POPPUR爱换

 找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

手机号码,快捷登录

搜索
查看: 1021|回复: 0
打印 上一主题 下一主题

消除DDR3误解 低延迟值更高速更凉快

[复制链接]
跳转到指定楼层
1#
发表于 2006-10-24 08:11 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
消除DDR3误解 低延迟值更高速更凉快据Intel最新桌面平台规划,Intel将会于2007年第二季起,推出支持DDR3内存模块、产品代号为Bearlake的芯片组产品,而然Intel亦不讳这DDR3内存模块要于2009年才有望成为市场主流。

    Intel市场供应研究经理Charles Chang于台北IDF会上表示,现时Intel已接收到各大内存厂商的DDR3内存模块,并已稳定地运作于Intel测试平台上,预测业界将会于2007年初正式投产DDR3内存模块,并于年中推出市面。





    据Charles Chang指出,DDR3内存模块拥有较DDR2优胜的频宽功耗比(Bandwitdh per watt),对比现有DDR2-800产品,DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X,不单内存频宽的大幅提升外,功耗表现亦较上代为佳。

    但Chalres Chang不讳言在2009年前,DDR3并非主流用家的玩意,市场上仍是以DDR2为主流,Charles Chang引用iSuppli于2006年第三季作出的DDR3对比DDR2出量货与价格预估报告指出,2007年DDR3内存模块出货仅占DDR3与DDR2内存模块市场总和不足一成,而DDR3内存模块售价平均比DDR2高出约五成。2008年DDR3内存模块出货将会提升至二成五,而售价将会大幅贴近DDR2内存,但预计要直至2009年,市场才会出现交替动作。



    不少消费者均被CAS延迟值数值所误导,认为DDR3内存在延迟值表现将不及DDR2,但据Samsung半导体内存产品规划事业群高级工程师Kim Gyou Joong指出,这是完全错误、无知的观念,事实上,JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6,其内存延迟均为15ns。

    据Kim Gyou Joong指出,CAS Latency是指内存需要经过多少个周期,才能开始读写数据,但要计算整个内存模块的延迟值,还需要把内存颗粒运作频率计算在内。

    现时,DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9,把内存颗粒运作频率计算在内,其内存模块的延迟值应为13.125、12.ns及11.25ns,相比DDR2内存模块改善约25%,因此消费者以CAS数值当成内存模块的延迟值是不正确的。



    根据Samsung内存模块最新规划,Samsung将会于2007年第二季开始出货桌面系统用DDR3-800/1066产品,第三季推出DDR3-1333,但要在2008年下半年才会推出最高速的DDR3-1600产品。而行动平台则要在2008年第一季才会导入DDR3产品,速度为DDR3-800/1066,而2009年第一季则会提升至DDR3-1333。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

广告投放或合作|网站地图|处罚通告|

GMT+8, 2025-2-23 18:36

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 POPPUR.

快速回复 返回顶部 返回列表