ASUS P5Q系列主機板研討會部份PPT圖片

sxs112

小弟挑了幾張重點來放，至於內容的話....因為小弟不太懂這方面的東西..所以就不多表示意見
* M' ?5 w1 V6 f% J- S. H- W6 t



! u' D4 F- T2 X) y* F
& d9 v' Q6 q1 ]) X

; q5 \/ ^4 E$ V. c, L( @





; n( a, |# s. K& ^/ g

; {$ }: ?5 v# [$ U* ~5 G/ t5 n) h
2 c: ^* c9 @5 G- T7 Z, Z% M

) M3 ]- @8 O' F. B& J" W) I! @
. h2 o' n6 v$ M1 {" x" b* W

9 i1 f/ j# J6 ~  G9 Z+ G( d
+ D3 j; x7 x% z) ?! d
% u! ?' ^& s, I

( v- `$ D# b# {內容有酸了G-Brand幾下....
2 o: \7 n, Y; s
3 }) g$ X1 p3 g8 A[ 本帖最后由 sxs112 于 2008-5-18 20:23 编辑 ]

Travis

非常地具有误导性，不过总算可以看到华硕对自家“真16相”的分析了

MOSFET Driver是可以把两路的Driver做在一颗芯片上的，以往的板子上有这种设计
% _1 e2 y( k3 Y8 e# j  u不过这么多相必然要有对应的Driver，而PWM Controller内部整合的Driver显然是数量不够用的。
4 F) u7 |& J* H7 i电容并不单独属于某一相，所有的电容都是并联在一起的
& j9 @' e  i4 y8 Z- F: c4 M2 k
+ b8 ~& @/ Q/ c  t( C- v& ~# Y, E4 Y这次还是看不到EPU是谁家的芯片，不过应该还是一颗四相的芯片
4 h! s% m9 b( _8 m而PEM就是一个四路电子开关，轮流控制向四组四相供电输送信号。这个最好用示波器来验证。
这样一来，轻载下实际上是PEM在控制相数在4、8、12、16间切换，EPU（其实就是PWM Controller）同时降低频率
7 G) O5 k; A  U* t相数从6相提升到16相（如果真的是16相轮番开关的话），相当于开关频率提升了三倍，ripple当然减少
感值的问题，因为真16相的MOSFET上桥导通时间明显变短，所以感值可以取小一些，低感值的动态性能会更好，负载瞬变时的过冲会小一些，然而华硕在16相方案上使用的1R0反而比8相上的要大不少，这样估计是为了轻载降低相数和频率时仍然工作在连续导通模式。
MOSFET是Low Rds_on型，然而开关频率高了以后MOSFET的开关损耗会上升，这就要看具体MOSFET的性能参数。
具体这个“真16相”设计和技嘉的6相设计在开关频率上相差多少？这个是和ripple性能相关的。
5 {& Z. ]! ^7 I, A2 W: @3 m如果找不到控制芯片的资料就只能用示波器去测量了。
1 \8 k1 b4 Y% P' s, c, y
; X: j" @% u) e! B) u和G牌的六相散热对比是刻意使用了CPU水冷，使得CPU散热器对周围供电的散热基本帮不上忙。这也说明即便有华丽的热管和鳍片，水冷时仍要注意CPU供电的温度。
7 A- U7 E- w6 d
总的说来，提供了有用的信息，然而本身是很具有误导性而且很没水平的市场宣传。

newshore

晕，这么多说道，看来我要重新考虑一下了。