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Intel刚发表的新系列晶片组,分别为P35/X38两款
6 l3 ]/ y9 ?& S! e5 [, W很快的三大厂也在五月份陆续推出多款P35低中高阶的版本' h! M" x+ W. W; a9 ^; A, k4 r
' r* a e4 @( ~0 B* L% a这次主机板是GIGABYTE产品,此厂往往给人的印象-用料佳/价格合理来取胜9 |8 |) l' q3 C% d; Z
但是也有作风比较保守的传统,在超频与电压方面较不擅长
- r/ ?4 J, k+ V' m4 N/ Y自从去年的P965产品后,技嘉已经加强对这方面的不足! r5 W( \/ ?3 m& H
2006年的DS3/DS4/DQ6三款定位与市场反应相当的好
+ O9 t7 }4 {- |+ R
0 |3 n/ m. R! n! |# L3 P) \& cGIGABYTE P35系列也一样照这样的市场策略
8 Z% d2 {: m; T' Q/ J- a主角名称-GIGABYTE P35-DS3P,属于P35系列入门的版本* e5 x9 w; I+ y8 t) I0 u
& }: g2 B1 ]* D外包装
1 F2 [% C% r2 I0 G6 T7 q
- |5 Y o1 G& f/ s![]()
" B* H$ V! }$ E# g- X. D
& Q3 ?; p; C3 J( d4 p, e2 e, \) E+ Y; H* r2 P
% ?/ A2 j j0 @% p2 y% b5 c# Q8 f# ?
内附的配件
# \4 S2 H4 v U" r附上一个PORT有两个SATA装置,不同于其他家把eSATA内建在后方IO
' O1 g5 s W {! l
2 Z6 r7 Q: Y; ~/ ]& M" Z5 i![]()
( G2 K- \' `/ c6 s( [. W! {& `, M
7 d, G) Z: [6 u6 b# h$ t4 k( K! u$ V3 T; \+ b3 a4 V% P
P35-DS3P本体& K+ U J3 [3 P' y
全日系固态电容,产地为台湾
/ L; w- t! q2 o# ?* {8 S9 p" c
! t9 g6 ]4 u: Z* p4 \ # M* w3 ^1 X: g& B, C0 j- ], w
5 |- b7 O+ C# N$ v: T+ a. e
![]()
$ n9 I0 J% A( H$ t6 P5 ^0 `- f. M7 y) R0 [* q. A$ S& F
2 N$ h/ q: S1 e0 j. @6 e1 {主机板左下
3 W; o* Z" X6 c L) m. t# ~0 \ A2X PCI-EX16, S _- x' i1 K6 ~' g K" @
(执行CrossFire时为16X+4X)
5 m B$ d6 Z; g. r( P! F3X PCI-EX12 E7 \7 E3 |! y4 S5 b3 E# m) Y
2X PCI
& C+ w# @' g# X' b' g9 [6 P5 x0 u' [! l: w! H
) u/ \$ K s+ ~5 k
( e) G$ Y3 m; k/ Q& ^/ M8 ^; l
/ t- F# Y t6 s0 Z9 h/ @1 a主机板右下* M; |* @0 C4 ]9 q
ICH9R加上外接的晶片,支援高达八个SATAII以上
; G9 R& [* ?2 n$ \# w南桥使用接触面积大的铜散热片
2 J' |: v# H* R, M1 I
! z% M0 B' Y( {! Q# E 8 r2 s x: l- @9 g/ P6 F
. T4 |4 b8 M! K' o( o# }/ M$ p! q6 q; n
主机板右上
W! ?1 z7 K" Q四个DIMM DDRII,在DDR3价位与效能尚未成熟前是较好的选择( J2 {: u% S1 K. f* k2 a2 `' e
支援DDRII 533/667/800/1066等规格
~( Y) ~. b& P& w/ @' g9 B) T3 F, c7 H8 |+ F
- _7 z" [/ K$ k! O
+ ]4 W% P- i) p, ?$ |6 j4 W! s O7 O9 D2 P, L$ \, Z
主机板左上& s B1 W' f$ u5 D
处理器周围使用六相供电
5 Z0 H9 S9 N% Z8 {
9 R% Y7 d8 u' @, k1 \![]()
+ T# d+ T) U( x
% Y1 d _2 T6 o! E3 h9 U; r# b* n
) _6 V# z. Z2 Q7 ?2 W# w- p2 IIO装置
- L3 m- {. y) W8 @# }( z) T5 d z1 x7 A4 d/ I5 x a
![]()
: z5 P; @* I5 r7 u4 x% R4 c- B( v0 n8 ^$ |4 Y# r1 |
( }, w( T% Y: L. W
北桥散热器
, |1 O, z) K1 u8 B) a& I2 Q- lP35承袭Intel晶片组特性,温度不高
, ?- q. w* D" } e基本上,这样的散热器已经足堪超频状态使用: S7 ?* {) h* t2 v$ u d9 ]* E
/ {6 ]& i$ k+ s
1 I# W' c$ {2 I8 s$ i
" W, `8 Q- U5 @8 E6 p% \+ z* F. \( j4 E. a" H0 J( i8 i9 V# |: N
开机画面,解析度还不错
' ^& C I. C6 E9 O$ z$ k
4 P, F+ @- B% ^7 Y! Y) A( J![]()
9 u, Q. l" n& P# k. `8 j& w7 j; ~$ B# ]1 N. K# h; t, i
# x8 R* ?2 y' s$ ?7 C( O2 bBIOS主页面
' i- Q& u7 B/ v6 Z" B8 L此画面下按Ctrl+F1跳出记忆体的细部参数可供选择: v: f% _6 v' ]& ?) W3 x8 ~
2 n( _4 E7 S3 e* m1 l![]()
2 d5 q. W' A! [
. \) i- w8 B; S' ^9 t' `5 V+ N8 s6 {7 w
超频调整页面2 r1 s) y5 O1 u2 {0 N5 F1 C
k9 N. w0 S, Q2 R
![]()
5 G! {% s/ A+ k9 ?4 j, f6 i. O/ [; s' t r3 g# d$ ]
![]()
' y1 Q( c, x/ s5 a* N1 h8 s8 i6 [! h6 G6 a4 J* s$ |3 M# @
& O: x/ l" f& \! V& k) l
CPU外频范围
% E+ _2 R S" b6 ^. f: q, f, x0 L8 P/ K! B
9 V' t4 [. s8 D( a) Q1 b
Z& f+ d: k r k4 N% y3 m5 `8 Z, z3 t, L2 J# i6 n
效能分为三种模式
: C' w) p: g' I9 @
1 r3 _6 h; e8 G* ~5 K7 X6 ] $ X+ {: d( Z% I* g- B+ Z
! |4 @ i3 y* H9 w3 Z9 ~2 w
) g' t5 i% x: q+ J. J+ [0 T6 S
DDRII除频比率6 v- B# ^! h9 V8 ^
, [. N! O5 R( ?3 g![]()
/ B, h e9 p/ z4 f, w: C1 A" t; f
4 \8 J2 X; v# y& TDDRII最高可加到1.55V电压' `( B0 f3 T% B2 o% ]: T' X& a
也就是1.80+1.55=>3.35V
$ [0 T- s2 q' t2 M; h! U
/ _3 h8 s& q, u& d s3 c6 \+ [ / z" {. G% i* T+ [! {3 K
/ _- d* r; p+ k* R" y
* C# ?- G5 a( k* M6 U; L- z
FSB电压+ ]7 A1 [# t3 d, q0 `
9 H) C$ Y2 T$ m1 b! R![]()
$ {+ x; o( |' y, Y- \: Z1 v; U+ `1 F+ k( y% y/ Y: W
. G2 A2 `+ J( _ D( @3 sMCH电压
* v$ k' f+ U3 n- f) o( p8 S9 c: X
8 \/ s& F4 ?5 h% M( N4 I1 u s* Q8 m/ D![]()
$ E$ `% b3 D1 C2 ~/ J6 O b* |4 v) t N3 Q# k, S$ u
" a% ^( c1 L& }& y& H6 C0 `CPU电压! `+ M; I# P9 T) X& \
最高可达2.35000V k8 c2 r5 {/ O5 H# a# [
% [1 v9 L' d/ _2 R; } c6 ]- r3 C![]()
, j( y9 M" i9 w9 q- g9 q& s+ q! j" D; r$ O$ m% H) p7 H
( \$ T+ K/ B8 m5 ^1 _
PC Health
% Z0 S$ d0 w: w+ }! N: V N* Y/ t- E6 C
/ l! z; r- i+ Q1 s+ \$ g, l
* A1 O; P7 e' y2 Y3 e# G" k4 b# X/ Q& y5 l
测试平台" b; D" T& }0 L
CPU:INTEL Core 2 Duo E6850; B6 \3 Y5 ~% ?; ?6 @1 I! A/ d4 @
MB: GIGABYTE P35-DS3P
" w, C0 q6 V9 EDRAM:CORSAIR Dominator TWIN2X2048-10000C5DF
/ r8 l1 q8 J4 h4 [- P, m) @VGA:MSI NX8600GTS-T2D256E-HD-OC
0 D/ S. K6 r5 y; X2 z5 J! B& `HD:WD1600AAJS # ^4 y: Z- w% R) i
POWER:Thermaltake Toughpower 850W
# C0 t' t6 b* J9 y* M+ h# O$ ^Cooler:Thermaltake V1& e1 C3 Y: C2 i/ K
. \( o5 y8 J$ b$ R' N: U$ x 3 g8 h7 g g/ s8 P: g M
9 x' W' t, Y; I( B7 O
" f8 C* C/ v Q3 U$ h/ K500X7=>3500Mhz 晶片组不加压
9 W, M. z6 ?4 g" p7 Z! O' J/ VSP2004起跑
/ n0 }- O& v/ x& A- } b. j: J/ W1 l* Y' L4 C5 M# ]/ C3 H, E: ?% i
- E8 {: r8 ^! g' Z
& v* n9 p& q0 w. w# X* p+ d* G. K* B& s. f
8600GTS预设时脉
) w% U0 p( ?; K4 T5 V3 [- f# v& [' z/ |8 R. e' _
3DMARK2003! e2 J- x" X5 S
$ w2 ? q7 h; W ; C( F+ |; I" z
8 J: w3 Y* p) c# w
& i& o! v% Z2 E: A, ~9 k
3DMARK2005/ T- \$ S. D7 @+ ~. f; f
- Q0 z g: v( B& d6 I
# z2 \+ I5 J" b
* G6 ]( M( o+ s0 H4 f2 i: q
9 r9 R0 n5 j' b2 i5 t* J& R
3DMARK2006
, p8 O$ Z# u. x) C- s3 J, I% ^1 H# m0 _
![]()
& l0 N8 y/ B6 o- X, ]9 Y$ ]& w |8 A& ?# I+ E& T- V4 k& O
; v% x* o0 L7 @$ v2 x j1 c+ u: E7 TDDRII 1132 CL4 4-4-9 2.3V8 ]' n6 {& A4 _3 w' @4 N! o
Sandra/EVEREST记忆体频宽( x' y* Z9 M1 q! s G/ o% k8 |" j6 \, N2 r
1 F$ V) i% P: s! [
![]()
1 W3 p: t7 W1 ^) l) k6 W" E7 O8 N
5 w5 J6 z# g4 d7 S* z6 U) o( Q; Q6 {0 M5 R- @- B3 ]
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.4V% F) d" Y' L1 V/ o- V) x6 p, O
Sandra/EVEREST记忆体频宽( C* L1 O4 F8 A+ x9 H- N9 _
# o* C+ z; W$ K1 L
3 |) h5 S3 ~) H& R0 \1 [* ~: n0 @6 G5 v0 Q7 J8 |
' o1 t; h$ s- K% `$ m( w. T0 l% ]DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.5V
9 r7 u) z5 ]$ E! {双SUPER PI 32M' ?. `6 j" h: c, B& I* a! |
+ r" v; R, {" F6 L5 ~7 N" ~
![]()
2 [7 |6 a: h* \) U A V' {2 P! K- y% I: I3 K# i: J1 o
t7 J( j9 I ^# U( O500X8=>4000Mhz DDRII 1000 CL4 4 3-97 p2 C+ [# o5 L% _/ F0 y5 `6 H
Sandra/EVEREST记忆体频宽
, p; J# ^$ I) |# z, `. H. a+ W1 {' d8 I
7 d- L$ K5 ? k3 s- Q
6 T: [. z; Z7 y6 s+ M* |8 P
: y! b6 z7 h9 j! H
SUPER PI 32M
& L7 \% y$ l. A; }+ ?8 g/ }
8 U6 }$ B# ?3 O$ r![]()
1 S$ W9 M. f4 x3 [ X* O/ d0 w1 C
- Q3 t6 t2 { u0 J
四核心 QX6700# F2 A) [1 ~# ]9 i" O6 |# H. i1 E
450X7=>3150Mhz
, r4 J4 g" K" @* \四SUPER PI 32M# _4 ^" @5 b4 V* T- h. j
8 c( d0 `6 \$ n) h" ~" p
: c- _; l r; L# J4 v: K' F
8 X0 m6 z* D- F# g, c; d. u5 u- W2 `. o: @
GIGABYTE P35-DS3P
2 n5 d; w- s* K4 h& Z+ T/ c% r% Z5 H
优点
. ^8 ]. {3 }# ^8 g7 k6 _2 w: @1.全固态日系电容.南北桥散热器质感佳.产地台湾* t! l; _1 k- Z2 f
2.BIOS选项众多,电压与频率范围也广# v, ~) Q8 I0 V: J
3.可稳定达500外频,体质好的CPU应可以上到更高; P C( V% P# O( O+ u
4.DRAM方面比之前965系列表现更好,可达DDRII1100~1200以上的水准) U9 x V+ p+ j. {* c I
5.以此用料与超频能力,在近来几款P35中,C/P值较高# j: e ^7 d+ |2 C& C, j
^! M4 j4 b" j& J4 D6 ?9 x v
6 n, y! L$ G1 V- q+ |0 A缺点
0 k Y1 f! M! S+ m1.OS下EasyTune 5介面图案不够精美. c! U' s' L" O
2.一样的CPU,双/四核极限时脉比它厂P35低6~10Mhz' G+ U) `8 |; D' `% A
$ e7 v6 {" I' ~( y- n补上一点,在北桥背面也有附上散热片来补强* B7 K3 \+ s" Z. a f
与先前使用过的GIGABYTE 965P-DS3相比较8 z3 {. i$ I8 N1 L
GIGABYTE P35版本除了有更好的用料.范围更大的选项与更佳的DRAM超频能力等等改进9 ^' x/ Z' ?1 x# W$ M1 @- y
Intel新推出P35晶片组各厂争锋下,GIGABYTE P35-DS3P拥有相当不错的性价比:) |
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