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标题: （撒尿牛丸）现在的45纳米是不是有BUG??? [打印本页]

作者: zhangyi1984911 时间: 2008-7-24 20:08
标题: （撒尿牛丸）现在的45纳米是不是有BUG???
看了好多超频测试，温度好像蛮高的，45纳米和新制程应该不会那么大功耗吧，是不是显示温度高，实际温度没那么大？

作者: adfun 时间: 2008-7-24 21:09
笨~45NM电路距离更近自然有可能出现比老制程更热的情况挤啊热啊....

作者: zhangyi1984911 时间: 2008-7-25 17:10
额！！！！！！！！那意思晶体管制程越先进，越热啊？

作者: sonicxz 时间: 2008-7-25 17:13
{blush:] 你还真相信，如果同频率,NM越小反而更热，只能是工艺不成熟导致漏电

作者: zhangyi1984911 时间: 2008-7-25 18:31
那个家伙唬我，濑尿牛丸伺候！！！

作者: ayuankawa 时间: 2008-7-25 21:12
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作者: itany 时间: 2008-7-25 21:32
很浅显的一个道理，相同的功耗，面积约小越热。200W的电褥子，你躺上去很舒服；200W的电烙铁，皮都能烫掉了。就是因为电烙铁面积小了

工艺刷新同时，一方面要搞好功耗控制，另一方面要搞好传热，否则肯定越来越热

作者: amuro_ak 时间: 2008-7-25 21:34
lz头像是你吗:p :p

作者: shoppingonline 时间: 2008-7-25 23:18
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作者: fallen686 时间: 2008-7-25 23:40
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作者: kknd1967 时间: 2008-7-25 23:56
先说说什么软件读的温度
realtemp T-junction max: 45nm的是95c
coretemp T-junction max: 45/65nm的都是105c
这些软件都是读取cpu寄存器里记录的和T-junction max的差值

因为coretemp没有为45nm的T-junc作调整，用coretemp读出来的比实际高10c
我手上的Q9450，用缩水散热器，比Q6600还是凉快

[ 本帖最后由 kknd1967 于 2008-7-25 23:58 编辑 ]

作者: itany 时间: 2008-7-26 00:03

原帖由 fallen686 于 2008-7-25 23:40 发表
偶就不明白了,45的不意味着相比65的同频,有更小的核心面积,更小的功耗.

难道设计出来还是为了增加发热量

汗，上边都解释过了，单位面积上的发热量……
如果单单是工艺转换的话，功耗减少30%，面积减少50%，单位面积功耗要增加40%，如果在别的措施做的不好的情况下，温度就是会上升的

当然，现在的45nm已经解决了这个问题
但是天真的认为45nm在减少热量的同时必然能降低温度是不明智的！

作者: 3dit 时间: 2008-7-26 02:25
应该这样认为：45NM默认的不热，但超频的频率高了就热

作者: fallen686 时间: 2008-7-26 09:19
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作者: zhangyi1984911 时间: 2008-7-26 09:56
哇，谢谢大家给了我那么多知识，那个头像是偶GF。

作者: qcwei 时间: 2008-7-26 11:05

原帖由 adfun 于 2008-7-24 21:09 发表
笨~45NM电路距离更近自然有可能出现比老制程更热的情况挤啊热啊....

兄弟的见解很新颖，真有如醍醐灌顶！

作者: zhangyi1984911 时间: 2008-7-26 11:17
谢谢AMD FANS

作者: fallen686 时间: 2008-7-26 12:43
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作者: CCTV_1234 时间: 2008-7-26 12:47

原帖由 adfun 于 2008-7-24 21:09 发表
笨~45NM电路距离更近自然有可能出现比老制程更热的情况挤啊热啊....

大哥太聪明了，真是这么回事！78年1um工艺的68000，直接陶瓷封装，5V Vid，可从不用散热器！

作者: wsmax 时间: 2008-7-26 12:50
Q9温度比Q6低，谁说温度高来的？？？？

作者: fallen686 时间: 2008-7-26 12:52
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作者: spinup 时间: 2008-7-26 13:55
........温度数字都是传感器获得的数据经过算法算出来的。

工艺不同也就是说传感器参数不同。所以同样温度数据是不一样的。用老算法当然没办法得到正确的数据。

按以往的一些情况看，新制程的往往标示的温度偏高。这个不是工艺的问题，而是算法的问题。主板厂商更新bios后会变正常的。

作者: spinup 时间: 2008-7-26 14:16
再补充一些，
更小的线宽功率密度更大确实是正常的。不过这要在新工艺成熟，产品达到较高频率以后。
初期产品一般并不会比上一代末期产品功率密度更大。

另外硅本身是热的良导体，再加上良好设计的封装和散热器，即使功率密度更大，芯片温度上升也不会很明显。所以算法与新工艺不匹配才是最主要的原因。

作者: lanparty008 时间: 2008-7-26 15:42
要看什么U了，Q9650风冷4G满载不过64-65度，极限4.68G空载50度

作者: scowl 时间: 2008-7-26 17:23

原帖由 itany 于 2008-7-25 21:32 发表
很浅显的一个道理，相同的功耗，面积约小越热。200W的电褥子，你躺上去很舒服；200W的电烙铁，皮都能烫掉了。就是因为电烙铁面积小了

工艺刷新同时，一方面要搞好功耗控制，另一方面要搞好传热，否则肯定越来越热 ...

举的例子完全是两回事

散热器大小难道是跟随核心面积同步缩小？？

不管你芯片面积是1平方厘米还是0.5平方厘米如果热功耗是95W 用一个相应的散热器 2个芯片的温度不会有太大差别

作者: scowl 时间: 2008-7-26 17:26

原帖由 itany 于 2008-7-26 00:03 发表

汗，上边都解释过了，单位面积上的发热量……
如果单单是工艺转换的话，功耗减少30%，面积减少50%，单位面积功耗要增加40%，如果在别的措施做的不好的情况下，温度就是会上升的

当然，现在的45nm已经解决了这 ...

如果总热功耗比上代降低30% 在做好传热的情况下用同样散热器温度当然会下降啊

为什么不下降？

同一个散热器压100W的CPU是60度压70W的CPU还是60度？？

作者: itany 时间: 2008-7-26 17:47

原帖由 scowl 于 2008-7-26 17:23 发表

举的例子完全是两回事

散热器大小难道是跟随核心面积同步缩小？？

不管你芯片面积是1平方厘米还是0.5平方厘米如果热功耗是95W 用一个相应的散热器 2个芯片的温度不会有太大差别

热量不从管芯出来到顶盖，散热器有什么用？
热流密度变大了，温度梯度自然就增加了，这还有什么好说的么？

总效果是温度升高，还是温度下降，这个要取决于内部的温度梯度和外部的温度梯度孰轻孰重了

[ 本帖最后由 itany 于 2008-7-26 17:48 编辑 ]

作者: zhangyi1984911 时间: 2008-7-26 21:26
好专业，有点不明白了。

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