求MT 5B-F 1G*2 在DFI NF4-D内存参数设置

flyjacky2888

我的系统：
DFI LP UT NF4-D        Thermalright HR05-SLI
OP185 @ 3G  250*12 Thermalright Ultra120
OCZP5002GXTC-K 官网参数：3-3-3-8 @ 250MHZ 2.7V，SPD 3-3-3-10 @ 2.5V，根据介绍应该是 MT 5B-F 颗粒。
海韵S12+ 650W
蓝宝石 HD3870

现情况如下：
我的CPU：OP185 @ 3G  250*12，内存异步3-3-3-8 @ 200MHZ 跑ORTHOS 3小时无任何差错。跑3DMARK06、WOW连续10小时以上，COD4全部OK。
      内存：3-3-3-8 @ 250MHZ 2.7V memtest86+ 1.65 200% OK
问题如下：OP185 @ 3G +  OCZ 3-3-3-8 @ 250MHZ 2.7V，可以进XP，跑PI 32M 没问题，3DMAR06也没问题。跑ORTHOS才2分钟就出错，参数调了很多次，还是无法跑。
我的DFI LP UT NF4-D BIOS参数：
LDT Voltage Control........................... - 1.312v
Chip Set Voltage Control...................... - 1.5v
DRAM Voltage Control.......................... - 2.7v

DRAM Configuration Settings:

DRAM Frequency Set............................ - 200=RAM/FSB:01/01
Command Per Clock (CPC)....................... - Enable
CAS Latency Control (Tcl)..................... - 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd)..................... - 3.0
Min RAS# active time (Tras)................... - 8.0
Row precharge time (Trp)...................... - 3.0
Row Cycle time (Trc).......................... - 14 Bus Clocks
Row refresh cyc time (Trfc)................... - 16 Bus Clocks
Row to Row delay (Trrd)....................... - 03 Bus Clocks
Write recovery time (Twr)..................... - 03 Bus Clocks
Write to Read delay (Twtr).................... - 02 Bus Clocks
Read to Write delay (Trwt).................... - 03 Bus Clocks
Refresh Period (Tref)......................... - 3072 Cycles
DRAM Bank Interleave.......................... - Enabled

DQS Skew Control.............................. - Auto
DQS Skew Value................................ - 0
RAM DLL SPEED................................. - High Speed
DRAM Drive Strength........................... - Level 6
DRAM Data Drive Strength...................... - Level 1
Max Async Latency............................. - 8.0ns
DRAM Response Time............................ - Normal
Read Preamble Time............................ - 6.0ns
IdleCycle Limit............................... - 16 Cycles
Dynamic Counter............................... - Disable
R/W Queue Bypass.............................. - 8 x
Bypass Max.................................... - 04 x
32 Byte Granularity........................... - Disable(4 Bursts)

主要是不知道红字那2个参数设置是否正确！前一个参数 Level 6 和 Level 8都试过！

[ 本帖最后由 flyjacky2888 于 2008-1-31 10:03 编辑 ]

flyjacky2888

真遇到技术上的问题，回贴的XD 真少啊！可是那些口水贴，动不动就是10页、20页！而且是在号称技术的论坛！:funk:

见龙卸甲

会不会条子有问题

initial_f

DRAMDrive Strength
Settings = Auto， 1-8 ，步进为1。
　　这个参数用来调节内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。
　　如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFINF4主板上调试和测试的结果，1 3 5 7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2 4 6 8是性能较好的参数。TCCD建议参数为3 5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。
影响：主要影响稳定性
建议设置：TCCD建议参数为3 5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。
DRAMData Drive Strength
Settings = Levels 1-4， 步进为1。
　　这个参数决定了内存数据总线的信号强度，数值越高，信号越强。要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。
影响：主要影响稳定性
建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。

initial_f

这个是2.5@250 3-3-8-3-7-14的参数...memtest86+ 26pass