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标题: 四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些？ [打印本页]
作者: distance    时间: 2007-11-30 21:10
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作者: yxmmxy    时间: 2007-12-1 15:44
每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？
作者: hsy-x    时间: 2007-12-1 17:02
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
/ ]" }" r% o: Y9 o  m每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？

4 T  ]1 U5 f$ l3 j) t  B- M2进1出
作者: distance    时间: 2007-12-1 17:02
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作者: cloudder    时间: 2007-12-1 21:18
最好是六相，每相四个:lol:
作者: 李冰玉    时间: 2007-12-3 08:23
好像　　三个中有两个是场效应管，一个是快恢复二极管，快恢复二极管是用来保护场效应管的
作者: m732    时间: 2007-12-3 12:21
看图是一进二出，理论上四相好点，mos管不但要看数量还要看内阻。
作者: sun_tomato    时间: 2007-12-3 13:22
每相3个好些:rolleyes:
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 14:04
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 $ t- o3 f- F3 P! ]* _9 k7 M
好像　　三个中有两个是场效应管，一个是快恢复二极管，快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
作者: Travis    时间: 2007-12-3 16:22
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
' h* I1 z1 i5 C3 w7 I. l: F每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？

1 `% q+ J) V6 u/ D
; y4 Z1 W) ]8 q这里不是二极管整流，是DC-DC变换，Buck Converter电路0 \8 h( B* w# I0 _/ a
MOSFET分为上桥（UGATE）和下桥（LGATE），一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。
- F8 i6 ?2 B6 w, F+ U* P因为下桥导通时间长、发热集中，所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力，是目前最常见的单相方案
! q- H0 j$ l8 e. a$ x3 l+ l& u& y再把上桥也做成两个并联，就是每相四个MOSFET的增强方案了。
' e1 X. O3 O" F& g
7 ^9 U' B" |/ V至于肖特基二极管，也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了7 a3 l8 Y7 R1 \) F( I$ W, e
可以省掉？
% z" w  l+ B- |6 o: S# U如果不能省掉，那么它是并联在LGATE上续流的，外观和MOSFET很不一样。  A# r9 O  Y/ J* Y
. F( U! |$ i. c& _3 |7 M9 \2 l
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
作者: 从小缺钙    时间: 2007-12-3 18:35
太高了，不懂，学习。
作者: distance    时间: 2007-12-3 19:51
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作者: FlyupDai    时间: 2007-12-3 20:03
相数越多，心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
作者: skywalker_hao    时间: 2007-12-3 20:34
这个不开datasheet大会没有意义的吧
0 |5 g2 |" T. z  V: i+ R内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:8 `) d9 g1 w8 [# `+ t

( ^- F9 I! Z6 n7 ybtw，这个讨论了也没意义哦. N& j! P# J9 U# Q0 u
像msi那种玩法的4相，不是一点点弱* t' |) j2 ]2 r1 z* B

' X0 M; L6 K& N2 G[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 20:42
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表 4 C, f% }4 J( ^8 [& I; j8 A
# ~1 T6 B  a5 U( b
受教了，2个管子是上桥2个，4个是上下桥各2个，那3个是上桥2个下桥1个吗？是不是可以理解为4相每相两个好些？
通常来说续流的下桥过电流比较大，因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。, u# l9 L) G8 {* W
其实05年以后的MOSFET过电流都很大（特别是一线的电源厂产品），只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题，因此我觉得3相以上的设计并不是太实用，就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻，另外分担电流降低发热，因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 20:47
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 ) R" L8 z1 ?9 W6 ~# o  O7 F
这个不开datasheet大会没有意义的吧4 Q6 v5 ?9 M0 D- d  |4 M4 I- O4 ]* \
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:! m5 i( n/ \0 j  E
6 Z7 e7 I6 D. F: a
btw，这个讨论了也没意义哦
+ Z, ^4 v. n3 B5 _像msi那种玩法的4相，不是一点点弱
嗯，不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件，另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西，那还有什么比的，几相又怎么样？
作者: distance    时间: 2007-12-4 01:04
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作者: distance    时间: 2007-12-4 01:09
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作者: 66MT    时间: 2007-12-4 01:25
要看用什么型号的管子
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-4 03:05
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表
( s! j- N- l/ `& u' k9 Y% _( [% M8 z' E' d& K
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下？既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下，要不怎么够成PWM开关呢？补充一下Travis，PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电，再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。$ R# E+ K; P1 T% t7 J4 _+ O

/ `* P. S* A7 B* @8 k2 F当然较早期的产品电流都在10A以下，损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关，也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
作者: winfast007    时间: 2007-12-4 16:43
瞎猫应该是做主板的power RD吧，对这些这么熟悉:p
作者: ylziihi    时间: 2007-12-4 16:56
原帖由 cloudder 于 2007-12-1 21:18 发表
- Y1 u! k* y6 A# T最好是六相，每相四个:lol:

% r5 O5 Z1 Z2 z8 A, w我看到GA的是6项，每项3个。
作者: zoofed    时间: 2007-12-4 17:08
技嘉最豪华:loveliness:
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-4 17:15
原帖由 winfast007 于 2007-12-4 16:43 发表 3 @, n1 O7 U) j# d) {* `' S9 b# c
瞎猫应该是做主板的power RD吧，对这些这么熟悉:p
:o 8是，看了点这些东西而已。。。当然有厂家挖我去设计瞎猫牌山寨主板就最好了:p
作者: 93blue    时间: 2007-12-4 18:43
原帖由 zoofed 于 2007-12-4 17:08 发表 / k5 `4 t: A3 O8 ]
技嘉最豪华:loveliness:
5 O; H; ~: x( ]* k3 H
# ]3 x( T/ i" |3 V
那我的是6项，每项4个:w00t):
作者: distance    时间: 2007-12-4 20:18
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作者: crx    时间: 2007-12-4 20:27
学习了，3个的比较好



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