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标题: 45nm Cell功耗降40％ 65nm四核心安腾20亿晶体管 [打印本页]

作者: 马由 时间: 2008-1-29 18:13
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作者: maomaobear 时间: 2008-1-29 22:32
核心面积达到了近乎疯狂的699平方毫米

很热，很耗电

作者: librae 时间: 2008-1-29 22:39
确实够大的。。:wacko:

作者: itany 时间: 2008-1-29 22:42

原帖由 maomaobear 于 2008-1-29 22:32 发表
核心面积达到了近乎疯狂的699平方毫米

很热，很耗电

缓存很吃面积，但是Intel的是节能缓存，不用的区域可以休眠的，缓存产生的功耗并不高
而且从功耗控制最不理想的90nm转换到了65nm，再加上应该不会冲高频，功耗问题应该还不算严重吧

作者: lilun0080 时间: 2008-1-30 10:29
我现在想知道4700万晶体管的那个，intel到底能做成什么样，基本上是c8一半的晶体管，用intel的45nm工艺生产，功耗情况肯定比c8好，现在就想知道性能怎么样了，估计也不会太好，能比c7好多少呢

作者: shike_cuke 时间: 2008-1-30 10:58
299,,怎么用散热器??????

作者: GZboy 时间: 2008-1-30 11:00
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