内存将要跳水了~

zoff100

http://diy.pconline.com.cn/cpu/hq/sz/quote/1005/2124519_1.html

金士顿(Kingston) 05.14报价 05.18报价 涨跌 备注
金士顿 DDR 400 512M(KVR400X64C3)盒装 155 150 5↓ 有货
金士顿 DDR 400 1G 缺货 缺货 ― 缺货
金士顿 DDR2 800 1G 179 174 5↓ 有货
金士顿 DDR2 800 2G 322 317 5↓ 有货
金士顿 DDR3 1333 2G 345 345 ― 有货


威刚 05.14报价 05.18报价 涨跌 备注
威刚 万紫千红DDR 400 512M 160 148 12↓ 有货
威刚 万紫千红DDR 400 1G 285 275 10↓ 有货
威刚 万紫千红DDR2 800 1G 178 175 3↓ 有货
威刚 万紫千红DDR2 800 2G 325 315 10↓ 有货
威刚 游戏威龙DDR2 800 2G 350 330 20↓ 有货
威刚 极速飞龙DDR2 800+ 2G 360 340 20↓ 有货
威刚 极速飞龙DDR3 1333+ 2G 480 480 ― 有货

xinshiji168

赶紧跳吧，呵呵

Kane_Schen

OCZ的DDR 3呢？

Edison

传闻三星将大幅度增加半导体产能，而且各大 DRAM 厂商今年首季度利润成长惊人。

http://udn.com/NEWS/STOCK/STO1/5608161.shtml

全球最大記憶體廠韓國三星今年大擴產動作，且最快可能明年下半年即開出DRAM及NAND新產能，對才初見景氣復甦綠芽的DRAM廠再度帶來一大競爭壓力，且今早外電傳出，歐盟擬對三星、海力士、南科 (2408)等10家記憶體廠商祭出罰款，引DRAM股今連第二天同步重跌。力晶 (5346)、茂德(5387) 今連吃第2根跌停板，茂德率先跌破前波低點，而南科(2408)近午盤跌破5%，華亞科(3474)跌破半根停板。

韓國三星集團靈魂人物李健熙今年3月重披戰袍以來便一路展開科技事業擴張動作，繼續貫徹其「第一主義」作風，日前李健熙親自參與記憶體12吋Line- 16破土，並宣布將今年資本支出大幅調升至18兆韓元，且應用於包括晶圓代工、記憶體及面板擴廠，其中最高筆9兆韓元將應用於記憶體，由於爾必達陣營的力晶、茂德、瑞晶才剛欣喜今年下半年加入新產能競爭戰局，三星此時的大動作讓投資人對負債壓力較大的力晶、茂德信心低落，導致股價再觸跌停。除了三星積極擴廠動作引台DRAM股壓力之外，今早自外電傳出歐盟將在本月19日宣布對三星、英飛凌、海力士、美光、爾必達、NEC、日立、東芝、三菱電機及南科等10 家記憶體廠商依歐盟「反托拉斯」法律開罰，開罰金額約3億歐元，雙利空壓力下，DRAM股同步回測前波低點。DRAM股股后華亞科跌破20元整數關卡。

冰灵鬼

d3依旧坚挺 d2早就无视了

Edison

重點摘要/投資建議
• 三星宣布史上最高資本支出，其中記憶體廠房和設備投資高達9兆韓元。
• 近期DRAM現貨價仍呈現緩跌走勢。
• 維持華邦電(2344)買進的投資建議。

三星宣布史上最高資本支出，其中記憶體廠房和設備投資高達9兆韓元：
三星05/17/2010公佈史上最大投資計畫，2010年將投資26兆韓元(約226億美元)，當中研發投資佔8兆韓元，廠房和設備支出為16兆韓元，其中半導體和LCD部門各佔11兆韓元和5兆韓元。三星2010年初時預估2010年的資本支出為8.5兆韓元(約74億美元)，已高於2008年的60億美元，此次公佈的版本較2010年初大幅上升206%。
在半導體廠房設備的11兆韓元資本支出中，邏輯IC和晶圓代工僅佔2兆韓元，其它9兆韓元(約78億美元)皆用於記憶體事業，與2010年初預估的5.5兆韓元相較，增加了64%。記憶體部門的主要投資內容包括新建月產能達20萬片的12吋廠Line-16、提升Line-15製程至30nm、Line-10轉為12吋、第12、13、14、15條產線的產能擴充、將美國奧斯汀廠A1廠的生產線轉為12吋廠等等，其中Line-16廠預估2H11投產，將成為全球規模最大的記憶體晶圓廠。
目前三星在DRAM和NAND FLASH的全球市佔率約各為30%和40%，IBTSIC預估在三星大幅擴充產能，而台灣廠商受限於財務壓力、美日廠商擴產有限下，2012年三星在DRAM和NAND FLASH的市佔率將上升到近50%。
近期DRAM現貨價仍呈現緩跌走勢：
DRAM現貨價自04/2010以來便受到淡季效應以及PC廠商下調帄均搭載量的影響而下跌，05/17/2010 1G DDR3-1333收在2.85美元，1G DDR2-667則收在2.55美元。在合約價方面，DDR3-1333於05/14/2010由2.69美元小幅調漲至2.72美元，DDR2-667則維持在2.5美元。IBTSIC認為目前合約價已逼近現貨價，加上現貨價近期仍呈現緩跌走勢，2H10前合約價要再調漲的機會不大。
IBTSIC認為由於PC換機潮帶動需求上升，加上短期內新增供給有限，3Q10除非PC需求旺季不旺，DRAM價格仍有機會再度站上3美元。然而2H11三星新產能開出後，DRAM產業恐將再度面臨供過於求的壓力。
圖一、DRAM價格走勢資料來源：Bloomberg
投資建議：
近期DRAM族群股價大都出現較大修正，因此除南科(2408) 因目前股價淨值比仍相對較高，投資建議調整為觀望外，其它個股的資建議維持區間操作。
由於三星擴產的重心在標準型DRAM和NAND FLASH，NOR FLASH和利基型DRAM所受影響應不大，IBTSIC持續看好華邦電(2344)為近期NOR FLASH缺貨下的主要受惠者，預估2010年稅後EPS0.68元，每股淨值10.3元，投資建議維持買進，目標價2010年PBR1.1X。
表一、DRAM族群投資建議
資料來源：IBTSIC整理預估

evemylove

期待内存白菜价！

hzdl001

再跳水又如何，能有08年初的内存条便宜吗？

toyan

D2还能保值升值

liganmin

路过帮顶。。。

zidane1980

跳水的是DDR3，DDR2要贵到死了