Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

/ S4 y) f3 a. S 一、R2E的PWM芯片 9 J: C, Z! A0 I+ I8 O % m4 ^  Y0 L2 s& U& q* l* @ $ ?1 K+ p# Y' D; q% F5 A   V" K, e1 u5 V, Y 1 s) L) v2 q0 {) v之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ; Z/ s8 x7 l& A9 C 4 v% ~6 C" V0 c  K$ x" q7 z: }后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM ! O- w; h  D- \# ^9 O从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 7 g0 q7 b% f4 |# T二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 , W# N3 G' |: I09年采用的是瑞萨电子的MOS ' \1 v# K6 D2 [8 V  w! @上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V & H, Z/ `6 E- A6 K4 ?* Q5 C! P3 F 0 h3 S: N3 g; e7 B& y' ~& o. O7 Z   Q4 A: J% t/ _下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V 2 c/ M) O; O! w6 Y- | : ~6 k% ]7 v+ U5 w1 A- i 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 * y# H; q" K8 ]4 }" n# s* E- Z包括前期的P5系列都是此MOS 4 v. Q' W8 P! I) w4 t7 Q& Q 5 u& V/ T: k% e3 E 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 & _) n- d/ _0 }( _/ h 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V % _6 e* ]4 r" l5 k: X0 ]9 Z  { " S$ c+ a  J, m6 H/ A" g 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 1 k+ m" a# ~5 V# X+ L7 z. q三、电感 - ~' `) c6 y, i8 f+ wR2E每相电感为30A   , u2 k% c" J& f) R9 y16个电感可一共480W输出 $ S+ F0 h0 Q- \8 O- Z+ ?7 u R3E提高了10A，为40A + G" c1 j# }4 h6 {2 I$ K9 S" B8个电感可一共320W输出 6 P; H% ^( D2 j' s; L& V ; F& K3 ]- P1 {. Q3 m. U9 ^3 J8 U四、效率 1 F4 Q) M+ \% [0 o7 y9 S参见效率图 & o, ~( m# u, x% v- X# N( ?图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 8 v2 j( y. n6 j( J& F; v- a

- g. @( o( L, X& z

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

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aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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