三星MLC芯片又惹风波 控制芯片厂忙翻天

菜鸟来啦

三星MLC芯片又惹风波　控制芯片厂忙翻天
支持63奈米制程不易　客户产品受延误、引爆求偿问题
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三星电子（Samsung Electronics）MLC（Multi-Level Cell）芯片又惹风波！近期因为63奈米制程的MLC芯片架构更动，多家控制芯片业者来不及反应，产生兼容性问题，有模块厂在生产在线的新产品受影响，传出要求赔偿的风波，目前控制芯片业者已加紧脚步更改设计，全力配合客户出货，设计公司表示，过去类似兼容性的问题也曾发生，然这次因为整个NAND型快闪存储器（Flash）产业由SLC（Single-Level-Cell）制程转换至MLC，挑战度属于高标，对控制芯片业者而言，无疑是相当严峻的考验！

　这次有多家控制芯片业者在MLC芯片支持度上，都出现有兼容性问题，根据下游记忆卡和随身碟客户反应，目前仅有群联（8299）和亮发的产品在MLC芯片支持度上最为稳定，然其它的控制芯片业者多少都有遇到类似难题。

　由于近2周内模块厂在生产在线的记忆卡和随身碟等，陆续传出瑕疵，因此问题才引爆。目前控制芯片业者已加紧脚步协助客户修改，然因为新产品上市时间受到延误，传出模块厂与控制芯片业者间发生求偿问题，由于类似的事件，其赔偿的金额绝对不是只有控制芯片本身，通常会包含NAND型Flash价格，因此业者对求偿一事是三缄其口。

　控制芯片业者表示，目前整个NAND型Flash产业处于SLC转换至MLC制程的交替期，尽管一直以来三星的MLC制程问题频传，然MLC制程相当具成本优势，因此仍是不减三星对于MLC制程的雄心，近期三星全力减少SLC制程的芯片，大量转投MLC制程，然与SLC制程相较，质量具改善空间，因此控制芯片的支持角色变得越来越重要，出错率也相对增加。

　这次控制芯片与NAND型Flash芯片间出现兼容性问题，主要是因为过去SLC芯片的NOP（Number of Page）通常是4次，也就是说一颗SLC制程的NAND型Flash芯片每页可以写4次（共分为4个区块），然MLC制程的NAND型Flash芯片质量较差，NOP只能有1次，若是控制芯片按照过去设计，将NOP写入次数设定在1次以上，不小心就会造成资料流失（data loss）问题。

　这次兼容性的问题会引发，控制芯片业者端有2个说法，一是三星在63奈米制程上，更改设计架构的Roadmap，因此控制芯片业者来不及反应；另一说法是，过去多数的控制芯片业者在设计上的标准较宽松，将NOP写入次数设定在2次，然一直以来是「误打误撞」相安无事，然这次却在三星63奈米制程的芯片上踢到铁板。