谁能解释一下为什么同代显存颗粒比内存颗粒频率能高出大约一倍？

Travis

同样采用2倍预取技术的DDR内存和GDDR显存（micro-BGA封装每颗32bit位宽），
DDR内存颗粒最高DDR400，折合成CELL频率就是200MHz，TCCD做到DDR500～600，就是250～300MHz
而GDDR显存做到大概2.8～2.2ns，就是DDR700～900，折合成CELL频率是350～450MHz

同样采用4倍预取技术的DDR2内存和GDDR3显存，
DDR2内存颗粒最高DDR2 800，折合CELL频率是200MHz，超频条1066～1200，就是266～300MHz
而GDDR3显存做到1.2～1ns，就是1600～2000，折合CELL频率是400～500MHz

采用8倍预取技术的DDR3内存和GDDR4显存，
DDR3内存目前主流是DDR3 1333，超频条DDR3 1600，也就是166MHz和200MHz的CELL频率
而GDDR4最高大概是2200～2400，也就是275～300MHz的CELL频率，这次差距算是小一些，可GDDR4频率没有提升就直接转16倍预取的GDDR5了……

谁能解释一下为什么显存颗粒的工作频率高出同代的内存颗粒如此之多？内部CELL的部分应该并没有多少区别吧。
呼唤存储时代zxm……