Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

4 W! M( w, x7 _( a一、R2E的PWM芯片 9 s& E) p7 e  F0 X5 z  O* _0 s & B( i8 o! F) m4 T: ?0 F 6 c7 q2 f. i* V7 J ; k! r( F4 t* a2 I之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ' l+ o8 ?) x4 u9 f, {; a 8 a( `* E; T2 H( w5 U 8 d9 ]9 N  n  j# a4 B后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 0 z! {3 H  c& l; b5 Q直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 : O! F) |4 C# \6 l  ~* b% x 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 , c/ U2 n. S! J0 r( \5 M09年采用的是瑞萨电子的MOS , d5 L& c; _* s上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V , q3 t- e% |) F5 o 0 F3 Q% J. W3 N: E, g: |0 ]5 y下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V * }* l) w% U1 @( {1 P4 J) f 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 1 ~' s# f1 b: A' `& m0 `% v$ k包括前期的P5系列都是此MOS * T1 W/ m- ?4 c* Z* N. m 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 + E6 o: \' d- k, R1 X8 l 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V 5 F, p. i" {; c) U) X- I. d 1 Q! c/ s6 v3 [4 G( T, _0 p% R - T: \* k5 f4 a! X; c- z% T此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS & t9 j6 t: T/ ?$ |- y3 ]三、电感 & M- t$ E& F: ~ R2E每相电感为30A   4 y& X; Y4 u3 A1 w0 s" e* P. o16个电感可一共480W输出 & C' _7 s' b: o1 r- x6 K. UR3E提高了10A，为40A . n% p/ `# D2 c' d8个电感可一共320W输出 ! F# p7 F; \' t0 r, E: g3 }/ k, J 四、效率 # i$ A8 B, O) g7 I( M! k- B参见效率图 ; u1 X2 o3 t3 {4 \+ K; [图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

1 k; O& D: |% H" t4 A, q. @
/ \5 a8 Y; `) i: Q& B. [. Uhttp://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html