恭喜一下：AMD今年首度跻身全球芯片业十强

Prescott

:p

　　新浪科技讯 北京时间12月5日消息，国外媒体报道，据调研机构iSuppli最新数据显示，AMD今年将首次跻身“全球十大半导体厂商”之列，排名第七位。

　　据iSuppli预计，AMD今年的半导体营收将达到74.71亿美元，同比增长90.7%，首次跻身全球十大半导体厂商之列，位居第七。去年，AMD排名第十五位。

　　同时，英特尔以313.59亿美元继续排名首位，但营收额同比却下降了11.6%；三星位居第二，营收额为192.07亿美元，涨幅11.6%；德仪第三，营收涨幅19.4%；东芝第四，营收涨幅12%；意法半导体第五，营收涨幅11.8%。

　　Renesas第六，营收额下滑0.5%；AMD第七，营收涨幅高达90.6%；Hynix第八，营收涨幅32.5%；NXP第九，营收涨幅10.2%；飞思卡尔第十，营收涨幅8.2%。

　　此外，NEC排名十一，Qimonda十二、Micron十三、英飞凌十四、索尼十五、高通十六、松下电器十七、Broadcom十八、夏普十九、Elpida二十、IBM微电子二十一、Rohm二十二、Spansion二十三、 Analog Device二十四，nVidia二十五。(吴言)

jasonball

同贺同贺！！！:loveliness:

elisha

数据很有误阿，AMD去年的营收是5,847m阿。再加上ati，实际增长很有限，哪有90%阿

ly7707

原帖由 elisha 于 2006-12-5 11:45 发表
数据很有误阿，AMD去年的营收是5,847m阿。再加上ati，实际增长很有限，哪有90%阿

加上ATI就有差不多9成了，ATI现在是AMD的了，销售额应该算到AMD里面的

elisha

原帖由 ly7707 于 2006-12-5 11:59 发表

加上ATI就有差不多9成了，ATI现在是AMD的了，销售额应该算到AMD里面的

ati去年营收2b应该有的

shu0202

AMD日前签署第二代Z-RAM技术，它的全称是zero capacitor RAM，它是一种基于silicon-on-insulator的无电容嵌入存储技术，通过它可以达到非常高密度的处理器cache。

    资料显示第二代Z-RAM技术预计可以实现每平方毫米5Mb (625KB)的容量，通过这个技术一个65nm处理器在16mm²理论上可以实现10MB的cache，这比Intel的65nm Intel Core 2 Duo芯片需要占用143mm²，而容量只有4MB的水平显然要优秀很多了，

Prescott

原帖由 shu0202 于 2006-12-5 13:04 发表
AMD日前签署第二代Z-RAM技术，它的全称是zero capacitor RAM，它是一种基于silicon-on-insulator的无电容嵌入存储技术，通过它可以达到非常高密度的处理器cache。

    资料显示第二代Z-RAM技术预计可以实现每 ...

哎，又来了，不要指望用一个什么所谓的火星技术就可以翻身的。

这个所谓的Z-RAM什么水准，到现在也没有具体的参数，下面来自于他的关于第二代Z-RAM的宣传资料：
http://www.innovativesilicon.com/en/pdf/gen2_rollout.pdf

“Z-RAM Gen2 also exhibits enormous flexibility,” added Jeff Lewis, vice president of marketing. “The technology can be ‘tuned’ for a very wide range of speed/power operating points, from ultra-low power to very high performance.” Z-RAM Gen2 achieves compelling specifications in a 65nm fabrication process:

• Ultra-high density: greater than 5Mbits per mm2 at 65nm, and greater than 10Mbits per mm2 at 45nm (1.4x – 2x denser than eDRAM and 5x-6x denser than SRAM)
• High performance random array access: greater than 400MHz (when optimized for performance)
• Very low active power consumption: under 10μW/MHz (when optimized for low-power)

他就是不敢说10Mbits/mm2的密度的时候，速度是多少。也不敢说在达到400MHz的存取速度时，密度是多少，更不要说400Mhz的存取速度拿来做片外三级缓存都勉强。

很明显，如果要达到400MHz的读取速度，密度就远没有10M bits/mm2。相比45nm下密度2M bits/mm2，存取速度4GHz的SRAM，看不出什么优势。

单晶硅传奇

原帖由 Prescott 于 2006-12-5 13:17 发表


他就是不敢说10Mbits/mm2的密度的时候，速度是多少。也不敢说在达到400MHz的存取速度时，密度是多少，更不要说400Mhz的存取速度拿来做片外三级缓存都勉强。

如果是用在GPU上呢？

spinup

原帖由 potomac 于 2006-12-5 13:13 发表

热烈欢迎嘉兰来解释下Z-Ram，:lol:

细节偶忘记了。:a)

这东西和SOI最大的弱点有关.
比较有趣的就是它变废为宝.其它也就一般.只不过密度可能比EDRAM大点,速度比EDRAM快点.
和SRAM相比则是速度慢点,密度大一点,做工便宜点.:p

主要应该还是和EDRAM作对手的.

elisha

应该就是L3缓存吧

Prescott

原帖由 单晶硅传奇 于 2006-12-5 13:23 发表


如果是用在GPU上呢？

那是NV需要操心的事情。:lol:

单晶硅传奇

原帖由 spinup 于 2006-12-5 13:33 发表

这东西和SOI最大的弱点有关.
比较有趣的就是它变废为宝.其它也就一般.只不过密度可能比EDRAM大点,速度比EDRAM快点.
和SRAM相比则是速度慢点,密度大一点,做工便宜点.:p

主要应该还是和EDRAM作对手的.

以前看过点资料，问下是不是SOI的浮置效应越大，这东西跑的越快？

Prescott

原帖由 naxx 于 2006-12-5 13:56 发表
以前很反感楼主的，但是这次只能吃肉。AMD不争气而已。

难道我发个这样的帖子你就不反感了？ :wacko:

这也太容易了吧。:o

凌丰

恭喜 啊，妈的，终于露一小脸了，要不总是被阴特儿干得直叫“啊，妈的”

cloud_t

台积电还排不上啊

Yorkchen

中国媒体就是那么有意思,每当年底大家看的都是营业额,也不看财务报告和资产负债之类的,做生意只看面子,不赚钱.....

电脑是工具

原帖由 Yorkchen 于 2006-12-5 17:22 发表
中国媒体就是那么有意思,每当年底大家看的都是营业额,也不看财务报告和资产负债之类的,做生意只看面子,不赚钱.....

“国外媒体报导”－－写的很清楚了。