海力士推出60nm制程DDR2-800内存芯片

ccf

海力士日前公布了新系列的高容量60nm制程的1Gbit DDR2 DRAM芯片，新的内存模块将被使用在高密度DRAM构成以及高性能的显卡等设备上。在芯片厂商的计划，将于明年上半年开始大规模生产。新1Gbit的封装尺寸将更有利于制造4GB以及更高容量的RDIMMs (registered DIMM)和FBDIMMs (fully buffered DIMM)，同时有效降低模组的制造成本，而Very Low profile (VLP)模组也成为可能。