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本帖最后由 sonicxz 于 2010-4-2 16:24 编辑
据彭博社报道,美国旧金山联邦法院近日的一份文件显示,此前被控串谋操纵DRAM芯片价格的东芝、日立和三菱电机同意向法院支付2780万美元的罚款。
日立罚款金额最多,该公司将支付总罚款中的1150万美元;作为日本最大的存储芯片制造商,东芝被罚款920万;三菱电机被罚款710万。
此前因为涉嫌在1999-2002年向消费者收取过高费用,东芝、日立和三菱电机被控串谋操纵DRAM芯片价格。今年二月份,就有消息传出欧盟将对十家内存芯片制造商提出起诉,认为他们违反了反垄断法。除三星和海力士两家内存芯片大厂外,东芝、日立和三菱电机也在另外7家被起诉厂商之内。
据日经新闻社报道,东芝将于今年年内投资150亿日元(折合1.6亿美元)兴建一条先进工艺测试生产线,用以试制20nm级后段(20nm-24nm)工艺NAND闪存,计划2012年实现量产。
东芝目前是全球第二大闪存制造商,出货量仅次于三星电子。据报道,东芝已经向ASML订购了20nm级后段工艺生产设备,将与年内在位于日本三重县四日市Fab4厂房内兴建25nm以下工艺测试生产线。 |
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