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标题: 四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些？ [打印本页]
作者: distance    时间: 2007-11-30 21:10
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作者: yxmmxy    时间: 2007-12-1 15:44
每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？
作者: hsy-x    时间: 2007-12-1 17:02
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 8 j7 D) L5 P2 @
每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？

( g6 y3 t, Q; k& k$ r9 a; D2进1出
作者: distance    时间: 2007-12-1 17:02
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作者: cloudder    时间: 2007-12-1 21:18
最好是六相，每相四个:lol:
作者: 李冰玉    时间: 2007-12-3 08:23
好像　　三个中有两个是场效应管，一个是快恢复二极管，快恢复二极管是用来保护场效应管的
作者: m732    时间: 2007-12-3 12:21
看图是一进二出，理论上四相好点，mos管不但要看数量还要看内阻。
作者: sun_tomato    时间: 2007-12-3 13:22
每相3个好些:rolleyes:
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 14:04
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 % ?# Q" Q9 T3 G! O1 @9 c8 O
好像　　三个中有两个是场效应管，一个是快恢复二极管，快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
作者: Travis    时间: 2007-12-3 16:22
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
' K9 m4 o3 v2 E8 g每相三个？？我学过点电子知识，三个管子怎么整流？
" }' E' s8 `; z' v8 t) k$ `- |1 z
% @' K/ b# y2 {. W! I# j
这里不是二极管整流，是DC-DC变换，Buck Converter电路
: e. h( W- j8 f3 G1 G7 u2 NMOSFET分为上桥（UGATE）和下桥（LGATE），一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。
! N& c7 U, F) }/ Q* i" Z$ p" q. R因为下桥导通时间长、发热集中，所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力，是目前最常见的单相方案
2 N9 l3 o5 D- _5 ^, \再把上桥也做成两个并联，就是每相四个MOSFET的增强方案了。
5 c9 g( z, t6 O8 u/ R4 Y; d  [& q/ S; \4 o" [
至于肖特基二极管，也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
. X% S9 n+ {( h* [可以省掉？
. L7 X% I' `; M1 L% R如果不能省掉，那么它是并联在LGATE上续流的，外观和MOSFET很不一样。
6 i1 s6 v8 S4 Y" x3 _- @! n/ A8 V) F# C3 k: ]
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
作者: 从小缺钙    时间: 2007-12-3 18:35
太高了，不懂，学习。
作者: distance    时间: 2007-12-3 19:51
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作者: FlyupDai    时间: 2007-12-3 20:03
相数越多，心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
作者: skywalker_hao    时间: 2007-12-3 20:34
这个不开datasheet大会没有意义的吧5 V1 U8 y# a" P3 v* U& j. u. B
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
- R. G1 q$ H* [. v' @+ Q4 _2 c( b0 Y
; E$ R) ]' e" sbtw，这个讨论了也没意义哦
2 U! o  J. l+ P! O) f0 ]像msi那种玩法的4相，不是一点点弱4 J6 I6 _* ^$ S' v8 B; E1 N4 X

' W, K( k5 p$ {+ _1 O$ U[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 20:42
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
# ~+ m7 E- e6 M0 ]3 X/ T8 J7 T
受教了，2个管子是上桥2个，4个是上下桥各2个，那3个是上桥2个下桥1个吗？是不是可以理解为4相每相两个好些？
通常来说续流的下桥过电流比较大，因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。
: a6 c  W5 h# T5 v其实05年以后的MOSFET过电流都很大（特别是一线的电源厂产品），只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题，因此我觉得3相以上的设计并不是太实用，就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻，另外分担电流降低发热，因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-3 20:47
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 $ Z9 R: p7 l4 f
这个不开datasheet大会没有意义的吧2 h1 L) A; T8 ~0 B! E: r7 v. k
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
) L3 u2 ]/ w+ ^- q: ]
$ x% l8 N! e- a' c6 t% r9 w9 O( |4 |btw，这个讨论了也没意义哦: [8 [2 N% {" H5 U6 H
像msi那种玩法的4相，不是一点点弱
嗯，不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件，另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西，那还有什么比的，几相又怎么样？
作者: distance    时间: 2007-12-4 01:04
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作者: distance    时间: 2007-12-4 01:09
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作者: 66MT    时间: 2007-12-4 01:25
要看用什么型号的管子
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-4 03:05
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 # `% ~% w  n3 I+ I! @' ~" p9 h/ b

& M4 ^6 {0 a4 W( H/ j那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下？既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下，要不怎么够成PWM开关呢？补充一下Travis，PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电，再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。2 a. [) h3 \3 B4 x7 n3 C

( C+ Q2 m0 T1 ~4 I+ t9 E当然较早期的产品电流都在10A以下，损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关，也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
作者: winfast007    时间: 2007-12-4 16:43
瞎猫应该是做主板的power RD吧，对这些这么熟悉:p
作者: ylziihi    时间: 2007-12-4 16:56
原帖由 cloudder 于 2007-12-1 21:18 发表
4 F" z6 H' n4 r3 V+ q' _% s最好是六相，每相四个:lol:
$ L$ d, N& r8 a# i0 H
我看到GA的是6项，每项3个。
作者: zoofed    时间: 2007-12-4 17:08
技嘉最豪华:loveliness:
作者: 瞎猫    时间: 2007-12-4 17:15
原帖由 winfast007 于 2007-12-4 16:43 发表
: d' q" L# Z3 K7 \7 P% v( J瞎猫应该是做主板的power RD吧，对这些这么熟悉:p
:o 8是，看了点这些东西而已。。。当然有厂家挖我去设计瞎猫牌山寨主板就最好了:p
作者: 93blue    时间: 2007-12-4 18:43
原帖由 zoofed 于 2007-12-4 17:08 发表
' N# L7 ~+ g% _' N. N8 Y技嘉最豪华:loveliness:

1 H/ F! j4 M7 K+ d6 }5 ~
9 z1 |+ _8 }# u6 e2 U那我的是6项，每项4个:w00t):
作者: distance    时间: 2007-12-4 20:18
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作者: crx    时间: 2007-12-4 20:27
学习了，3个的比较好



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