一个专门从事闪存芯片制造的公司,也是一个专门从事固态硬盘控制芯片设计的公司。可以想象有着如此巨大优势的公司会造就出怎样伟大的产品——这就是Intel。将近1年前Intel推出了SSD固态硬盘X25-M,在这个2.5英寸的小固态驱动器里采用MLC闪存颗粒。在当时,它可以说是SSD业界无冕的性能之王。事实上,从今天的科技发展角度来看,他仍然是难以被赶超和击败的强者。
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从去年11月Intel发布X25-M以来,在固态硬盘制造领域已经发生了翻天覆地的变化。三星设计了全新的SSD固态硬盘控制芯片,并出售给OCZ和海盗船,它提供了更强的数据吞吐能力,甚至在某些评测项目中超过了Intel的X25-M。而韩国的著名SSD控制芯片厂商Indilinx也推出了全新的SSD控制芯片解决方案,抢夺了目前50%的SSD控制器市场份额。Indilinx在业界的流行是有其道理的,Windows 7开始对SSD固态硬盘进行底层优化,Indilinx有着强大的随机写入性能和TRIM技术。这些先进的特性已经足以与X25-M一较高下。
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然而Intel的固态硬盘产线众多,X25-M系列也在不断的革新。去年11月,Intel发布了采用SLC闪存颗粒的X25-E,通过这个“E”我们可以猜到,它是面向企业级的高阶产品。另外一个产品线是1.8英寸的X18-M固态硬盘。而在今年4月,Intel发布了最新的X25-M和X18-M固态硬盘的升级固件。在X25-M发布之初,其售 价高达600美元,而今年Intel的主要目标就是要将SSD固态硬盘的成本和售价拉下来,使之成为广大消费者能够买的起的高性能存储产品。目前全新版本的X25-M售 价仅仅是发布之初的一半。
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目前来说,固态硬盘仍然是一个昂贵的硬件,即使你是一个高阶玩家,想要获得超高的性能表现也要付出巨大的成本代价。当然固态硬盘的价格一直在下滑。对于Intel来说降价的基础绝对不是缩小容量,更不是偷工减料。他们采用了全新的34nm制造工艺技术。举例来说,这使得目前最新的X25-M的售价为225美元,这比上一代X25-M价格要便宜了35%。
Intel声称,这是全新的产品,新的型号,它的速度会超过以前的SSD固态硬盘。在一个美丽的下午,我们收到了这块Intel最新的固态硬盘,下面且让小编带领大家一同领略它的风采。
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减去16个纳米
事实上,固态硬盘的结构相当简单,它仅仅是闪存芯片阵列。而最好的降低成本的方法就是转移到更为精细的制造工艺技术。让具备同样存储能力的芯片,压缩到更小的尺寸面积上。早期的X25-M使用的是50nm制造工艺技术的MLC NAND闪存芯片。而全新的X25-M采用的是34nm制造工艺技术。这导致的直接后果是,在同样的芯片成本下,可以直接提高每一个存储芯片的容量,进而提升硬盘的整体容量。例如早期的X25-M用了20个4GB的闪存芯片组成存储阵列。而现在每个存储芯片的容量可以达到16GB。那么可以轻松将容量提升到320GB。
第二代X25-M固态硬盘内的控制芯片也非常的“鲜嫩”,尽管在芯片面积方面它并没有任何收缩。之所以说它非常鲜嫩是因为Intel采用了无卤素的芯片制造工艺。深度的讲,这也有助于笔记本电脑厂商的绿色电脑评级。根据Intel的资料,该SSD控制器也采用的是一种高阶的阵列技术。它采用的是一个10通道的设计。有趣的是,Intel并没有透露这颗芯片的内部时钟速度是否有显著提升。
新老X25-M:规格对比
但是从规格上来看,Intel全新的X25-M固态硬盘的缓存架构放慢了速度。这是为什么呢?新SSD,集成有32MB的DRAM高速缓存,工作频率为133MHz。上一代X25-M的高速缓存仅有16M,但是它的工作频率为166MHz。新的SSD缓存频率比上一代整整少了33MHz。而对于现今的其他竞争对手而言,Indilinx已经有了可以驱动64MB高速缓存的SSD控制芯片。而三星最新的控制器可以配备128MB的高速缓存。 而Intel辩言道,新的控制芯片的潜伏期已经明显得到改进。硬盘的随机读取潜伏期已经从85微秒降低到了65微秒,而随即写入延迟也从115微秒下降到了85微秒。这意味着会有25%的性能提升。虽然高速缓存的运行速度有所降低,但是其潜伏期却大大改善,两者得到了中和。 | M25-M | M25-M 二代 | 控制器 | Intel PC29AS21AA0 | Intel PC29AS21BA0 | 闪存芯片工艺 | 50nm | 34nm | 容量 | 80, 160GB | 80, 160GB | Cache | 16MB | 32MB | 最大读取速度 | 250MB/s | 250MB/s | 最大写入速度 | 70MB/s | 70MB/s | 读取潜伏期 | 85 μs | 65 μs | 写入潜伏期 | 115 μs | 85 μs | 最大4KB写入IOPS | 3,300 | 8,600 (160GB) 6,600 (80GB) | 最大4KB读取IOPS | 35,000 | 35,000 | 负载功耗 | 150 mW | 150 mW | 闲置功耗 | 60 mW | 75 mW |
除了减小潜伏期之外,加快随机写入也是一个性能优化的重点。Intel声称新的80GB X25-M在4KB随机写入的操作数可以达到6600 IOPs。而最初的X25-M仅有羞愧的2000 IOPs。全新的X25-M 160GB版本则有着8600 IOPs。而在随机读取操作方面X25-M依然有着惊人的35000 IOPs性能表现。 虽然X25-M的随机写入性能明显得到了改善,似乎已经可以适用于大负载的写入数据呼叫任务环境。但是它的实际写入性能仅有70MB/s。在X25-M刚刚推出的时候,它的写入速度就并不被所有人看好。因为Indilinx和三星的固态硬盘写入速度在200MB/s的等级。Intel表示,目前持续写入速度在新版本内并没有得到大幅增加,X25-M第二代Intel的主打基调是拉低主流固态硬盘的售 。而此后在我们的评测中,也反映出了这个问题,X25-M的写入性能并未有大幅提升。
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