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Intel于美国举行IDF科技论坛,除了展示即将于11月推出的全球首款四核心处理器外,还透视了Intel明年45奈米制程技术最新发展及多核心晶片Teraflop的原型。
据Intel 执行长Paul Otellini表示,他们正在加速矽元件技术的演进,将带来新的效能突破,创造最佳化电源使用效益运算的新时代,降低发热量、延长电池续航力以及资料中心需要降低耗电成本等议题也日趋重要。而矽元件技术正是解决方案的核心,同时也是Intel努力中的焦点。
Paul Otellini表示,Intel新一代45奈米技术将按原定计画于2007下半年迈入量产阶段,现时已有 15款采用45奈米制程技术的产品正进行开发中。其中第一款产品将于今年第四季完成设计,Intel45 奈米厂房共有超过50万平方英尺的无尘室空间,总共投入超过90亿美元的资金。
此外,Paul Otellini预测续摩尔定律将在未来5年前持续有效,并计画每隔2年推出新的微架构,将在2010年之前,让目前的Core微架构产品的每瓦效能获得大幅提升。在2008年推出的新微架构(代号为Nehalem,锁定45奈米制程),以及将于2010年发表的微架构(代号为Gesher,目标为32奈米制程)。
据了解,这些新微架构将由不同团队同步研发,并让未来不同世代的制程技术有一段转换接手的时期。Intel期望在2010年之前,Intel推出每瓦效能比现今处理器高出300%的产品,功耗与效能方面的进步,将让研发业者与制造商能开发出崭新产品,并加入许多令人振奋的新功能。 |
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