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镁光颗粒为何特别好超?根本原因是什么?

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发表于 2007-11-7 08:41 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
难不成他家 的硅比别人的要纯??:wacko:
内存的晶体管结构应该比cpu简单太多了吧?

是什么原因导致各家oc性能有如此大差距?

如果说材料好,成本高所以导致好超,为何d9gmh确能被金士顿放ddr667上大贱卖:(

内存真是奇怪的玩意!:wacko:
29#
发表于 2007-11-8 22:56 | 只看该作者
原帖由 blazefizz 于 2007-11-8 22:33 发表
感觉还是Infineon的好超~(IBM的条子)


IBM的现代条子也好超:sweatingbullets:
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28#
发表于 2007-11-8 22:33 | 只看该作者
感觉还是Infineon的好超~(IBM的条子)
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27#
发表于 2007-11-8 13:35 | 只看该作者
技术进步咯
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26#
发表于 2007-11-8 11:21 | 只看该作者
23楼永631当然用不着d9了:w00t):
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venturex 该用户已被删除
25#
发表于 2007-11-8 11:02 | 只看该作者
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24#
发表于 2007-11-8 10:55 | 只看该作者
设计,设备,制造.........应该离不开这些吧:rolleyes:
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23#
发表于 2007-11-8 09:52 | 只看该作者
设计好有很大的关系,包括化学成分比例,氧化层的厚度控制,刻蚀精度,连线质量,布局,以及封装质量,金丝连接还是铜丝连接,都直接影响运行频率
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22#
发表于 2007-11-8 09:17 | 只看该作者

回复 23# 的帖子

具体说说:huh:
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21#
发表于 2007-11-8 09:10 | 只看该作者
:ermm: 镁光就是垃圾的代名词,什么好超不好超
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20#
 楼主| 发表于 2007-11-8 08:53 | 只看该作者
但是很多内存无论如何加压就是不能超啊:funk:
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ssaml 该用户已被删除
19#
发表于 2007-11-8 08:23 | 只看该作者
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18#
发表于 2007-11-8 01:55 | 只看该作者
原帖由 D65 于 2007-11-7 23:19 发表


应该是材质特殊的原因,发热很大的情况下,也不容易信号出错。
只能说镁光比较耐热,耐压是吹牛。

也就是说,都电到很高的电压,发热很大,镁光还能挺住,其它颗粒受不了发热,会出错。

事实上,那么高的 ...


:lol: :lol:
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17#
发表于 2007-11-7 23:37 | 只看该作者
原帖由 D65 于 2007-11-7 23:19 发表


应该是材质特殊的原因,发热很大的情况下,也不容易信号出错。
只能说镁光比较耐热,耐压是吹牛。

也就是说,都电到很高的电压,发热很大,镁光还能挺住,其它颗粒受不了发热,会出错。

事实上,那么高的 ...

嗯,,这个说法,,比较有道理
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OST_2005 该用户已被删除
16#
发表于 2007-11-7 23:26 | 只看该作者
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15#
发表于 2007-11-7 23:19 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-11-7 22:26 发表
是不是内存上的排阻用得比较小,或者比较大,信号比较强,不容易出错吧


应该是材质特殊的原因,发热很大的情况下,也不容易信号出错。
只能说镁光比较耐热,耐压是吹牛。

也就是说,都电到很高的电压,发热很大,镁光还能挺住,其它颗粒受不了发热,会出错。

事实上,那么高的电压,什么条子上不去啊。散热解决的话。

[ 本帖最后由 D65 于 2007-11-7 23:21 编辑 ]
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14#
发表于 2007-11-7 22:55 | 只看该作者
可惜美国crucial官方不对华销售
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板砖 该用户已被删除
13#
发表于 2007-11-7 22:52 | 只看该作者
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12#
发表于 2007-11-7 22:39 | 只看该作者
每一代内存都有独特的OC极品颗粒
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11#
发表于 2007-11-7 22:26 | 只看该作者
是不是内存上的排阻用得比较小,或者比较大,信号比较强,不容易出错吧
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10#
发表于 2007-11-7 20:21 | 只看该作者
高电压下,不出错而已。
挂掉的速度,并不比其它颗粒慢。

所以,连工艺比较耐压的称号,都懒得给。
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