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内存步入50nm时代

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发表于 2006-10-20 11:42 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
三星刚刚宣布开发完成业内首款50nm DDR2 DRAM芯片。

三星表示,相对现有的60nm DRAM芯片,50nm工艺将提高55%生产效率。除此之外,新50nm 1Gbit DRAM芯片还采用了3D晶体管设计、多绝缘层隔离等先进半导体技术,大大加强了芯片的性能以及存储能力。

三星表示,新50nm工艺将在笔记本内存、图形显存等领域大显身手。首批50nm DRAM芯片将在2008年大规模生产,2011年占领主流DRAM市场,届时全球DRAM市场总值将达到550亿美元。

20061020082125_82630.jpg (72.75 KB, 下载次数: )

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