英特尔NAND Flash将采35奈米制程

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根据外电指出，科技大厂英特尔（Intel）在2008年将以先进的35奈米制程技术，于日前宣布与美光（Micron）合资的新加坡新厂中，生产NAND型快闪记忆体（Flash）产品，而透过35奈米制程技术，英特尔将可大幅增加其成本竞争力；此外，随着Santa Rosa平台的问世，Robson技术将结合NAND型Flash作为储存的媒介，提高硬碟读写速度，且在手机记忆体当中，NAND型Flash也将扮演要角。

    根据日经产业新闻指出，英特尔进入NAND型Flash领域较晚，且近1年来NAND型Flash价格下跌的压力相当大，因此英特尔将以最先进的微小化技术，藉此降低生产成本，目前的NAND型Flash制程为72奈米制程，50奈米制程将在2007年下半量产，而英特尔也将领先同业，于2008年在新加坡新厂中，导入35奈米制程技术。

    日经产业新闻进一步指出，以35奈米制程技术来量产NAND型Flash是绝对可行的，NAND型Flash可透过每个Cell储存较多Bit来增加每个晶片的储存量，35奈米制程应可达到每个Cell记忆4个Bit，此外，英特尔也积极开发下一代的相变化记忆体（PCM）技术。

    英特尔在Santa Rosa平台中的Robson技术，将在原有的传统硬碟中，加设NAND型Flash模组，笔记型电脑（NB）在开机时，不需将资料写入传统硬碟，而是将资料记忆在NAND型Flash当中，将可大幅加快开机速度，而由于硬碟的使用次数减少，将为延长寿命且减少耗电量。

    类似Robson技术这种结合传统硬碟和NAND型Flash功能的混合型技术，未来将逐渐成为趋势，业界一般称为硬碟的“延寿计画”；此外，像是纯粹使用固态硬碟（SSD），完全取代传统硬碟，也会是NAND型Flash进入PC市场的终极目标之一。

    业界人士表示，英特尔虽然晚进入NAND型Flash市场，但其爆发力绝不忽视，或许在2006、2007年还处于打底阶段，2008年之后将逐渐显现出来，且英特尔以最先进的35奈米制程生产NAND型Flash，将可大幅提升其成本竞争力，加上届时NAND型Flash应用在PC领域逐渐成熟，其影响力绝对不容忽视。