128Gb！三星开发垂直堆叠单元闪存

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日经BP社报道，韩国三星电子开发出了沿垂直方向堆叠存储单元的NAND闪存技术。和现有多芯片封装技术（MCP）将分别生产的芯片在封装时堆叠不同，该技术在制造时便在一枚芯片上垂直堆叠2个存储单元。目的是在不增大芯片面积的条件下，将存储容量翻倍，预计将使用于容量在128Gb的甚至更高的NAND闪存生产商。

三星表示，在只利用平面技术生产128Gb产品时，就算采用每个单元存储2bit的多值技术和电荷捕获技术，也很难将成本降到64Gb的水平。垂直堆叠技术的引入就是为了在开发大容量闪存时继续降低成本。

此次开发的技术，在堆叠的存储单元下层仍利用现有NAND闪存制造方法安置硅底板上。然后是绝缘膜，以及用化学机械抛光（CMP）技术处理的单晶薄膜，最后在在单晶薄膜上安置上层单元。在单晶薄膜上制造存储单元的手法同三星此前公布过的S3 SRAM生产技术相同。

三星的这项技术现在已经能够完成写入、擦除和读取等一系列操作，而且所堆叠的上下两层单元的性能并没有显著的差别，在可擦写次数上也非常类似。使用该技术的芯片将采用63nm制程制造。