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如果AMD继续萎靡,推迟几个月也很正常。有传言Llano要推到明年Q3。
xf-108 发表于 2010-10-7 00:02 ![]()
Llano推到明年Q3很正常,IBM的32NM相当不顺根據Barclays Bank 分析師Andrew Lu的一篇報告指出,由於可減少閘極漏電流,高介電/金屬閘極技術能降低電晶體的待機耗電,不過現在該領域出現了該採用「前閘極(gate-first)」或「後閘極(gate-last)」的爭議;所謂的前或後,指的是金屬閘極是在半導體製程中的高溫活化退火程序(high-temperature activation anneals)之前或之後,沉積到晶圓片上。
包括英特爾(Intel)、台積電(TSMC)等廠商是後閘極技術的支持者;其中英特爾是從45奈米節點開始生產高介電製程處理器,迄今已經推出兩代高介電製程產品。而IBM的晶圓廠聯盟則是採用前閘極技術,但到目前為止,該聯盟成員都尚未量產高介電製程晶片;採用IBM製程的AMD可望在2011推出第一代高介電處理器。
「具我們了解,前閘極技術支持者(包括Sematech以及IBM、Infineon、NEC、Globalfoundries、Samsung、ST與Toshiba)都面臨包括散熱不穩定(thermal instability)、閾值電壓飄移(threshold voltage shifts),以及閘堆疊重新生長(re-growth in the gate stack)等等問題,這對微縮電氧化層厚度的pMOS元件來說是很嚴重的。」Lu表示。
此外Barclays Bank 的報告預期,台積電可望成為28奈米節點前閘極高介電/金屬閘極技術領域的領導者。
AMD/GF32NM HVM再次推迟也证明了这一点 |
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