取代闪存 英特尔年底可量产相变内存

jeff318

在昨天举行的分析师及新闻发布会上，英特尔闪存小组的副总裁Brian Harrison和英特尔闪存小组CTO Ed Doller共同宣布英特尔将在2007年上半年推出90nm 128Mbit的相变内存样品。

　　英特尔在2000年起开始研究相变存储技术，并从Ovonyx公司获得了相关技术的授权。Ovonyx公司是Energy Conversion Devices公司的全资子公司。此外，2006年6月英特尔曾宣布与STMicroelectronics公司合作，一同开发基于硫化物的相变存储技术，以此取代闪存成为下一代非易失性存储解决方案。

　　由于目前闪存的容量很难提高，因此业界对相变存储技术的发展越来越感兴趣。奇梦达公司（Qimonda），也就是从原英飞凌公司分拆出来的内存公司，目前正与IBM公司合作开发相变内存技术。

　　Ed Doller在会上表示，128Mbit相变内存样品已经可以禁受1亿次的重复擦写操作，并且其上的数据可以保存10年以上的时间。“今后相变存储还将代替系统中的RAM内存。”

Doller补充说相变内存目前会代替NOR闪存存储方案。“我们目前的任务是对相变内存的技术进行宣传，使客户能够明白它是怎么回事，并且根据他们的需求来规划下一代产品。”另外他还表示相变内存在符合工业标准的温度范围内有着良好的表现。

　　Doller表示，英特尔会在今年年底之前实现量产，但是具体的量产日期还“取决于客户的需求”。