IBM等研发新型内存 领先现有技术9年

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IBM表示将和Qimonda、Macronix两公司一起展示一种能打败日益崛起的闪存芯片的新型内存。三家公司将在12月13日旧金山举行的IEEE大会上展出这种新型相变内存。

三公司宣称相变内存能令非挥发性内存达到更高密度。IBM实验室的科学家们已经拿出了一个相变内存的原型产品，据称其开关速度比闪存快500倍，横截面积只有3x20纳米。

IBM表示根据摩尔理论，闪存设备要到2015年才能赶上相变内存。这种极有前途的内存技术基于锗锑等元素的半导体。