|
本帖最后由 Asuka 于 2009-5-5 21:11 编辑
如题
应援此帖:http://we.pcinlife.com/thread-1157728-1-1.html
本主题不具备偏向性,只是基于事实的陈述,希望理性讨论
经过一定次数的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后,采用SiGe的PMOS区很難保持超浅结(USJ)的完整性,尤其是採用與45nm相同步驟的RTA(极端快速热退火)以及與後續CMP之後這種效應更加明顯
目前為止,導致這種現象的成因不明,我們只有選擇暫時放棄通過RTA來修復溝槽
PS,各位有料的可以来交流下,私下PM也可 |
|