POPPUR爱换

标题: 发CN贴，让大家了解一下IBM在芯片制造工艺上的造诣，希望没跑题:) [打印本页]

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 00:33
标题: 发CN贴，让大家了解一下IBM在芯片制造工艺上的造诣，希望没跑题:)
一张图片，说明一切:lol: 10 years, 10 Breakthroughs：

研究了一下，错误难免，仅供参考:lol: 原文在这里http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/21474.wss

1.Copper-铜互联技术（1997年9月）取代铝线，提供更好的导电特性，减少RC延迟，使电路在高频下满足时序要求。

2.SOI-绝缘体上硅技术（1998年8月），在普通的wafer沉积上一层氧化物（最开始时是AL2O3，也就是人工蓝宝石:lol: ）提供比单晶硅更好的绝缘性，减少功耗。

3.Strained Silicon-应力硅技术（2001年6月）,就是硅基沉积在硅锗（15%的锗）混合物上，因为原子的特性，硅基上的原子与下面硅锗混合物中的硅要align(对齐?),硅锗混合物的中的硅原子之间的间距要比硅基中的硅原子间距大，从而硅基中的硅原子间距就变大了，减少了对电子移动的阻力，电子就跑的很快啦，移动电子所需做的功也小了，功耗也小了:lol:

4.Dual-Core Microprocessors-双核处理器Power4（2001年10月）这个就不用说了，地球人都知道:lol:

5.Immersion Lithography-浸没式光刻技术（2004年10月）这个不太懂，google了一段："浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193 nm光刻延伸到45 nm节点以下"应该就是增加的光刻的分辨率。

6.Frozen SiGe Chip-冷冻硅锗芯片（2006年6月），硅锗技术的低成本解决方案，硅锗技术一般是用在光通信和无线通信领域，运行频率比CPU要高一到两个数量级。

7.High-K-高K金属栅极（2007年1月）k就是介电常数，高k，意味着更高的电容率，相同电压下可以承受更多的电荷，从而减少栅极的隧道电流。

8.eDRAM-嵌入式DRAM（2007年2月），哈哈，这个好，DRAM有可能取代SRAM成为二级缓存使用的存储器件，同样的面积eDRAM可以实现3倍(要是普通的DRAM，就是6倍，但是运行频率不行)SRAM的容量,功耗却只有SRAM的1/5。

9.3-D Chip Stacking-三维芯片堆叠（2007年4月）把多个芯片(die)垂直堆叠在一起,减少封装面积，加快各个模块之间的信号传递速度。
10.Airgap-真空绝缘隙？（2007年5月）用真空取代原来铜互联线之间的low k绝缘体，因为真空的k是最low地:lol: ，所以更好地减少Copper Wire之间的电容，提高信号传输速度

[ 本帖最后由 UCBerkeley 于 2008-2-2 08:02 编辑 ]

作者: loveran 时间: 2008-2-2 00:54
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 07:11
贴上原文

1.Copper (September 1997) - Replacing aluminum wiring in chips had been thought by most to be impossible, for a number of technical reasons. An IBM team overcame those technical problems, bringing copper wires into production quickly, giving an immediate boost to chip performance. IBM’s pioneering techniques are now the industry standard.

2.SOI (August 1998) - Silicon on Insulator technology reduces power consumption and increases performance by helping insulate the millions of transistors on modern chips. The industry had been working on this technology for 15 years before IBM made it happen.

3.Strained Silicon (June 2001) -- This technology stretches the material inside chips, decreasing the resistance and speeding the flow of electrons through transistors to increase performance and decrease power consumption.

4.Dual-Core Microprocessors (October 2001) - POWER4, the world's first dual-core microprocessor, was announced as part of Regatta, a System p server and the world's most powerful. More than two years would pass -- an eternity in the technology business -- before our first competitors brought a dual-core chip to market.

5.Immersion Lithography (December 2004) - IBM announces it is the first company in the world to use this new manufacturing technology – a method to build chips with ever smaller features -- to produce commercial microprocessors.

6.Frozen SiGe Chip (June 2006) – In the 1990s, IBM first uses Silicon Germanium to replace more expensive and exotic materials, leading to smaller, faster and lower cost chips, and pushing IBM into the business of selling chips to companies for wireless products, such as mobile phones and routers. Last year, IBM pushed the limits of its SiGe technology again when it teamed with Georgia Tech -- with support from NASA -- to demonstrate the first silicon-based chip capable of operating at frequencies above 500GHz, by "freezing" the chip to near absolute zero.

7.High-k (January 2007) - IBM announces a solution to one of the industry's most vexing problems -- transistors that leak current. By using new materials IBM will acreate chips with "high-k metal gates" that will enable products with better performance that are both smaller and more power efficient.

8.eDRAM (February 2007) - By replacing SRAM with an innovative new type of speedy DRAM on a microprocessor chip, IBM will be able to more than triple the amount of embedded memory and boost performance significantly.

9.3-D Chip Stacking (April 2007) - IBM announces the creation of three-dimensional chips using "through-silicon vias," allowing semiconductors to be stacked vertically instead of being placed near each other horizontally. This cuts the length of critical circuit pathways by up to 1,000 times.

10.Airgap (May 2007) - Using a "self assembly" nanotechnology IBM has created a vacuum between the miles of wire inside a Power Architecture microprocessor reducing unwanted capacitance and improving both performance and power efficiency.

作者: mcwxx001 时间: 2008-2-2 08:04
是你翻译的嘛～～～

作者: xjd2000 时间: 2008-2-2 08:30
45nm呢？32nm？

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 08:59
标题: 回复 4# 的帖子
哈哈，不是翻译地，翻译就太多了，是我看完后按自己的理解编的:sweatingbullets: :lol:

作者: Prescott 时间: 2008-2-2 09:03
IBM的PR做的就是好。不得不服啊。

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 09:15

原帖由 xjd2000 于 2008-2-2 08:30 发表
45nm呢？32nm？

IBM的ASICs Solution，包括了45nm解决方案
http://www-01.ibm.com/chips/techlib/techlib.nsf/techdocs/9BF3EC138A82223B8725708B004C6471

32nm的SRAM已经做出来了，09年应该就可以成为CPU的生产工艺了

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 09:23

原帖由 Prescott 于 2008-2-2 09:03 发表
IBM的PR做的就是好。不得不服啊。

PR? 什么东东,:o Public relations? IBM的公众形象确实不错，虽然它的大部分产品不是面向个人消费者

作者: AMD11 时间: 2008-2-2 09:32
对IBM 45nm的193nmArF浸没式光刻技术疑问，请问IBM什么时候生产出完整逻辑的45nm的SRAM?

作者: AMD11 时间: 2008-2-2 09:37

原帖由 Prescott 于 2008-2-2 09:03 发表
IBM的PR做的就是好。不得不服啊。

我个人理解，IBM以前在个人PC，尤其是笔记本方面留下了很好的口碑，但是价格高高在上，很多人以有IBM的产品为豪，对其高端产品更加YY，但是如果RS6000、p595等和SUN 的E15K，要我选，我会选E15K。
另外一个比较郁闷的是当年IBM的硬盘给我留下极坏的印象，数十个GB的数据全毁了，幸好不是关键业务上的数据，否则我这辈子休想再有任何自由。

作者: AMD11 时间: 2008-2-2 09:41

原帖由 AMD11 于 2008-2-2 09:37 发表

我个人理解，IBM以前在个人PC，尤其是笔记本方面留下了很好的口碑，但是价格高高在上，很多人以有IBM的产品为豪，对其高端产品更加YY，但是如果RS6000、p595等和SUN 的E15K，要我选，我会选E15K。
另外一个比较 ...

不过我现在最期待的是融合CSI的Tukwila，算是一个安腾系列的痴汉吧，幸好研究院对安腾的技术也垂涎三尺。:loveliness:

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 10:07

原帖由 AMD11 于 2008-2-2 09:32 发表
对IBM 45nm的193nmArF浸没式光刻技术疑问，请问IBM什么时候生产出完整逻辑的45nm的SRAM?

浸没式光刻这个不太懂，应该是类似Optical Proximity Correction(光学近似校正？)和Phase-shift Mask(移相掩膜？)的东东，最高精度达到了29.9nm, 应付32nm已经不成问题了，而且MS在2006年就搞定了:w00t):
45nm工艺在IBM的Foundary和ASICs的Solution中都已经上架了，做片SRAM应该小菜一碟:lol:

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 10:19

原帖由 AMD11 于 2008-2-2 09:37 发表

我个人理解，IBM以前在个人PC，尤其是笔记本方面留下了很好的口碑，但是价格高高在上，很多人以有IBM的产品为豪，对其高端产品更加YY，但是如果RS6000、p595等和SUN 的E15K，要我选，我会选E15K。
另外一个比较 ...

只用过IBM的键盘，还是OEM工包地:sweatingbullets: , 其实感兴趣的只是IBM在基础领域里的研究：半导体工艺，处理器架构...

作者: xreal 时间: 2008-2-2 10:30
:w00t): :blink: 常青树ibm，很多和ibm竞争过的公司都消失了

作者: AMD11 时间: 2008-2-2 10:44

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 10:07 发表

浸没式光刻这个不太懂，应该是类似Optical Proximity Correction(光学近似校正？)和Phase-shift Mask(移相掩膜？)的东东，最高精度达到了29.9nm, 应付32nm已经不成问题了，而且MS在2006年就搞定了:w00t):
45nm ...

1、193 nm ArF浸没式光刻技术被IBM扩展到22nm，而不是只到32nm，IBM目前排除EUV在22nm上的应用。
2、仅仅“Foundary（?:blink:Foundry ?）和ASICs的Solution”是不能说上架的，方案是必须经过验证的，IC上，只有能够生产出相应尺度SRAM之后，才能说该尺度得技术具备了生产可行性，而不是Solution。IBM现在在45nm上的确可以作了SRAM，不过要大规模进入生产，还要一段时间，可能还要3~6月。
3、193 nm ArF浸没式光刻技术（同步步进光刻机）在我国的光电所也做出了验证产品，但是要进入到生产领域，时间更长了。:(

作者: AMD11 时间: 2008-2-2 10:49

原帖由 xreal 于 2008-2-2 10:30 发表
:w00t): :blink: 常青树ibm，很多和ibm竞争过的公司都消失了

IBM相对善于应变，尤其是现在已经转为服务厂商、软件商、大机提供商（含CPU等构架）和游戏机CPU厂商，市场上的其他的领域基本都放弃了。

作者: AMD11 时间: 2008-2-2 10:50
水一下，祝所有人新年快乐！

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 11:02

原帖由 AMD11 于 2008-2-2 10:44 发表

1、193 nm ArF浸没式光刻技术被IBM扩展到22nm，而不是只到32nm，IBM目前排除EUV在22nm上的应用。
2、仅仅“Foundary（?:blink:Foundry ?）和ASICs的Solution”是不能说上架的，方案是必须经过验证的，IC上，只有 ...

1.笔误;我理解的Solution就是已经可以对客户承诺: 我可以帮你用45nm搞定这东东，意味着比SRAM复杂的多的CPU核心逻辑都搞定了，可以上架了:lol: ，而且32nm的SRAM已经做出来了，上面发过一个图片，不是一个简单的Cell，而是一大片Cell:lol:

2.光电所在研究光刻机么:lol:，好啊，中国其实最缺的的就是这种精密仪器的研究，这是最根本的核心技术:thumbsup:

作者: 急冻感觉 时间: 2008-2-2 11:21
完全看不明白:funk:

作者: 火男 时间: 2008-2-2 11:36
看完有点感觉了，还的再加一条就是CELL处理器。

LZ是不是想着IBM把AMD收购了啊？？？？然后再和INTEL打？？？？

作者: 罗菜鸟 时间: 2008-2-2 12:06
eDRAM，这个什么时候能开放？

作者: hengjisurfly 时间: 2008-2-2 12:12

原帖由火男于 2008-2-2 11:36 发表
看完有点感觉了，还的再加一条就是CELL处理器。

LZ是不是想着IBM把AMD收购了啊？？？？然后再和INTEL打？？？？

强悍的思维模式

作者: Prescott 时间: 2008-2-2 12:29

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 09:23 发表

PR? 什么东东,:o Public relations? IBM的公众形象确实不错，虽然它的大部分产品不是面向个人消费者

IBM的半导体技术和Intel比还差很多。45nm Intel遥遥领先于竞争对手，32nm领先幅度可能更大。

我倒是要看看SOI的32nm，怎么和Intel的bulk 32nm对抗。:lol:

作者: samhrc 时间: 2008-2-2 12:45

原帖由 Prescott 于 2008-2-2 12:29 发表

IBM的半导体技术和Intel比还差很多。45nm Intel遥遥领先于竞争对手，32nm领先幅度可能更大。

我倒是要看看SOI的32nm，怎么和Intel的bulk 32nm对抗。:lol:

那可不是嘛， 512MB缓存把IBM甩火星上去了。:w00t)::w00t):
[attach]830470[/attach]

你是某个人的马甲，观察了半年有余了你从没有和另一个inter在同一帖子里出现过:w00t):。

作者: Prescott 时间: 2008-2-2 13:02

原帖由 samhrc 于 2008-2-2 12:45 发表

那可不是嘛， 512MB缓存把IBM甩火星上去了。:w00t)::w00t):
830470

你是某个人的马甲，观察了半年有余了你从没有和另一个inter在同一帖子里出现过:w00t):。

怎么这么多人对我的行为感兴趣？更郁闷的是，还都是男的。:wacko:

另一个inter是谁？

作者: samhrc 时间: 2008-2-2 13:11

原帖由 Prescott 于 2008-2-2 13:02 发表

怎么这么多人对我的行为感兴趣？更郁闷的是，还都是男的。:wacko:

另一个inter是谁？

～～～～～～～～

作者: samhrc 时间: 2008-2-2 13:27
～～～～～～～～

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 14:41

原帖由火男于 2008-2-2 11:36 发表
看完有点感觉了，还的再加一条就是CELL处理器。

LZ是不是想着IBM把AMD收购了啊？？？？然后再和INTEL打？？？？

IBM收购AMD几乎不可能，IBM对早就放弃x86/CISC技术了，个人消费市场也差不多不要了：把PC业务卖给联想，也不给大苹果作PPC了，IBM知道自己该干什么，International Business machine，要的就是Profit Margin:lol: 。
我认为Dell更适合收购AMD，因为说实话Dell在核心技术上比起Sun和HP要差远了，没有自己的Unix，没有自己RISC，收购AMD之后，Dell就可以在PC/工作站和低端服务器/Blade Server 市场傲视群雄了:lol:

作者: itany 时间: 2008-2-2 14:47

原帖由 samhrc 于 2008-2-2 13:27 发表
～～～～～～～～

这种“自白书”也有人相信阿 :crying:

作者: itany 时间: 2008-2-2 14:50

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 14:41 发表

IBM收购AMD几乎不可能，IBM对早就放弃x86/CISC技术了，个人消费市场也差不多不要了：把PC业务卖给联想，也不给大苹果作PPC了，IBM知道自己该干什么，International Business machine，要的就是Profit Margin:lol: ...

HP曾经有UNIX，也有Alpha，结果都甩了……
现在不怕没有，关键是怕自不量力、死不放手……

作者: Asuka 时间: 2008-2-2 14:56
Intel在High-k上领先任何对手一个时代

这个是毫无疑问的了

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 15:09

原帖由 Prescott 于 2008-2-2 12:29 发表

IBM的半导体技术和Intel比还差很多。45nm Intel遥遥领先于竞争对手，32nm领先幅度可能更大。

我倒是要看看SOI的32nm，怎么和Intel的bulk 32nm对抗。:lol:

真的？差很多么-_- :lol: ，不知道差在那里:whistling: :w00t): ，IBM在工艺进步上没有Intel那么积极倒是真的，原因核心业务不一样，Intel对工艺的依赖性要大得多，摩尔定律Intel来提出，也由Intel而来延续，这就是Intel的历史使命:lol:

Cell今年就将采用45nm(SOI）生产了，而32nm(SOI）的SRAM流片成功，32nm(Bulk）也在研发之中，IBM就是一颗红心两手准备:lol:

32nm SOI和32nm Bulk（Intel是用普通wafer加一道引入Strained Silicon的工序)是各有所长, 而且IBM的32nm Bulk也在研发之中, IBM应该是直接使用Strained Silicon Wafer:lol:

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 15:13

原帖由 Asuka 于 2008-2-2 14:56 发表
Intel在High-k上领先任何对手一个时代

这个是毫无疑问的了

Intel的k有多High:lol: ，能给个数据不，感兴趣，什么材料地？

作者: itany 时间: 2008-2-2 15:19

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 15:09 发表

32nm Bulk（Intel是用普通wafer加一道引入Strained Silicon的工序) ...

Bulk=Strained Silicon？阁下完全是伪技术流……
变应硅早就有了，也早就发展到了第二代
Intel的32nm的关键在于三门晶体管，(Tri-gate Transistor)，目前IBM还没有任何实现的时间表

至于说SOI，当年Intel同样进行了深入的研究，只是因为有了更好的替代技术，被放弃了
至于采用微通孔进行芯片的堆叠式封装，Intel在IDF上已经数次提到了。我不敢说Intel一定会领先于IBM实现，但是至少不会明显落后

[ 本帖最后由 itany 于 2008-2-2 15:29 编辑 ]

作者: 火男 时间: 2008-2-2 15:27
看我说的没错吧，大家又开始拿IBM跟INTEL比了。

作者: 火男 时间: 2008-2-2 15:28
我实话说吧，IBM不会可怜A饭的。除非CPU市场有着非常丰厚的利润可图。

作者: bessel 时间: 2008-2-2 15:31
先把65nm的power6 4.7G的良品率问题解决再来吹牛吧,呵呵.
ibm的东西迷信不得。

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 09:15 发表

IBM的ASICs Solution，包括了45nm解决方案
http://www-01.ibm.com/chips/techlib/techlib.nsf/techdocs/9BF3EC138A82223B8725708B004C6471

32nm的SRAM已经做出来了，09年应该就可以成为CPU的生产工艺了

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 15:34

原帖由 itany 于 2008-2-2 15:19 发表

Bulk=Strained Silicon？阁下完全是伪技术流……

Bulk=Strained Silicon是你理解出来的意思:lol: ，我没说过，只是说单纯的单晶硅Bulk是不可能做出来32nm，Intel在90nm时候就不是单纯的Bulk了，只不过wafer还是轻参杂单晶硅，但是必须引入SiGe混合物！反正我认为Bulk是一个笼统地代表Substrate的名词，不知道你认为它还有什么含义:whistling: 伪技术流?我只是发表我对半导体工艺的一点看法而已，而且已经声明错误难免，即使错误了也不至于是什么伪技术流，发现你确确实实地该回到文革时期，正好能发挥你的特长——给别人扣帽子-_- :lol:

tri-gate工作原理是怎么样地，说来听听，懒得找资料了，Intel替代SOI的技术是什么东东，也说来听听:lol:

BTW:我在帖子里没说过Intel都，你怎么就么自己感觉出Intel比IBM工艺落后很多的意思-_-

[ 本帖最后由 UCBerkeley 于 2008-2-2 16:08 编辑 ]

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 15:50

原帖由 bessel 于 2008-2-2 15:31 发表
先把65nm的power6 4.7G的良品率问题解决再来吹牛吧,呵呵.
ibm的东西迷信不得。

发现这论坛还真是有些CCTV人，我发这个帖子只不过是让大家了解IBM的工艺，也根本没有吹嘘什么东西，全是IBM网站的文章，事实就是事实，如果你说IBM在官网上吹牛...-_-
Power6 4.7G的良品率是多少?:shifty: 拿出数据来:whistling: 还真没关心过power 6的产品线，没什么兴趣:whistling: 而且良品率问题Intel,TSMC都没有么-_-

作者: itany 时间: 2008-2-2 16:05

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 15:34 发表

Bulk=Strained Silicon是你说地:lol: ，我又没说，只是说单纯的单晶硅Bulk是不可能做出来32nm，Intel在90nm时候就不是单纯的Bulk了，只不过wafer还是轻参杂单晶硅，但是必须引入SiGe混合物！反正我认为Bulk是一个 ...

我的意思是：“32nm Bulk（Intel是用普通wafer加一道引入Strained Silicon的工序)”，阁下完全掩盖了Intel在32nm工艺上的优势
本来就不是“技术流”，何必在意别人说“伪技术流”呢 :shifty:
现在天气冷，带个帽子防止感冒 B)

作者: Asuka 时间: 2008-2-2 16:25

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 15:13 发表

Intel的k有多High:lol: ，能给个数据不，感兴趣，什么材料地？

我觉得你很CCTV哎 o:)

作者: Asuka 时间: 2008-2-2 16:26
恒定20A/cm2电流，200s击穿

恒定-43V电压，140s击穿

如果上IBM现在的SiO2，毫秒级别就完蛋了

这就是某社干爹现在的尴尬处境 :shifty:

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 16:32

原帖由 itany 于 2008-2-2 16:05 发表

我的意思是：“32nm Bulk（Intel是用普通wafer加一道引入Strained Silicon的工序)”，阁下完全掩盖了Intel在32nm工艺上的优势
本来就不是“技术流”，何必在意别人说“伪技术流”呢 :shifty:
现在天气冷，带个 ...

这句有何问题-_- ，反正我认为32nm Bulk 和 32nm SOI，字面上体现的是Bulk和SOI，也就是两种substrate（SOI在降低成本和解决hot-carrier等问题后比传统的单晶硅Bulk有着明显的优势)，而某些技术流却认为Bulk是什么新技术的名词，所以我才加入"（Intel是用普通wafer加一道引入Strained Silicon的工序）",意思就是，如果不加入应力硅，光靠传统的Bulk根本不可能解决32nm的电子速率饱和问题-_- -_- 而且Strained Silicon wafer也在研发当中，所以strained silicon wafer也是一种bulk-在单晶硅上沉积SiGe混合物的Bulk，是可以实现strained silicon效应的wafer, strain silicon指的是在channel中的硅原子, 如果你认为是在SiGe混合物中的硅原子的话...-_- :lol: :lol:

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 16:46

原帖由 Asuka 于 2008-2-2 16:26 发表
恒定20A/cm2电流，200s击穿

恒定-43V电压，140s击穿

如果上IBM现在的SiO2，毫秒级别就完蛋了

这就是某社干爹现在的尴尬处境 :shifty:

也来一句：选择性请注意文明用词？IBM没有High K？45nm还用SiO2？-_- :lol: :lol: :lol:

我不是Fans，所以什么社跟我无关，用的也是Intel的CPU，而且当年P4被A fan骂成垃圾时，我是支持Intel(虽然用的AMD的CPU:lol: ）,因为Intel在桌面CPU和PC发展史上的地位是AMD无法替代的，如果没有Grove的偏执, 桌面CPU和PC的历史将会倒退10年:lol: ，客观是我地风格，PCI还真有点CCTV啊！

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 16:49
标题: 回复 45# 的帖子
Shi Ming都被某种水产么，以前看到过有帖子没被某种水产地:unsure: CCTV还在:lol:

作者: Prescott 时间: 2008-2-2 16:50
不看广告，看疗效。
IBM的45，和Intel的65性能很相似嘛

[ 本帖最后由 Prescott 于 2008-2-2 16:55 编辑 ]

作者: Asuka 时间: 2008-2-2 16:56

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 16:46 发表

也来一句：选择性请注意文明用词？IBM没有High K？45nm还用SiO2？-_- :lol: :lol: :lol:

我不是Fans，所以什么社跟我无关，用的也是Intel的CPU，而且当年P4被A fan骂成垃圾时，我是支持Intel(虽然用的AMD的C ...

INTEL之前在Al2O3上之前的积累终于产生最本质的甜头了，能够在前驱过程实现这么复杂的化学反应，并且生成热力学上不算很稳定而且不是很好生成的金属间共化物，这表明之前INTEL在Al2O3的PVD上确实下了不小的力气。

INTEL现在这个氧化物层的性能领先SiO2起码25个数量级，而且还有提升的空间，比如目前的沉积并没有取向选择，过渡层内部还可以通过人为取向沉积进一步优化结构。低温沉积工艺也有进一步提升的空间，甚至今后还可以进一步的做HfO2/HfAlO/HfAlSiOx/HfSiO4的超级氧化物层......

PS，

IBM的High-K？

IBM的45nm？

:charles: 请告诉我在哪里？苏黎世的宅男实验室里？？ :charles:

作者: itany 时间: 2008-2-2 17:09

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 16:32 发表

这句有何问题-_- ，反正我认为32nm Bulk 和 32nm SOI，字面上体现的是Bulk和SOI，也就是两种substrate（SOI在降低成本和解决hot-carrier等问题后比传统的单晶硅Bulk有着明显的优势)，而某些技术流却认为Bulk是什 ...

阁下要搞清楚，这里讨论的是32nm工艺的实现形式，而不是所谓的SOI和普通Bulk之间的比较
SOI通过赠机额外的绝缘层来抑制漏电，而变应硅技术可以在更小的驱动电压下保证通过晶体管的驱动电流，这样也可以减少漏电和功耗，提高性能。IBM所谓的改进型的SOI也是通过将硅原子拉伸来增加驱动电流，和Intel的实现形式就是一回事，但是效果又如何呢？
另外，SOI是在晶圆生产的过程中实现的，而通过Ge层来拉伸Si是在晶圆完成之后进行的处理过程。本来是否采用SOI也是Intel在审时度势之后作出的抉择。这就如同Intel在32nm要同时采用干式刻蚀和浸润式刻蚀两种技术来生产一样。这表明Intel是在统观全局的基础上取长补短和博采众长，而IBM正是在远离正途的小道上艰难的跋涉罢了

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 17:13

原帖由 Asuka 于 2008-2-2 16:56 发表

INTEL之前在Al2O3上之前的积累终于产生最本质的甜头了，能够在前驱过程实现这么复杂的化学反应，并且生成热力学上不算很稳定而且不是很好生成的金属间共化物，这表明之前INTEL在Al2O3的PVD上确实下了不小的力气。 ...

哈哈，是够High的，蓝宝石，PVD:lol:
关于IBM的45nm，这个月的ISSCC 2008上就发布，可以去听一下，顺便带上"PCI技术第一流"Itany:lol: :lol: :lol:

High K http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/20980.wss 自己看:devil:

作者: itany 时间: 2008-2-2 17:15

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 17:13 发表

哈哈，是够High的，蓝宝石，PVD:lol:
关于IBM的45nm，这个月的ISSCC 2008上就发布，可以去听一下，顺便带上"PCI技术第一流"Itany:lol: :lol: :lol:

High K http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressreleas ...

我从来都是“伪技术流”的，关键就是“抛砖引玉”，等到牛人来了好学习提高的…… :shifty:

作者: Asuka 时间: 2008-2-2 17:23

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 17:13 发表

哈哈，是够High的，蓝宝石，PVD:lol:
关于IBM的45nm，这个月的ISSCC 2008上就发布，可以去听一下，顺便带上"PCI技术第一流"Itany:lol: :lol: :lol:

High K http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressreleas ...

原来是美好蓝图啊，我还以为量产了呢，害我白惊喜一场 :ermm:

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 17:36

原帖由 itany 于 2008-2-2 17:09 发表

阁下要搞清楚，这里讨论的是32nm工艺的实现形式，而不是所谓的SOI和普通Bulk之间的比较
SOI通过赠机额外的绝缘层来抑制漏电，而变应硅技术可以在更小的驱动电压下保证通过晶体管的驱动电流，这样也可以减少漏电 ...

"我倒是要看看SOI的32nm，怎么和Intel的bulk 32nm对抗" 这是另一"技术流"Prescott说的，我的那个回复就是针对这个地:rolleyes: ，Prescott这句话意思就是SOI的32nm技术比bulk的32nm差远了:shifty:

作者: itany 时间: 2008-2-2 17:43

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 17:36 发表

"我倒是要看看SOI的32nm，怎么和Intel的bulk 32nm对抗" 这是另一"技术流"Prescott说的，我的那个回复就是针对这个地:rolleyes: ，Prescott这句话意思就是SOI的32nm技术比bulk的32nm差远了:shifty:

Intel的bulk 32nm

局限于SOI和Bulk之争岂不是和现在仍然局限于CISC和RISC之争一样可笑么？

作者: acqwer 时间: 2008-2-2 21:21

原帖由 Asuka 于 2008-2-2 16:56 发表

INTEL之前在Al2O3上之前的积累终于产生最本质的甜头了，能够在前驱过程实现这么复杂的化学反应，并且生成热力学上不算很稳定而且不是很好生成的金属间共化物，这表明之前INTEL在Al2O3的PVD上确实下了不小的力气。 ...

IBM的45nm可能真的搞定接近量产了，AMD、SONY现在不都在吹即将来到的45nm:p。
不过某公司的45nm上High-K的牛皮已经确定吹破。

作者: acqwer 时间: 2008-2-2 21:24

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 15:50 发表

发现这论坛还真是有些CCTV人，我发这个帖子只不过是让大家了解IBM的工艺，也根本没有吹嘘什么东西，全是IBM网站的文章，事实就是事实，如果你说IBM在官网上吹牛...-_-
Power6 4.7G的良品率是多少?:shifty: 拿出数 ...

IBM官网上的lotus、DB2等软件的介绍哪个不是完胜竞争对手的，实际嘛……

作者: bessel 时间: 2008-2-2 21:34
实际嘛，有300GB/s的带宽顶着呢，娃哈哈。

原帖由 acqwer 于 2008-2-2 21:24 发表

IBM官网上的lotus、DB2等软件的介绍哪个不是完胜竞争对手的，实际嘛……

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-2 22:35

原帖由 acqwer 于 2008-2-2 21:21 发表

IBM的45nm可能真的搞定接近量产了，AMD、SONY现在不都在吹即将来到的45nm:p。
不过某公司的45nm上High-K的牛皮已经确定吹破。

不用high k 就搞定45nm岂不是更牛:lol:

作者: itany 时间: 2008-2-2 22:39

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 22:35 发表

不用high k 就搞定45nm岂不是更牛:lol:

汽车不装轮胎也能上路，很牛吧，只不过就是做的人难受点罢了

作者: Prescott 时间: 2008-2-3 00:32
每年总是有些无知小白，把IBM的PR稿当令箭。去年那个什么gxxx2000已经消失了，再也不敢出现，今年又来一个。:wacko:

作者: UCBerkeley 时间: 2008-2-3 08:40

原帖由 Prescott 于 2008-2-3 00:32 发表
每年总是有些无知小白，把IBM的PR稿当令箭。去年那个什么gxxx2000已经消失了，再也不敢出现，今年又来一个。:wacko:

哦，这么敬业，半夜起来发贴？不愧是大Xia啊:lol: ，小白就小白:lol: ，借用E版主签名：A wise man never knows all, only fools know everthing:lol:

如果你认为IBM这近十年在半导体工业上取得的成就是吹xx的PR稿的话，请拿出证据证明下面的哪一个是吹xx的？-_-
1.Copper
2.SOI
3.Strained Silicon
4.Dual-Core Microprocessors
5.Immersion Lithography
6.Frozen SiGe Chip
7.High-K
8.eDRAM
9.3-D Chip Stacking
10.Airgap

[ 本帖最后由 UCBerkeley 于 2008-2-3 08:43 编辑 ]

作者: katerren 时间: 2008-2-3 11:48
我只喜欢贝尔实验室！

作者: vitto2 时间: 2008-2-3 15:23
其实谁的技术好看CPU的售价就可以看出来了。市场是最优胜劣汰的

作者: AMD11 时间: 2008-2-3 22:08

原帖由 vitto2 于 2008-2-3 15:23 发表
其实谁的技术好看CPU的售价就可以看出来了。市场是最优胜劣汰的

让我笑一把，哈哈:lol:

原来有人不知道在CPU的售价中还有一个“定位”因素，更何况还有诸如体系不同等等因素，用IBM的Cell和Power系列就能左右互博了。:lol:

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