三星：拿出全球第一款50nm工艺16Gb NAND Flash

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三星电子进入宣布出样全球首款50nm工艺容量高达16Gb的NAND Flash芯片，三星称这种产品采用了全新的MLC（多层Cell）设计，采用4KB地址读取取代了之前的2KB读取速度，这样大大加强了读取速度，效率提升大约为150％。

三星准备第一季度大规模量产16Gb NAND闪存芯片，并且这种芯片将大大加速闪存缓和式硬盘的研发和普及。三星的使用NAND Falsh闪存的混合式硬盘已经诞生许久，三星预测未来这种混合式硬盘的市场价值将超过45亿美元。
并且三星拥有自己的硬盘生产工厂，加上自己生产的Nand Flash芯片，其固态硬盘的竞争力将变得更有优势。