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标题: 四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些？ [打印本页]
作者: distance    时间: 2007-11-30 21:10
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作者: yxmmxy    时间: 2007-12-1 15:44
每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？
作者: hsy-x    时间: 2007-12-1 17:02
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
2 n% K5 ?+ L+ g: E" `3 H每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？

, F! q/ c' K: ]) V1 X" M; O2进1出
作者: distance    时间: 2007-12-1 17:02
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作者: cloudder    时间: 2007-12-1 21:18
最好是六相，每相四个:lol:
作者: 李冰玉    时间: 2007-12-3 08:23
好像　　三个中有两个是场效应管，一个是快恢复二极管，快恢复二极管是用来保护场效应管的
作者: m732    时间: 2007-12-3 12:21
看图是一进二出，理论上四相好点，mos管不但要看数量还要看内阻。
作者: sun_tomato    时间: 2007-12-3 13:22
每相3个好些:rolleyes:
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 14:04
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 / [  N' @# E4 M3 ?9 b& ?
好像　　三个中有两个是场效应管，一个是快恢复二极管，快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
作者: Travis    时间: 2007-12-3 16:22
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 1 O' e; l* X# E4 v$ L
每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？
! L) d! S  N/ X- L5 ~
" J! \9 Q7 Z1 S% e. i$ m$ @
这里不是二极管整流，是DC-DC变换，Buck Converter电路
& _; j: M( l# _MOSFET分为上桥（UGATE）和下桥（LGATE），一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。* m; ?( t4 a  ~  O
因为下桥导通时间长、发热集中，所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力，是目前最常见的单相方案9 G1 s1 Y' \& Q4 ^/ j
再把上桥也做成两个并联，就是每相四个MOSFET的增强方案了。
1 B8 h7 }0 p) K. n8 Y- E" n: D
至于肖特基二极管，也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了' [3 M7 V3 H& z) I
可以省掉？
2 P8 Z7 ?0 `* P1 |0 i3 F. P5 T如果不能省掉，那么它是并联在LGATE上续流的，外观和MOSFET很不一样。# u1 v- q+ ^1 z# Q0 C5 E$ f6 o9 B: Q2 X2 ~
& Z' ~- j# ^/ u2 f
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
作者: 从小缺钙    时间: 2007-12-3 18:35
太高了，不懂，学习。
作者: distance    时间: 2007-12-3 19:51
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作者: FlyupDai    时间: 2007-12-3 20:03
相数越多，心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
作者: skywalker_hao    时间: 2007-12-3 20:34
这个不开datasheet大会没有意义的吧
/ A+ \8 w! _+ U  p$ P6 N内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:' d  e  r' N. t8 R0 m  f

" @9 s$ _* j$ `/ G9 o! N; v9 H$ dbtw，这个讨论了也没意义哦
1 w" s5 G  x  U: H& t像msi那种玩法的4相，不是一点点弱2 n! y  l+ [. \* ]
& U) H% k; q* Z! ^& e3 P& z; X
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 20:42
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表 3 [! z( n! S; F2 K6 Y
5 w$ V: v# a2 i2 Q6 w- M# }
受教了，2个管子是上桥2个，4个是上下桥各2个，那3个是上桥2个下桥1个吗？是不是可以理解为4相每相两个好些？
通常来说续流的下桥过电流比较大，因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。1 l& k5 N4 X1 K* [( T+ e7 i
其实05年以后的MOSFET过电流都很大（特别是一线的电源厂产品），只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题，因此我觉得3相以上的设计并不是太实用，就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻，另外分担电流降低发热，因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 20:47
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 7 x8 ?% i6 f9 s; M6 O. a* x! m
这个不开datasheet大会没有意义的吧/ F: e3 Y0 E# V: f6 z( j/ @0 P
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:. ~/ C7 _6 O$ `) M+ L

+ V; k2 L& p. {: y3 l: B3 h$ E; D. zbtw，这个讨论了也没意义哦$ E; m' ]! [2 S9 n; a
像msi那种玩法的4相，不是一点点弱
嗯，不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件，另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西，那还有什么比的，几相又怎么样？
作者: distance    时间: 2007-12-4 01:04
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作者: distance    时间: 2007-12-4 01:09
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作者: 66MT    时间: 2007-12-4 01:25
要看用什么型号的管子
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-4 03:05
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表
3 O+ M9 r$ F1 i6 f- N7 r; W& Y& w
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下？既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下，要不怎么够成PWM开关呢？补充一下Travis，PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电，再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
$ }. b) Y. N4 t. ^3 l' }4 g" Q" K" W
当然较早期的产品电流都在10A以下，损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关，也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
作者: winfast007    时间: 2007-12-4 16:43
瞎猫应该是做主板的power RD吧，对这些这么熟悉:p
作者: ylziihi    时间: 2007-12-4 16:56
原帖由 cloudder 于 2007-12-1 21:18 发表
- y/ c' J+ f1 X最好是六相，每相四个:lol:

- Y+ y1 n# ?' r8 E0 Y% R: m. v8 r6 b  B我看到GA的是6项，每项3个。
作者: zoofed    时间: 2007-12-4 17:08
技嘉最豪华:loveliness:
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-4 17:15
原帖由 winfast007 于 2007-12-4 16:43 发表
  ]5 ^7 J5 {; ]% O8 @( D瞎猫应该是做主板的power RD吧，对这些这么熟悉:p
:o 8是，看了点这些东西而已。。。当然有厂家挖我去设计瞎猫牌山寨主板就最好了:p
作者: 93blue    时间: 2007-12-4 18:43
原帖由 zoofed 于 2007-12-4 17:08 发表
' ~% g% B: G9 g% Q7 O技嘉最豪华:loveliness:
/ x+ @. j3 h1 t" W- O3 n
4 X8 ]( |7 o/ J) S% d2 `
那我的是6项，每项4个:w00t):
作者: distance    时间: 2007-12-4 20:18
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作者: crx    时间: 2007-12-4 20:27
学习了，3个的比较好



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