容量提升10倍的闪存芯片，硬盘的末日即将来临？

酷风

前几天日本东芝公司发布了一款新型的NAND闪存芯片。该产品实际上使用了一种名为三维存储单元阵列制造技术，也就是在闪存芯片的垂直表面上打贯穿整个芯片的孔，然后将硅电极嵌入其中，通过硅电极周围产生的氮化硅膜来进行数据存储。相对于目前正在被广泛使用的普通的NAND闪存，使用这种技术制造出来的新型芯片的容量，有可能可以达到比目前还高10倍的水平。显然，我们将会有机会用上容量达到320GB的闪存卡，或者……高容量的闪存固体盘。
对于硬盘生产企业来说，这绝对不是一个好消息。近年来硬盘容量的增长速度显然太慢了。