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楼主: liao228
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贴个图:8RDA3+更换MOSFET

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21#
 楼主| 发表于 2006-7-22 18:32 | 只看该作者
原帖由 自由战士 于 2006-7-22 17:47 发表
9 W  Q( p2 f$ j7 c# B! t
3 t" ~6 f% ?+ ?% E2 @
) p3 j7 r' z" i$ {) d% H影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3 ...
& U% K( B3 f- r) \1 R) y

- ~/ ]2 e: a. N: \8 }+ {看来自由战士在这方面是高手,无比佩服.但是查阅IRU3055的文档,没有提供驱动内阻的值,仅有其它几个参数,不知是否也能计算出理论上的功耗?  D7 H7 o0 s- W7 u+ p7 {- G# s3 {
能不能就以IRU3055和IRF2804为例,来详细分析一下呢?我提供IRU3055和IRF2804的基本参数:

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22#
发表于 2006-7-22 20:00 | 只看该作者
偶真的是很佩服
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23#
发表于 2006-7-22 22:00 | 只看该作者
这样装.非常不好.
  }0 }$ c+ w+ z$ T5 m' _
) z6 U5 E. S3 g% [+ `  Q场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.: V% w1 J3 j) v' p+ g- O

. C1 N4 ^  k1 [$ w- F1 ~7 @[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:09 编辑 ]
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24#
 楼主| 发表于 2006-7-22 22:58 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:00 发表8 l5 M$ s6 `2 j" a* [, h7 i3 p* P) a; l
这样装.非常不好., ^; p; w0 }9 x" N$ j) u
6 m3 r' J/ c! }. f5 M( H
场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.
0 p! t0 i# z% z! b1 S' G
$ B6 T( c: ?  A0 h: P" E3 N
      不见得不好,至少我能找到两种以上的主板采用立式安装,并且不带散热片的,前提是管子的性能足够强悍。而且立式安装的好处也是有的,即CPU风扇出来的风能够吹到。
; R- C7 ^% W0 d7 \+ A
3 i9 A9 K$ _! d8 L9 M# D      再补充一点,其实温度对MOS管参数的影响并不能算是“巨大”,MOS管的极限工作温度可高达175度,假设从20度升至60度的话,Rds最多只增加20%左右,一般的工作温度大致也就在这个范围内吧,我自制的甲类功放还工作在70-80度呢。并且,温度升高对除Rds以外的其它参数也产生影响,但并不是所有的影响都是坏的,有些甚至可能有好处呢。# j9 i3 @/ p5 q. o
! E4 c/ t3 R8 q
    本人理论知识不精,说错也难免,欢迎高手指正.
; n3 T2 h9 I7 I/ p) p& P' k& I  i; }
[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 23:52 编辑 ]

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25#
 楼主| 发表于 2006-7-22 23:06 | 只看该作者
Inel915芯片组,LAG775

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26#
发表于 2006-7-22 23:25 | 只看该作者
强悍死了。佩服惨了。
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27#
发表于 2006-7-23 21:39 | 只看该作者
这个也能换??真折腾啊
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28#
发表于 2006-7-23 21:45 | 只看该作者
我N奶机有块这爆浆板,自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容,单位找来的差不多的就焊上了~
0 K5 f9 l% [6 y. p$ N* }! A) ~) O) y3 h现在出了些莫名其妙的问题
5 ^* ^9 h3 q, g( P4 m+ G3 }供电电压极其不稳,3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
6 G2 Y) o) C/ k- S现在刻录机接上面都用不了,读盘都读不出来不知道硬盘什么时候挂……汗
& _( v, i% w! p$ p) |求教一下大概是那里的问题呀?
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29#
 楼主| 发表于 2006-7-23 21:58 | 只看该作者
原帖由 灰人 于 2006-7-23 21:45 发表
: I0 f2 n+ Y. |4 i3 \* }我N奶机有块这爆浆板,自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容,单位找来的差不多的就焊上了~3 j6 B  ^8 w8 I% E: j3 s& c6 Q
现在出了些莫名其妙的问题
5 Q8 g0 x# O  u+ A! f供电电压极其不稳,3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V$ E) n/ W0 O: h! @. t
现在刻录机接上面都用不 ...
3 M: R0 [; G/ ~( p% d$ f
2 ?" k! m7 w3 s
要么是你换的那些电容不好,要么就是电源有问题。
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30#
发表于 2006-7-27 14:17 | 只看该作者
我说帖片比插式的好不是想像的.从官方资料都可以看出
3 g( ]9 K8 E/ G, J同样的IR 2804 在标准情况下.SMD的RDS=1.5毫欧. 而TO220封装的是1.8毫欧.帖片的散热性和性能是要明显优于插式的.当然我是说能买到SMD当然是最好的.6 j+ E# Y* l$ v- `: Z
% g2 H& r$ N5 U: Y# N! [( t
另外.2804的上升下降时间也太长了.TF越长的话.管子也容易发热.
# k& }; f) W, k  Z4 Q+ Q2804   TR=120毫欧.TR=130毫欧.* H7 V0 m5 }- A

3 H2 v% l5 e. ^5 e我随便找了一个NF4X主板上面的.IR 的3709Z 的参数.   TR=12 NS    Tf=3.9NS.; I$ j- p1 b$ h1 D1 f+ c* U
/ \* B( K; x, g1 H) C; q! Q8 F5 f
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-27 14:18 编辑 ]

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31#
发表于 2006-7-27 22:33 | 只看该作者
楼上说得没错,mos的导通损耗是比较小的,跟BJT的饱和导通一样,但是作为高频应用的开关电源就不同了,上升和下降时间长的话在高频率的开关转换中就会产生较大的损耗,这也是高频开关电源损耗最大的一部分
: {- j' g; T7 \% M2 |ps:不是乱吹,有书为证的:)
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32#
发表于 2006-10-21 17:30 | 只看该作者
这次修改不太YY了,毕竟已是旧机,YY为重。
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