英特尔：联合镁光建造新闪存工厂

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intel和micron公司日前宣布最新合作计划，两家公司将进行最新闪存芯片工厂的建造工程，新工厂已经是两家公司合作之后的第四座，目前计划建造位置设定在新加坡。另外，intel表示进展顺利的闪存制造业务同时也将会对自家的芯片需求作为有效增强和补充。
intel闪存部门总经理、intel公司副总裁Brian  Harrison表示，intel公司目前对于闪存芯片制造业务发展进程表现非常满意，因为其间所花费时间并不长，这将更有利于intel和micron两家公司在未来闪存技术市场的成长。借助intel每年一座300毫米晶圆工厂的发展计划，intel公司预计将会成为闪存芯片市场最强有力的领导厂商。
自制订出有关IM闪存工厂计划之后，intel已经在包括Nanassas，virginia，lehi，htah的300毫米晶圆工厂投产，并为来年的生产任务作前期支持和准备工作，而在此同时，micron公司也已经通过在产的工厂，包括boise， idaho工厂进行闪存芯片制造工作。
intel和micron预期新加坡的新投资合作工厂将会在2008年的下半年开始进入投产阶段，并初步采用50纳米技术应用到300毫米晶圆产品上，新加坡工厂的破土动工日期预计在明年上半年开始启动。