Hynix发布60nm DDR2-800内存

逍遥无名 · 发表于 2006-12-18 20:04

韩国Hynix半导体今天宣布推出基于60nm 1Gbit DDR2 DRAM芯片的系列高容量内存模组。这种新内存适用于高密度DRAM组件和高性能产品，诸如图形和移动DRAM。Hynix表示将在明年上半年进行商业量产。

1GB和2GB UDIMMs工作频率在800MHz，并且通过Intel认证。Hynix强调，和第一代80nm技术相比，在60nm制程大规模部署之后，1Gbit DRAM的生产成本预期将降低50%。

1Gbit封装尺寸的结果，将让Hynix可以低成本生产4GB或者以上容量的RDIMM、FB-DIMM。双列小封装尺寸将免除在模组上堆叠部件的要求，以进一步降低生产成本。小封装尺寸也可以生产出VLP模组。

徐哈 · 发表于 2006-12-18 20:47

好啊

。。。。。。。。。。

star_wrx · 发表于 2006-12-18 22:20

会更好OC么。。。。。

只看该作者 · 发表于 2006-12-18 22:23

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Undertaker · 发表于 2006-12-18 23:14

在等个一年后大量量产后那就超爽了啊w00t) :lol:

只看该作者 · 发表于 2006-12-19 08:52

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华尔街商人该用户已被删除	4^# 发表于 2006-12-18 22:23 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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