INTEL英特尔 G2 160G SSD固态硬盘 SSDSA2M160G2HP全新！1650元

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英特尔 G2 160G SSD固态硬盘 SSDSA2M160G2HP全新！！！现货！未拆封！物品网上实物图 需要的朋友抓紧了，数量不多！！
Model:SSDSA2M160G2HP  3Gb/s SATA SSD 160G 5V 1A
HP/PN:583513-001
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一个专门从事闪存芯片制造的公司，也是一个专门从事固态硬盘控制芯片设计的公司。可以想象有着如此巨大优势的公司会造就出怎样伟大的产品——这就是Intel。将近1年前Intel推出了SSD固态硬盘X25-M，在这个2.5英寸的小固态驱动器里采用MLC闪存颗粒。在当时，它可以说是SSD业界无冕的性能之王。事实上，从今天的科技发展角度来看，他仍然是难以被赶超和击败的强者。 从去年11月Intel发布X25-M以来，在固态硬盘制造领域已经发生了翻天覆地的变化。三星设计了全新的SSD固态硬盘控制芯片，并出售给OCZ和海盗船，它提供了更强的数据吞吐能力，甚至在某些评测项目中超过了Intel的X25-M。而韩国的著名SSD控制芯片厂商Indilinx也推出了全新的SSD控制芯片解决方案，抢夺了目前50%的SSD控制器市场份额。Indilinx在业界的流行是有其道理的，Windows 7开始对SSD固态硬盘进行底层优化，Indilinx有着强大的随机写入性能和TRIM技术。这些先进的特性已经足以与X25-M一较高下。   然而Intel的固态硬盘产线众多，X25-M系列也在不断的革新。去年11月，Intel发布了采用SLC闪存颗粒的X25-E，通过这个“E”我们可以猜到，它是面向企业级的高阶产品。另外一个产品线是1.8英寸的X18-M固态硬盘。而在今年4月，Intel发布了最新的X25-M和X18-M固态硬盘的升级固件。在X25-M发布之初，其售 价高达600美元，而今年Intel的主要目标就是要将SSD固态硬盘的成本和售价拉下来，使之成为广大消费者能够买的起的高性能存储产品。目前全新版本的X25-M售 价仅仅是发布之初的一半。   目前来说，固态硬盘仍然是一个昂贵的硬件，即使你是一个高阶玩家，想要获得超高的性能表现也要付出巨大的成本代价。当然固态硬盘的价格一直在下滑。对于Intel来说降价的基础绝对不是缩小容量，更不是偷工减料。他们采用了全新的34nm制造工艺技术。举例来说，这使得目前最新的X25-M的售价为225美元，这比上一代X25-M价格要便宜了35%。   Intel声称，这是全新的产品，新的型号，它的速度会超过以前的SSD固态硬盘。在一个美丽的下午，我们收到了这块Intel最新的固态硬盘，下面且让小编带领大家一同领略它的风采。    减去16个纳米   事实上，固态硬盘的结构相当简单，它仅仅是闪存芯片阵列。而最好的降低成本的方法就是转移到更为精细的制造工艺技术。让具备同样存储能力的芯片，压缩到更小的尺寸面积上。早期的X25-M使用的是50nm制造工艺技术的MLC NAND闪存芯片。而全新的X25-M采用的是34nm制造工艺技术。这导致的直接后果是，在同样的芯片成本下，可以直接提高每一个存储芯片的容量，进而提升硬盘的整体容量。例如早期的X25-M用了20个4GB的闪存芯片组成存储阵列。而现在每个存储芯片的容量可以达到16GB。那么可以轻松将容量提升到320GB。   第二代X25-M固态硬盘内的控制芯片也非常的“鲜嫩”，尽管在芯片面积方面它并没有任何收缩。之所以说它非常鲜嫩是因为Intel采用了无卤素的芯片制造工艺。深度的讲，这也有助于笔记本电脑厂商的绿色电脑评级。根据Intel的资料，该SSD控制器也采用的是一种高阶的阵列技术。它采用的是一个10通道的设计。有趣的是，Intel并没有透露这颗芯片的内部时钟速度是否有显著提升。 新老X25-M：规格对比   但是从规格上来看，Intel全新的X25-M固态硬盘的缓存架构放慢了速度。这是为什么呢？新SSD，集成有32MB的DRAM高速缓存，工作频率为133MHz。上一代X25-M的高速缓存仅有16M，但是它的工作频率为166MHz。新的SSD缓存频率比上一代整整少了33MHz。而对于现今的其他竞争对手而言，Indilinx已经有了可以驱动64MB高速缓存的SSD控制芯片。而三星最新的控制器可以配备128MB的高速缓存。  而Intel辩言道，新的控制芯片的潜伏期已经明显得到改进。硬盘的随机读取潜伏期已经从85微秒降低到了65微秒，而随即写入延迟也从115微秒下降到了85微秒。这意味着会有25%的性能提升。虽然高速缓存的运行速度有所降低，但是其潜伏期却大大改善，两者得到了中和。 M25-M M25-M 二代 控制器 Intel PC29AS21AA0 Intel PC29AS21BA0 闪存芯片工艺 50nm 34nm 容量 80, 160GB 80, 160GB Cache 16MB 32MB 最大读取速度 250MB/s 250MB/s 最大写入速度 70MB/s 70MB/s 读取潜伏期 85 μs 65 μs 写入潜伏期 115 μs 85 μs 最大4KB写入IOPS 3,300 8,600 (160GB) 6,600 (80GB) 最大4KB读取IOPS 35,000 35,000 负载功耗 150 mW 150 mW 闲置功耗 60 mW 75 mW   除了减小潜伏期之外，加快随机写入也是一个性能优化的重点。Intel声称新的80GB X25-M在4KB随机写入的操作数可以达到6600 IOPs。而最初的X25-M仅有羞愧的2000 IOPs。全新的X25-M 160GB版本则有着8600 IOPs。而在随机读取操作方面X25-M依然有着惊人的35000 IOPs性能表现。  虽然X25-M的随机写入性能明显得到了改善，似乎已经可以适用于大负载的写入数据呼叫任务环境。但是它的实际写入性能仅有70MB/s。在X25-M刚刚推出的时候，它的写入速度就并不被所有人看好。因为Indilinx和三星的固态硬盘写入速度在200MB/s的等级。Intel表示，目前持续写入速度在新版本内并没有得到大幅增加，X25-M第二代Intel的主打基调是拉低主流固态硬盘的售 。而此后在我们的评测中，也反映出了这个问题，X25-M的写入性能并未有大幅提升。

MAGjt

1650都出了，还差那几百块钱？除非有更大的优势，可以挺身走险。否则如此米物，万一有问题了怎么办？

ekphone

关键是保修问题。。。。