E$ J3 M3 O' jw00t) 可以达到如此水平的。根本就是没有的。。。。地球最贵的音箱都不肯能做到。。。w00t)

( {% X# l0 a" W4 C& m很多失真很小的系统也一样很好听，# w: p2 l) Y+ [+ @! {
只是有些系统不好听，就只能靠着有几个指标比较不错，自称没有失真，并宣称没有失真的系统不好听，以掩盖自己的无能/省成本$ h* ]# _0 {( |9 Q
真实的声音好不好听，去听听现场就知道了。
作者: zifzhu    时间: 2007-8-26 22:00
原帖由 酷风 于 2007-8-26 18:18 发表 8 a1 y/ ~2 W$ T5 g
" ]* r3 j) w$ M1 L9 Y
很多失真很小的系统也一样很好听，- ]9 L& M: x% Z5 _% @" P: z, j
只是有些系统不好听，就只能靠着有几个指标比较不错，自称没有失真，并宣称没有失真的系统不好听，以掩盖自己的无能/省成本
: S9 N/ T% m2 S真实的声音好不好听，去听听现场就知道了。
! g* H- }, p( T
同意，基本上那些说没失真不好听得都是酸葡萄心理。而他们的失真，不管是什么样的失真，都是可以美化音质的。所以看国内音响的那些评论，感觉就是作文比赛。极尽想象力的把那些形容词往上堆。那些不好的指标都被解释为是设计者故意的，因为那样才有“音乐感”。每个人都感觉这几百块钱的箱子买回去可以毙掉那些几万元的箱子。2 h+ m7 c0 _& u
哎，就这样的枪文也能把很多人洗脑了。:funk:
作者: agooday    时间: 2007-8-26 22:26
太专业鸟 :wacko:
作者: 酷风    时间: 2007-8-27 16:24
原帖由 zifzhu 于 2007-8-26 22:00 发表 $ x2 J7 }8 t# P2 C7 Z

( G: y* g2 Q! g) p0 {9 ]同意，基本上那些说没失真不好听得都是酸葡萄心理。而他们的失真，不管是什么样的失真，都是可以美化音质的。所以看国内音响的那些评论，感觉就是作文比赛。极尽想象力的把那些形容词往上堆。那些不好的指标都 ...
1 r) M  n8 C9 x/ P* `
有些音箱的确是好听，但是指标不好，通过音色调整来美化某一类的音乐，这也是向成本妥协的一种方法
& z5 q  a0 ?2 o$ D" d: ^0 E) C有些音箱的部分指标很好，但是不好听，这也是向成本妥协的一种方法



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