台积电赢得AMD 28/40nm代工大单

chao19900214 · 发表于 2011-2-22 22:18

台湾芯片代工厂商台积电公司向对手Globalfoundries发起了猛烈反击，据台湾《经济新闻》报道，他们刚刚获得了来自AMD公司的 40nm/28nm制程代工订单。AMD选择由台积电来在明年第二季度代工其28nm制程Southern Islands图形芯片，另外，尽管此前有许多有关台积电40nm良率不佳的报道，但AMD还是将代号为Zacate和Ontario的两款Fusion 集显处理器订单的绝大部分交给了台积电生产。
刚从AMD中分离出去的Globalfoundries在建厂的初期主要以为AMD代工芯片产品为主业，而现在AMD将大量订单转由台积电生产显然对Globalfoundries将是一个沉重打击。

《经济新闻》称，自从AMD于去年12月份正式发布Zacate和Ontario的两款Fusion集显处理器之后，有关这两款产品的需求便相当旺盛。报道并称AMD计划一举签下台积电Fab12和Fab14工厂今年增长的产能为自己代工产品。

Zacate和Ontario是两款面向移动应用的Fusion集显处理器，这两款产品功耗和价格均较低，因此对整机厂商吸引力也较大。

台积电28nm制程的产出量预计在每月5000片(晶圆)左右，除了Nvidia，高通，德州仪器之外，苹果也将成为台积电的代工客户。此前三星公司一直在为苹果代工其iPad机型用A4处理器，不过由于三星与苹果在手机，平板电脑市场上的竞争日益激烈，苹果很可能将其28nm制程新款A5处理器转交由台积电代工。

jarheart · 发表于 2011-2-23 09:58

台积电可以喔

eGenius · 发表于 2011-2-23 10:50

支持苹果扔掉棒子

PRAM · 发表于 2011-2-23 10:54

很早的假新闻，还有人转？

PRAM · 发表于 2011-2-23 10:55

实际上由Samsung设计？

　　在我们分析的范围内，未发现A4上有采用苹果自主技术的痕迹：“实质上设计是由三星实施的，但并非只是由由苹果提出要求，而应是在包括设计在内的各个阶段，苹果与三星的密切合作。虽纯属猜测，但我们认为是苹果将Intrinsity介绍给了三星”（分析合作者）。

　　在iPad刚上市后的2010年4月，Apple就公布收购了Intrinsity的消息。包括创办人在内的许多Intrinsity的工程师，现在都在为苹果工作（注3）。苹果虽对收购Intrinsity的目的及金额等缄口不言，但其对半导体厂商而言，可能正在成为“电路专家”般的客户。

PRAM · 发表于 2011-2-23 11:00

yang66yang66
入伍新兵

名誉值0 工作领域engineering 工作年资10-15年

1# 大中小

发表于 2010-11-25 07:35 只看该作者

台积电要通吃南方群岛芯片业界传出，台积电近期再领先全球晶圆（Globalfoundries），完成超威（AMD）28奈米、代号「南方群岛」（Southern Islands）的绘图芯片试产。超威这款产品本来要下单全球晶圆，随着台积电试产成功，不排除将由台积电独吃。
晶圆代工明年以28奈米为竞争重点，绘图芯片更是相关制程最大宗产品，谁能取得绘图芯片大厂的订单，被视为晶圆代工厂先进制程的竞争力指标。超威最新几款产品的代工陆续从全球晶圆转至台积电，有助台积电明年营运不看淡，台积电已预告明年营收、获利仍将继续创下历史新高。
业界指出，超威南方群岛上一代为北方群岛（Northern Islands），超威一度因台积电取消32奈米制程而放弃北方群岛。台积电在28奈米制程的金属栅极结构（HKMG）问题逐一克服后，已适合大量投产，这极可能成为超威28奈米代工生意会独交台积电的关键。
超威今年下半年开始进行28奈米绘图芯片前段设计，超威执行长梅尔原本表示，28 奈米会先使用全球晶圆生产最新一代产品，最新消息却传出，超威代号「南方群岛」的AMDRadeonHD7000系列显卡，本月已在台积电试产成功。 ; X6 V9 q. a( {3 {
业界透露，超威28奈米绘图芯片原计划移转全球晶圆下单，后来台积电与超威主动合作，超威因此采「双代工」来源。南方群岛绘图芯片先在台积电试产成功，显示台积电28奈米进度超前。 ' p4 _! @! m1 _$ A. {8 V! J% H
台积电今年已拿下超威40奈米、代号Ontario的新款APU，接着主攻主流笔电、笔电及AIO的Zacate处理器，原订在全球晶圆采32奈米生产计划，也转向台积电以40奈米生产。

PRAM · 发表于 2011-2-23 11:01

Zacate绝大部分DIE是GPU，AMD很早就决定在TSMC生产，Ontario和Zacate本来就是一回事，【请注意用词】到了极点，Ontario和Zacate两个就是频率差别，TDP一个9W一个18W，一小部分TW人【请注意用词】之极，就靠假消息来超股价

PRAM · 发表于 2011-2-23 11:02

谎话重复1000遍还是谎话

PRAM · 发表于 2011-2-23 11:03

John86
论坛版主

名誉值20 工作领域PIE 工作年资4年

10# 大中小发表于 2010-11-25 20:15 只看该作者

AMD 32nm和28nm的单子将被GF接下来。
至于AMD 40nm的单子，那是因为业界只有TSMC玩这个tech node，所以目前只有tsmc才能接单。

PRAM · 发表于 2011-2-23 11:11

本帖最后由 PRAM 于 2011-2-23 11:12 编辑

旧闻一条-----台積電將28奈米製程定位為全世代（full node）製程，提供高介電層金屬閘（HKMG）及氮氧化矽（SiON）材料等兩種選擇，預計2010年第一季開始生產，

Dryiceboy · 发表于 2011-2-23 21:27

本帖最后由 Dryiceboy 于 2011-2-23 21:28 编辑

PRAM 发表于 2011-2-23 11:00

这则新闻讲的只是“传试产完成”，并没有说“已经获取订单”。是不是假新闻由时间来证明。

PRAM · 发表于 2011-2-24 16:38

本帖最后由 PRAM 于 2011-2-24 16:39 编辑

Dryiceboy 发表于 2011-2-23 21:27
这则新闻讲的只是“传试产完成”，并没有说“已经获取订单”。是不是假新闻由时间来证明。

上士

名誉值0 工作领域液晶面板工作年资还是学生

1# 大中小

发表于 2009-10-2 22:03 只看该作者

台积电因为英特尔订单而提高晶圆产量据报道，台积电计划将他们在台南科学园区的12寸Fab 14晶圆厂的月产量到年底时提高至6000片，2010年再度提高到35000片。) \ R3 W$ A7 g& Y' ?9 [% z& u

　　Fab 14晶圆厂是台积电计划中的处理器代工工厂，台积电之所以增产Fab 14晶圆厂的月产量，是为了满足Intel要求的Atom芯片出货量。据悉，台积电在今年早些时候就将处理器代工厂由Fab 12转到了Fab 14晶圆厂，Fab 14也在购买测试设备，打算采用40nm工艺生产5000-6000片晶圆。5 w# Q- ? C2 `& g

|* C1 K, `4 { D! N# ]$ P*----------------------------TSMC

PRAM · 发表于 2011-2-24 16:40

看看以前的假新闻，哈哈，台湾媒体造假新闻的能力还是不错的

PRAM · 发表于 2011-2-24 16:44

上士

名誉值0 工作领域test 工作年资8年

1# 大中小

发表于 2009-6-18 10:27  只看该作者

台积电28奈米明年初量产　推低耗电平台台积电28奈米明年初量产　推低耗电平台1 n/ n9 Y( O! n% z+ H0 O
40奈米良率回稳　　GPU出货3Q仍旺
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台积电17日选在技术论坛前一天宣布成功开发28奈米制程技术，同时率先推出低耗电技术平台，根据台积电时程规画，预计最快2010年初开始生产，由于低功耗主要是针对可携式芯片领域所设计，外界预料高通(Qualcomm)等手持式装置芯片客户将可率先采用。而业界今日也在期待睽违4年，将亲自主持技术论坛的台积电董事长兼总执行长张忠谋将对外端出什么「牛肉」。 w& F0 F! _5 u- a! {$ b
台积电在17日选择日本京都举行的超大规模集成电路技术及组件技术研讨会(2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上发表最新28奈米制程技术，台积电研发副总孙元成说，台积电与客户已展开密切合作，28奈米完成开发是技术上的一个突破和创新。而台积电也表示，28奈米将取代32奈米定位为全世代(Full Node)制程，提供高效能、低耗电制程技术平台，预计2010年初开始生产。, k: s6 r$ o4 w2 R# V; o. D  M
( E1 B! y0 x% B0 ~1 C7 X/ R- F

7 l/ M( [" m4 a! M/ A6 z2 B9 ^6 ^
! _7 B) w' ?5 M' c" T台积电选在17日本京都发表28奈米技术，在论文中，台积电28奈米低耗电技术，同时配合双／三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)制程，并将32奈米制程使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride；SiON)/多晶硅(poly Si)材料延伸至28奈米制程。5 ~% A6 y: t7 K. z3 a" s! H
而台积电28奈米双／三闸极氧化层系统单芯片技术所产出的64Mb SRAM，良率已十分稳定，SRAM测试芯片的尺寸仅约0.127平方微米，相当具有尺寸竞争力。9 n9 [( D. V: ~1 h/ a( u
而根据比较，台积电藉由应变硅( straining engineering)与具竞争力的氧化层厚度优化的氮氧化硅材料所产出的晶体管，与前一世代的45奈米制程技术相较，速度约提高25~40%、操作功耗减少30~50%，还拥有低待机及低操作功耗的优势。
  i B1 s: X  I* ]+ |+ s台积电自45奈米制程技术开始，已将半世代制程提升至全世代的地位，以40奈米取代45奈米，以28奈米取代32奈米。不过市场上对于台积电40奈米良率曾有传闻，但据了解，目前台积电40奈米良率已经回到持稳水平，同时，客户尤其是绘图芯片业者部分第2季订单也将会延展至第3季，台积电第3季绘图芯片出货仍将畅旺。

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Heitai · 发表于 2011-2-24 16:54

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abcdzzx · 发表于 2011-2-24 17:07

台积电，呵呵，台湾电子工业的后盾

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Heitai Heitai 当前离线积分 5 IP卡狗仔卡头像被屏蔽	15^# 发表于 2011-2-24 16:54 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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