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2160的MO步进和GO步进在超频后功耗有区别?

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1#
发表于 2008-7-28 09:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
比如两者都超频到3G的话,很多人都说MO的功耗和温度会低点,真的如此?
2#
发表于 2008-8-3 10:59 | 只看该作者
先用的M0步进的2160,默电只能稳定300外频,电压显示1.280V,超266外频用和默认外频下温度无区别,待机温度35度左右,后用的G0步进的2160,默电稳定390外频,电压显示1.296V,超266外频用和默认外频下温度无区别,待机温度40度左右.
不知道是不是个例~
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3#
发表于 2008-8-3 12:51 | 只看该作者
{closedeyes:] g0是后来的工艺~
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4#
发表于 2008-8-3 18:44 | 只看该作者
你如果用默认电压(差不多1.3v左右吧)超mo到3g
跟一个降压到1.1v左右的g0超3g,功率很可能差不多。

所谓的MO低温,也必须得建立在体质上才有意义。

其实最有效的我感觉是:功率基本跟温度成正比。。。。
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5#
发表于 2008-8-3 19:47 | 只看该作者
加压1.45V才能到3.0G的2160 M0飘过

无奈

温度  40度,就是电压高
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