意法甫与海力士合资12寸厂、再传与三星合作

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意法甫与海力士合资12寸厂、再传与三星合作
传意法与三星签订OneNAND Flash技术授权合约
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甫于10月中与海力士（Hynix）共同于无锡宣布合资成立12寸厂，正式采用80奈米制程技术量产DDRII的意法半导体（STMicroelectronics），于23日又再度传出将进一步扩大策略合作关系，将与三星电子（Samsung Electronics）共同签订OneNAND型快闪存储器（Flash）技术授权合约。

　意法与海力士合资的无锡12寸厂正式进入量产阶段，初步将采用80奈米制程投产DDRII，月产能在年底将拉高至1.5万片，而此讯息在发布后不到2周，市场上又传出意法将与三星策略联盟，三星将授权意法量产OneNAND型Flash商品，估计最快可在2007年初左右正式投产。

　市场人士认为，意法之所以会如此积极找寻策略合作伙伴，事实上与7月半导体设备展时，意法市场策略副总裁Guy Dubois的说法有关，Dubois当时表示，寻求伙伴共同承担研发费用、建厂成本是大势所趋，尽管IDM业者与晶圆代工厂模式不同，未来会持续贯彻结盟策略，推行「一夫多妻」（polygamy）的独特IDM模式（unique IDM）。

　分析师认为，意法与三星结盟，最主要还是着眼于未来能提供客户端一次购足的服务。仔细观察意法目前所拥有的产品线，在Flash部份已拥有大量生产NOR型Flash经验与产能，对于手机客户而言，NOR型Flash是1项相当重要产品，但由于未来手机愈来愈强调多媒体功能，也就是说对于储存部份需求同样与日俱增，也因此使得意法对于NAND型Flash产品需求度也相当强劲。

　因此，意法选择与海力士共同出资，在无锡成立12寸晶圆厂，虽说目前12寸厂主要还是用在DRAM，但紧接著也将陆续导入NAND 型Flash投产，这部份将可满足意法对NAND型Flash的需求，不过，NAND与NOR型Flash结合的商品也是未来手持式装置必备的零组件之一，这部份对意法而言，确实是其所欠缺部份，而要在短时间内取得这样商品，最快方式便是取得其余半导体厂技术授权。

　如此一来，将可使得意法快速进入此一领域，意法虽曾表示，开发NAND与NOR型Flash结合在一起商品并不困难，但重要的是要有客户需求，如今看来在终端商品部份确实愈来愈需要此一种类商品，而在此时能够取得三星技术授权，一般认为将会是最有效率方式。