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一、R2E的PWM芯片
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% m4 ^ Y0 L2 s& U& q* l* @
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V" K, e1 u5 V, Y
1 s) L) v2 q0 {) v之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的,其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相,然后通过右边的IC单刀双掷成8相,这个截图来自于P5K/EPU主板- F6 ?9 n2 u t4 m
; Z/ s8 x7 l& A9 C
4 v% ~6 C" V0 c K$ x" q7 z: }后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM
! O- w; h D- \# ^9 O从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相. S% h" o+ `" E" Y9 d( D0 q
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片; _; `* A# Y P9 W) \
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7 g0 q7 b% f4 |# T二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
, W# N3 G' |: I09年采用的是瑞萨电子的MOS
' \1 v# K6 D2 [8 V w! @上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V* ]( ^" ~: w5 f$ z$ o
& H, Z/ `6 E- A6 K4 ?* Q5 C! P3 F
0 h3 S: N3 g; e7 B& y' ~& o. O7 Z
Q4 A: J% t/ _下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V
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: ~6 k% ]7 v+ U5 w1 A- i- x7 D# `/ r v( j) E7 B
此组MOS遍布全板,包括北桥、南桥、PCIE供电
* y# H; q" K8 ]4 }" n# s* E- Z包括前期的P5系列都是此MOS
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5 u& V/ T: k% e3 E 7 H' b, ?) m0 {9 L0 Y9 V
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2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品
& _) n- d/ _0 }( _/ h5 c4 b$ v5 Q6 [" O* H: H9 c5 Z
上下管均为改为NXP(恩智浦)的9025L 66A) L8 ~/ B- t ?) Y! i. Y! t
内阻6.3毫欧@10V
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" S$ c+ a J, m6 H/ A" g 9 f9 y+ Y" B4 M
此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS' H& ^( Z; {( o; n& E
1 k+ m" a# ~5 V# X+ L7 z. q三、电感- o: i# I- ?& }$ t. Z& |; `3 }! ~5 ~. K
- ~' `) c6 y, i8 f+ wR2E每相电感为30A
, u2 k% c" J& f) R9 y16个电感可一共480W输出
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R3E提高了10A,为40A
+ G" c1 j# }4 h6 {2 I$ K9 S" B8个电感可一共320W输出
6 P; H% ^( D2 j' s; L& V . ]1 T7 ~. D4 G5 [5 P$ }% X
; F& K3 ]- P1 {. Q3 m. U9 ^3 J8 U四、效率
1 F4 Q) M+ \% [0 o7 y9 S参见效率图
& o, ~( m# u, x% v- X# N( ?图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电
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