美国加州创业公司Crossbar, Inc.经过长期沉默后突然爆发,宣布了自主研发的全新大容量、高性能非易失性存储技术“Crossbar Resistive RAM”(电阻式记忆体/RRAM),号称可在200平方毫米大小(基本上就相当于个拇指盖)的芯片里存储最多1TB数据。 Crossbar同时宣布,已经在一家商业晶圆厂内开发出了可工作的Crossbar存储阵列,完整集成了单片电路CMOS控制器,从而迈出了投入实用的里程碑一步,而不仅仅是停留在幻灯片上。 目前,Crossbar已经完成了该原型的定性、优化,首款产品将会面向嵌入式SoC市场,并向SoC厂商开放技术授权,不过RRAM的适用范围极广,包括消费电子、手机、平板机、企业存储、固态硬盘、云计算、工业联网设备、损耗计算、安全支付等等,基本上NOR、NAND存在的地方都可以涉足。
看到这则新闻真是很期待!!
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