V-data威刚 万紫千红DDR2 800 2G台式机内存条

annamin

V-data威刚 万紫千红DDR2 800 2G台式机内存条


在JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council；美国电子工程设计发展联合协会)将DDR2 800纳入规范之际，「威刚科技」也紧接着领先全球同业发表对应产品。震撼业界的威刚Vitesta DDR2 800内存模块，让AMD AM2 CPU平台与Intel x965系列芯片组更加如虎添翼，以6.4GB/s的传输频宽，搭配双通道架构所展现出的优异效能令人期待。
Vitesta DDR2-800采用64x8的颗粒配置，容量从512MB起跳，并另有1GB的版本，甚至未来将持续导入更高容量的产品。
既然符合JEDEC标准，因此Vitesta DDR2 800经由1.8V电压运作，并属于240Pin脚设计。然而，威刚实验室研发人员发现，现有DDR2-800的内存颗粒蕴藏了极大的潜能，能进一步激发出内存效能，将系统整体表现推升至更高境界。
而在相同的工作频率条件下，与2.5V之DDR相比，DDR2藉由1.8V低电压之助，能有效减少约50%耗电。同时，为了实现频率加乘的效果，DDR2透过4-bit Prefetch架构的优势，即便核心采低速运作，却能于外部数据总线（Data Bus）发挥高速的实力，因而达到DDR2 800的水平。



特色技术：
与DDR 相较，DDR2 凭借以下4 项关键技术，实现：

• 高速传输与低功率 (低耗电)之特质。
• 四位-预先攫取---- DDR2 藉由：4 倍之数据传输量，实现高速传输。同时，也是DDR 传输速率的2 倍。在此四位-预先攫取技术的架构中，「读」跟「写」将以：内部排线频率之4 倍等效频率实现。这也是为何DDR2 能达成内部总线之4 倍传输速率的原因。内建中断电阻设计
• DDR2 内部预置：主机板之阻抗匹配所需的中断电阻，能大幅衰减之前的传输讯号，移除残留反射讯号之噪声干扰，增进一清晰之逻辑准位，避免接收到一错误数据。
• 外部讯号校正技术---- OCD 是一组输入/输出之驱动电阻，被用以调整「差动电压讯号」波形之交叉点，以便平衡上升与下降讯号之波形；可大幅提升：自内存模块到芯片组间的噪声抵抗能力。
• 后置CAS 与AL 技术---- Posted CAS (Column Address Strobe) 是为了提高DDR2 之存取效率而设计。在 Posted CAS 中，CAS 信号 (读/写命令)能够被安插到RAS (Row Address Strobe) 信号后面的一个频率周期；这使得CAS 命令可以在：附加延迟 (Additive Latency)的后面 (0, 1, 2, 3, 4) 个周期，仍然保持有效且可以被执行。这可简化控制电路的设计，避免总线上的冲突，并且提升效率，同时简化执行命令的顺序；更重要的是：藉由移除「气泡」的方式，增加实际内存模块之频宽。

购买及详细链接：http://www.icson.com/Items/ItemDetail.aspx?ItemID=12504&ls=50109

sitdown

都开始发国难财了。

MARIO0o

295 好样的！哈哈

gaozhem

等999再买一对.. 我也等