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标题: 650I 内存 NND的难超！！ [打印本页]

作者: wx17601 时间: 2007-11-25 00:55
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作者: ljlxl 时间: 2007-11-25 09:45
这还叫难超啊~~~~~~~~~，来显的吧:wacko:

作者: sd-iori 时间: 2007-11-25 09:53
:charles: 内存问题吧，，

我双通道的上1000，，，5-4-4-9，2T，不用加电压啊

不过，，不能上4-4-4-9，，加压也好像不能，，
1T，，也不能，，Why？？
内存品质？？

[ 本帖最后由 sd-iori 于 2007-11-25 09:55 编辑 ]

作者: xxy1 时间: 2007-11-25 09:59
靠，都1150了还难超！！:wacko:

作者: sd-iori 时间: 2007-11-25 10:00
还有，，是参数重要，，还是频率重要？？

作者: 盗版 时间: 2007-11-25 10:20
什么颗粒啊，是不是HY的KST颗粒的要好超多啊

作者: fuchuan 时间: 2007-11-25 13:29
650I貌似内存上高频很难，不过上高参比较容易，所以低频高参是比较好的选择。:a)

作者: 小小强 时间: 2007-11-25 13:52
这年头啊:wacko: :wacko:

作者: wx17601 时间: 2007-11-25 15:16
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作者: netsnake 时间: 2007-11-25 17:50
2.1v阿，这么高电压的，我就不敢加这么高压了阿

作者: wx17601 时间: 2007-11-25 19:52
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作者: czao 时间: 2007-11-25 19:56
楼主用的是啥U啊？

作者: 93blue 时间: 2007-11-26 09:23
:funk: :funk: :funk: 667的已经超挺高了

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