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今年1月,AMD和Innovative Silicon Inc.(ISI)公司达成协议,获得了后者高密度缓存技术Z-RAM的授权(相关报道),可使处理器的缓存容量提高5倍之多,同时不会增大处理器核心面积。看来AMD对这一技术非常满意,因为他们刚刚又签下了ISI的第二代Z-RAM技术。
Z-RAM全称Zero capacitor RAM,即“无电容RAM”,其最大特点就是不使用电容来保存数据,并采用先进的SOI工艺,可比处理器缓存常用的嵌入式SRAM得到大得多的密度,能显著提高处理器缓存容量。
据悉,第二代Z-RAM技术能使65nm处理器的缓存密度达到每平方毫米5Mb(625KB),理论上可以在16平方毫米的面积内集成10MB缓存,而Intel Core 2 Duo的4MB二级缓存占用了143平方毫米的面积,密度只有前者的4.5%。与此同时,新一代Z-RAM技术的速度和功耗也都取得了长足进步,最高频率400MHz,每MHz只需0.00001W,也就是1微瓦。
在ISI的新闻稿中,AMD技术研发副总裁Craig Sander表示,Z-RAM具备优秀的密度、功耗、性能表现,而且符合我们的标准生产过程,因此成为我们未来微处理器的不二之选。
缓存容量一向是Intel的优势,不过AMD正在准备改变这一局面,比如2007年下半年的高端桌面四核心“Altair FX”就将具有6MB之多的二级缓存和三级缓存。新的Z-RAM技术无疑会助AMD一臂之力。 |
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