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7 ~% y9 G5 D+ C6 W% v0 P
9 D- C! k5 n) E# U5 D0 m! Z, B4 j
( P8 `. e" ^$ O+ B" @0 W) t一、R2E的PWM芯片" ~# t. {3 x* g" B8 e1 M! _
8 V+ N4 I/ T% I! t
4 \/ K7 L6 f6 Y& D) T2 L6 ]! @0 K
7 f0 C+ E9 T0 C
" H3 K+ m5 K/ g之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的,其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相,然后通过右边的IC单刀双掷成8相,这个截图来自于P5K/EPU主板4 A4 J5 T( p- L( K5 g* @- e6 ?8 f9 n
3 r1 e; _7 y: C$ ]. z
3 t( m% t* t v0 g# l6 t* G3 L, Y后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM* c& s9 ^& L7 _! j* o& Z
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相4 d1 _1 [8 v; r+ u! O$ D$ }7 g% h
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片% g# ~* H' J6 t' C' F4 I
) v- y- ^+ K5 n6 N* L
5 ~5 b5 j Z7 p& B# {( |) @9 b二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
& c s8 Y2 z5 z8 Q09年采用的是瑞萨电子的MOS
$ t& C+ @* F6 m上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V
5 T6 ] ] {2 {: b, d( c. f$ t( ^- H) Y4 d
; I: z, B4 e! Y1 u4 H2 R
1 b6 j6 |8 t! h# o) b- _下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V+ G3 t4 l9 V% p' a. N3 {
8 O, g+ i. Y& c& Z+ E
* r5 G2 q2 R$ S. h6 N/ w6 ^此组MOS遍布全板,包括北桥、南桥、PCIE供电( m& ?- X- e+ w9 p1 L$ F3 F
包括前期的P5系列都是此MOS2 |$ t" h) C$ R
; @6 t. Z# g4 {
6 s& `. p8 [8 b2 M& t% {
* u1 e! a0 O5 i L- P7 y- }8 w( F2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品" g( u8 V& [3 E, S. M2 ?9 f+ I
0 H$ [) f; \6 J' M. `( J3 i上下管均为改为NXP(恩智浦)的9025L 66A0 d9 t. c: r+ \0 s( g) |- Y
内阻6.3毫欧@10V
( m1 i" i4 V. E3 S5 g8 X7 W/ i: Z$ ?
7 N7 y3 G6 L; g9 y( r, n4 @9 f7 a$ O- r
2 m# g( I2 J# h此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS# O9 b' E; o% I. {
; T* s/ I: x4 K5 {$ p% J三、电感
) y# j+ \7 g j4 Q+ w3 k9 r ; `* D" f9 G! s! p! C5 P* ^
R2E每相电感为30A ( H. q+ ^' {! c5 U# |
16个电感可一共480W输出
: d# g' Q) K. C- Z. G8 i , Y- k" i; ~0 E5 i( Z* c/ J! A6 ^
R3E提高了10A,为40A
+ n& y3 h6 e9 }8个电感可一共320W输出
. e0 E# ~1 V, Z8 j1 w) _
( r$ r# V; M8 r
8 x8 s5 j, K1 O, [0 {0 p四、效率
* _( ^9 r* D& R; W( e X# P% |9 e参见效率图' d3 b8 a% D _8 |& F- {! n
图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电
# I" \+ f1 x8 C4 q7 D7 [ |
# A7 B: R9 U, m5 s. b7 U" T$ { |
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