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Intel刚发表的新系列晶片组,分别为P35/X38两款# g+ e& t0 W( `1 P( o' T
很快的三大厂也在五月份陆续推出多款P35低中高阶的版本
$ J7 a- U% s0 h0 S8 {. y/ S5 @" O+ O$ s
这次主机板是GIGABYTE产品,此厂往往给人的印象-用料佳/价格合理来取胜6 a6 X$ E3 b L" Z$ W$ O9 v5 U
但是也有作风比较保守的传统,在超频与电压方面较不擅长
4 _/ K/ F- L# a! O自从去年的P965产品后,技嘉已经加强对这方面的不足
3 v" X0 ] H& u2006年的DS3/DS4/DQ6三款定位与市场反应相当的好
5 I b' u1 k }% x3 U+ @8 \ g) K# d k, a6 K! n
GIGABYTE P35系列也一样照这样的市场策略* D0 d% x3 @$ P- ]. I$ s
主角名称-GIGABYTE P35-DS3P,属于P35系列入门的版本; x3 _( \, R8 D& ~: k
! E3 G5 B/ A, ~7 h
外包装) o! _5 @# [$ L( a D) y6 ?% |6 v
( W, V& ^! k4 Z4 Y) P: t) H
9 a( C7 L w' w! n
4 J0 y$ s; A/ L( {" ~ u5 h& u
3 J; P/ K/ R& U/ S, I- q C! J3 J1 J- L9 }
内附的配件
1 E# U$ y: t& V0 W附上一个PORT有两个SATA装置,不同于其他家把eSATA内建在后方IO
. O; s8 X1 B) h: w1 M$ s
# \! G; M3 n" K6 @6 c; z; Y![]()
8 T+ p# A7 ]1 W1 B
; \% o" K% h0 g3 G$ L F: @( T4 P! Z" R, o8 [
P35-DS3P本体6 d* T2 V* l' k
全日系固态电容,产地为台湾
" l1 [& y7 O( i% i- A5 I
' Q' }* J1 r8 p f; U8 P7 O) i 4 Y2 ?) u: V3 o f
: j. y& d# Y; Z! i+ q. @7 F 9 J+ Y9 S/ j Z: L; r
* T0 r) Y! f- c' c) D
# k+ s P) [0 {" _
主机板左下
5 z& u* X7 p0 i( w/ p0 ^$ ?: x2X PCI-EX168 c' J( E/ d2 R8 F2 ?" y9 o% \
(执行CrossFire时为16X+4X)
. q! l) w. R& M1 y* Z3X PCI-EX11 c" @- V# C; Z6 ^% \7 v( A0 S4 Q# E
2X PCI3 o% i( ~; i. Q8 D- F" J& O8 D4 _& h
, D. J: z" d# d( ~+ a" ~![]()
% b* V/ T$ U4 w `, r( o0 c' b4 i. e: L' O) r
5 @- r9 |# p- A4 J& m6 R1 L- q主机板右下
4 S |8 C! s1 U. P& t0 L) q" yICH9R加上外接的晶片,支援高达八个SATAII以上
, T$ s- s: P5 ^# ^( v, q南桥使用接触面积大的铜散热片
9 E; x7 ?' k+ e0 o
, [/ R1 z5 Y: d) {3 G8 f! l/ B![]()
4 T% L6 i; j6 A3 e$ ?+ ^ ^% N8 q" }0 d6 g& \* x n6 x% b" M; g
# \6 E# k6 U& W2 b
主机板右上3 L: [ D4 {9 s5 u0 ?
四个DIMM DDRII,在DDR3价位与效能尚未成熟前是较好的选择! a6 h8 H- Q& H0 d& v7 T
支援DDRII 533/667/800/1066等规格. A9 \: Q# F, n
/ t2 V. M$ B( K* b
![]()
l2 Q2 Q. A N7 `1 {% C* _# ?6 Y+ X( W0 e) l# q1 p. L1 Q' l
' O& ^( R; w" J% O4 h0 J主机板左上% b% g0 f8 o/ `9 X* \% Y$ T" d$ U8 B
处理器周围使用六相供电+ ^& i2 S: U( e! s' j0 E3 K
: }& Y* Q |0 v" q4 X1 ] L3 V1 _; d7 y
3 V/ F4 X$ v; o2 L9 r$ s
! O2 R5 N8 r; M( RIO装置7 m4 U$ I& n0 m! N+ Z! z& c, \
2 M( ~& V1 P/ O$ U( y. |5 |% f![]()
7 J$ x$ c+ Q7 \3 f: l
6 z) m6 H& v- l& g. `! ?3 i9 w# f, x# x
北桥散热器
" S! X' Y1 _1 `0 I8 b aP35承袭Intel晶片组特性,温度不高5 s) @+ S2 \ O8 x1 u/ y7 G! L
基本上,这样的散热器已经足堪超频状态使用
% t6 A" Q+ p/ S8 s$ ~) [
- B! g+ i2 A" m- B D5 n . m2 Y: k8 Z+ z3 ~. |0 d- O& Z* q
$ p9 J5 K+ X. B& _' m! x$ A# z+ N/ H1 p
开机画面,解析度还不错
7 V3 D# @/ B3 }" D7 s
3 R& @% u' b" {& u( M * L4 c3 Y+ Q/ H( a8 u1 O
, ^& N$ Q2 c! M5 A: B8 q% A
; \5 g7 |) l) x/ R/ T8 @, p( r$ WBIOS主页面# [1 B% j; P9 \" S; l
此画面下按Ctrl+F1跳出记忆体的细部参数可供选择
1 d; U6 h/ |6 C8 X, f6 n; y* W* V, N1 b5 {& v! D9 z
![]()
( y a' ?4 Z( E! K: q3 `/ Q5 T( w1 [0 i
- P5 T% d+ M( c
超频调整页面
" I" h$ D3 Q7 L& }' b: q. j4 b: J, ?' n/ ]3 y) m
% K0 V: Z( a9 P( Z) s5 \- l
3 _0 W# B& t6 L5 r4 S
( b! ]* t& v0 D! P3 x' |2 W
! A- s$ D$ m! v2 t. p
: r0 y$ g0 N3 ]CPU外频范围
0 L/ s! s- @+ z5 W0 V; [8 |
# ~) C* ?( b: F( M; E![]()
, |) T1 _% z& {' X7 j* B
. O; \1 I2 d; o; f# C W h' V
0 O- X+ g$ j3 T" N# M: U; }效能分为三种模式! {% E+ A) [- V7 P) y {8 {4 `
) A7 V9 U1 {7 o: u+ }2 \
![]()
& k* n6 _0 @% R# K# \6 h
2 V+ Z/ h& u |! N( P8 C$ z/ Z$ L$ x1 V# E% }& S
DDRII除频比率& P# N8 |' \( c" B. f: \. [9 E
1 H: C5 n6 r1 h/ _2 q9 L/ e
+ I# @. V" b _. n7 s4 v
) R7 C f' ]4 r' P: }' w4 m8 Z
- i% @8 y# I" r( m1 V4 M" z6 ^7 G! UDDRII最高可加到1.55V电压4 j; P0 f! s" C
也就是1.80+1.55=>3.35V; c2 J6 v: b0 _" A1 Q/ u. J
+ N& z( ]* P1 D3 t
![]()
* P. w( t+ ^4 z. O) J7 G* t2 [
& [1 l) x# n* a: z' c1 v& @2 Q5 B9 T! f( `# N, {
FSB电压& j2 I+ w c* n; b8 H+ \& s
- R: U5 z( `$ [% P+ a+ M* v' E# S 0 x3 A* T0 n6 v7 I
& T9 f1 H9 h5 G% Z/ G: A: o
9 |2 p, F U K( Z& l; q4 c
MCH电压2 Q# x5 R* {8 B* I
& M1 t( \: C( c1 Y. F# C& l![]()
8 B+ }. j) u* K/ Z
( c' A% d9 }$ D' }
9 _- S6 d& q1 U) VCPU电压+ H' \. a, _" K4 }; V5 z6 K" C _) }
最高可达2.35000V5 ]: H, l% ^8 X3 }
* A0 B, v2 ~+ {4 I% v& W$ u
2 V% X; F3 W; D, L! M/ ~8 \% d' p
; M D; V& f( h* h# B( O
& i8 ]% J0 Y# S6 N# K; r5 Z0 nPC Health
7 t* j6 g0 I8 _, I5 z2 w
8 v+ Z N3 D7 ]8 r/ m# j9 e' z . M, l$ u3 G, g/ i+ ]3 o0 J
; O8 m( s% |0 Z) S O! s3 i/ Z) T6 a8 a$ W7 d* h& p% O+ O1 X
测试平台4 E6 u) ^, w+ K: V; T
CPU:INTEL Core 2 Duo E68503 b k9 C9 y, R o$ w, O% e
MB: GIGABYTE P35-DS3P+ }1 N5 m3 s# h6 e$ B
DRAM:CORSAIR Dominator TWIN2X2048-10000C5DF
5 S+ T0 h7 l" W8 r$ w! J' I0 }VGA:MSI NX8600GTS-T2D256E-HD-OC 5 E7 B/ f1 k0 p4 o- I, i/ ]4 `! K
HD:WD1600AAJS
5 n8 V+ \, {% cPOWER:Thermaltake Toughpower 850W* ?: [% ?: n Y1 h6 Y% Z+ V
Cooler:Thermaltake V18 O- R7 W( ^. t. ^; K9 @! i! D
# m- w5 Q5 x; u1 g& o![]()
( f9 H+ j. C8 _ q' C
# y2 G9 t& ?( e$ V( `+ C6 y. l9 M; ?5 L/ P$ H# k7 F, }
500X7=>3500Mhz 晶片组不加压( J- k+ F8 {" d/ i1 o6 f L- \
SP2004起跑& r! N4 T5 w/ i% {& u7 T
0 u: t( u8 ]% A![]()
% ^- O2 O3 i0 ]) }4 f8 E" ~9 \. X- h* o7 A/ L
$ ~* e; P% ^* Q( m, i" ]
8600GTS预设时脉
4 K P9 w9 F- U" Y+ V5 n: @; ]: u- t+ J/ o3 w7 o5 K/ T" T
3DMARK2003
l. R) `% \" ^9 j5 _
6 |% N/ q& K: Q) E" F! X9 h2 R$ W/ q![]()
8 i2 y4 @7 r( z6 ]5 x7 Y8 e+ D4 Q3 H; {; K( A5 P5 h. O" [
% e+ M# f7 V; t3DMARK2005
7 U8 h; Y3 h, B. g. W: }
% d! ^6 A6 k) g. _![]()
) E7 G. |' _2 Z0 g6 a- L q2 F, Y" x+ Y3 a0 f$ M; t
1 I3 M6 D9 f4 a- v/ Q- b" b
3DMARK2006" Q1 A4 V. A1 r
) R+ Z- r- h# C. b3 z) T & m- b. }- O7 l! A9 h, M* N
. T0 h6 _+ W) y: Q) h! q
8 t& s# a5 l( H) N/ E5 J# r
DDRII 1132 CL4 4-4-9 2.3V
5 H7 |% e0 c+ r7 j! BSandra/EVEREST记忆体频宽
$ P: N u+ P5 Q4 n# J) P0 A- h- q8 u: o
" [2 w" v2 q4 ~: Q0 W& w* a+ x![]()
: k7 n4 Z4 H( F( ~* v
& }( E6 G( o+ R3 P. K+ I s8 |- a% U! O
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.4V
0 b; W, Q# ~/ F6 f* P7 i/ ISandra/EVEREST记忆体频宽# _% l) D' r e/ J
1 s, F' j- m9 k f( l9 A& |
& q9 y# ?6 @% Q' G: Y7 s, j2 g% X6 u$ R
, V/ q! S) H3 ?( Q+ T' X. R# H5 z8 {DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.5V5 [( b9 q5 r! b* Z+ O/ Q, \! ^
双SUPER PI 32M
4 k, G0 g% n( l6 |' D- G# a6 I" [# [
: F1 |0 L4 @0 G9 S: L4 ]
; H1 B* r! x Q( _ E
9 O+ n; p1 t% P# }500X8=>4000Mhz DDRII 1000 CL4 4 3-91 [+ K; V; }! }+ _$ V) q) a
Sandra/EVEREST记忆体频宽0 v6 G2 t( y F5 b+ f
4 P, K% N# [, I( f% J+ R
* V5 C, O5 A1 q' [' ~% v
! ~: d9 T. c+ z0 Y- r! b* Q
5 u6 q, z! m5 ^SUPER PI 32M3 a9 ~4 e6 J$ D7 \! ]7 ^
l' B8 m9 T/ I, Y
! ]3 e0 i/ x, z' i: v& @ w, e
/ J; C4 u! s: _! f0 ]6 z+ W# {& F0 V, d' d$ F. O; z; B
四核心 QX67003 |2 Q/ W A% `: N6 C/ {( T/ K+ |6 }
450X7=>3150Mhz
. c9 ?( q% I+ a% C+ G8 S1 d四SUPER PI 32M$ i: d8 I- W7 l- U
0 C4 a( M. a( D- T' L( ~4 b 5 j: W: w, d% g$ u* m9 z9 u' k1 G2 ^
' J' T H7 C6 B' M4 D* B, f& s, D$ c
0 S" P# Q, H& f; ~' Z9 L6 l0 ~( eGIGABYTE P35-DS3P. P j9 J; S, t
: M. W0 r! B+ x! r/ I优点- G: ?! _# T6 f2 u9 U' g9 J
1.全固态日系电容.南北桥散热器质感佳.产地台湾" c5 V$ z6 @ \% @% {0 f6 f
2.BIOS选项众多,电压与频率范围也广' g4 R$ L# W% b! }3 n8 o
3.可稳定达500外频,体质好的CPU应可以上到更高
9 P% W4 S% ~" U% B: x4.DRAM方面比之前965系列表现更好,可达DDRII1100~1200以上的水准
8 r% A$ V/ [9 ]" M5.以此用料与超频能力,在近来几款P35中,C/P值较高/ R* m, [. O, y: E; x& U
" g) H$ R7 i* q% W& S$ h W F; K* Y7 ?$ c& _9 l3 I U3 O* ?
缺点7 h. T! _% _% \/ ]6 H
1.OS下EasyTune 5介面图案不够精美3 F: c" i" W1 u( \
2.一样的CPU,双/四核极限时脉比它厂P35低6~10Mhz! p: Z) e/ ~5 u4 @( r
* C* H r* Y+ ?: j' O
补上一点,在北桥背面也有附上散热片来补强
4 ~2 i9 n! x% W& t' r与先前使用过的GIGABYTE 965P-DS3相比较
: j( Z) A8 A9 _+ F- `GIGABYTE P35版本除了有更好的用料.范围更大的选项与更佳的DRAM超频能力等等改进, k8 E6 t4 `; e. i3 P- U+ ?
Intel新推出P35晶片组各厂争锋下,GIGABYTE P35-DS3P拥有相当不错的性价比:) |
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