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现在NV、AMD台积电新核心都标称40nm，但之前有报道其实是45nm：
Altera公司的CEO John Daane在一次电话会议上表示，直至几个星期之前Altera都还以为正在研发的是45nm技术，而台积电在推出之前突然改变决定，为它更换了一个“马甲”——40nm。这不免让人联想到台积电曾在2007年表示将转入45nm量产的工作，却无缘由地跳过45nm，直接为客户提供40nm的芯片代工服务。
据称，台积电的40nm在45nm的基础上并无真正改进：台积电40nm芯片的接触栅间隔（Contact gate pitch）为162nm，比Intel 45nm芯片接触栅间隔的160nm还多出2nm，抛开其中的微弱差距不计，两者可以说是处于同一水平。
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不知道新出这些卡是货真价实40nm还是45nm号称40nm |
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发表于 2009-9-26 17:55
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