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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
8 x1 H1 G% Q1 J: x每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

  T1 V' |) r/ l" m, j2 t2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表
! G2 \" J# |% Z" T9 [$ G' B好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 3 J6 u" V7 ~- }
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

" a' x9 e7 \9 i+ R: w) i0 r5 }4 N3 S1 m0 m9 }1 @) I+ f
这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路* a/ \( O. I- v* B4 h
MOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。: J( N' q& J; |5 J# N
因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案5 [1 J7 U# H- s  n9 d1 K
再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。- b6 F6 Q* H# Z, V: q. G8 l

: L5 t$ t$ T( p( `  C: T: |, S至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
$ S, Q0 q* H. k3 B# I可以省掉?# E  }: j8 H6 R% B
如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。5 v8 i8 I3 L( O  Y% ]( c2 W
; R5 g* @# E" O4 p. W
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧5 G6 d: g, U$ V  D* ~; L
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
8 o. W+ s' S! O" `3 K8 [9 }. j* X4 p7 r& y+ h1 }
btw,这个讨论了也没意义哦
6 T1 b$ F. I5 N  ^像msi那种玩法的4相,不是一点点弱3 Q! k, z  U' G
7 A: b* ?. e9 L: Q6 n" u5 V5 R
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表 & I- ^7 C7 _7 c5 p% N) S1 P
8 \. D/ `1 s' D( z2 m/ Z
受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。
5 W* ?! d+ Y; K7 Y7 A其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表
8 b- c$ y: D8 W& F  g这个不开datasheet大会没有意义的吧
% c5 e4 F5 t! d* T- {2 T0 F% B5 x
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
* k. {8 ?: O- {# H1 s( r
. `8 Z! z" o0 Q( Y+ x: _btw,这个讨论了也没意义哦  g4 G4 N* f& O
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 ' `! ^  H7 T! W# z) v
) o& r& _  V5 o& E7 {6 K8 ~
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
4 j+ o# ^# \" A3 e" |* z5 q0 m5 ~, P! l7 C8 R2 O; t5 q
当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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