Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

3 @0 H+ K, r3 n7 I7 P! Z( B5 c 一、R2E的PWM芯片 7 s3 }$ C* n& {& I 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ; U6 c- ]% R' l# A8 ` 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 1 V# `4 B& P4 {  @& `% b" N/ F. d从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 / P1 c  G; A! u' B! U4 `直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 9 z  \% K! s/ x. z2 y 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS ! G1 u( U% G0 e" i/ L( J3 X8 K3 x) ]上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 3 w* ^# u, L6 d  E% }4 y( p- r( o 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V ! T# s5 C! d! s; U* h7 d. _ 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS 7 C/ T; t' i0 g ' s4 }- Z2 r% j4 A; O# a+ S , N% Q% U+ e* Q2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 . X0 ^- T1 ]. \# K& F! E# i上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 7 ?8 F/ _( x, M7 g# ?2 f4 o内阻6.3毫欧@10V . }1 D" m. y. b2 O* u" R4 _( L: X 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS & {0 t; C! m# k; M' v- X& y% a 三、电感 3 L8 |$ F0 K2 O( u8 L, \R2E每相电感为30A   16个电感可一共480W输出 + w6 g! n' p9 p0 m" t* ]  }  GR3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 四、效率 ! }/ y; Y* {+ e$ G. B参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

$ M+ P$ o* y3 a" A7 {3 R" n/ h3 H

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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