TSMC 40nm制程状况逐渐改善

Asuka · 发表于 2009-6-27 00:41

两个月前，有消息报道，由于离子注入后晶圆清洗带来的材料和掺杂剂损失，TSMC在其40nm工艺上暂时放弃了用RTA修复沟槽的手段。由此导致的良率不济，影响到了RV740等新一代芯片的交货

http://we.pcinlife.com/thread-1158203-1-1.html

针对这一段市场空缺，AMD官方给予的回应是推出采用RV770CE核心，128bit GDDR5总线的4730作为应急所需：

不过，在过去了二个月之后，综合最新的一些消息，TSMC改善其40nm工艺良率的努力有了进展：目前TSMC已经开始使用LSA（激光脉冲退火）来改善超浅结（USJ）周围的杂质现象，从而改善良率。预计进入7月份之后，RV740的产能将会变得充足起来。

axler · 发表于 2009-6-27 01:31

4770有望啦，呵呵，貌似沙发

奶牛老仙 · 发表于 2009-6-27 01:48

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只看该作者 · 发表于 2009-6-27 02:04

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羊库库 · 发表于 2009-6-27 06:54

出了也别买
等成熟了在说

koppie · 发表于 2009-6-27 12:02

newegg.com 已经有了powercolor和biostar的4770.就是价格实在太坚挺。。。。

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pharaohs1024 该用户已被删除	4^# 发表于 2009-6-27 02:04 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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